公开(公告)号：KR1020170018817A

公开(公告)日：2017-02-20

申请号：KR1020167031938

申请日：2015-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  하야카와요시노부 ,  미즈나가사토시 ,  하마다야스히로 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/28 ,  H01L21/32136 ,  H05H1/46

Abstract: 불화탄소를포함하는가스를공급하고, 상기가스로부터플라즈마를생성하고, 기판상의실리콘함유막을, 상기실리콘함유막상의마스크를거쳐서플라즈마에의해에칭하는에칭장치와, 상기에칭장치와는상이한장치로서, 탄소를포함하는가스를공급하고, 상기에칭된실리콘함유막에카본함유막을성막하는성막장치를갖고, 상기에칭장치는, 상기실리콘함유막을도중까지플라즈마에의해에칭하는제 1 에칭공정과, 상기카본함유막이형성된상기실리콘함유막을플라즈마에의해더 에칭하는제 2 에칭공정을포함하는공정을실행하고, 상기성막장치는, 상기제 1 에칭공정후의실리콘함유막상에플라즈마를생성하지않고카본함유막을성막하는성막공정을실행하는기판처리시스템이제공된다.

Abstract translation: 提供了一种基板处理系统，其包括：蚀刻装置，其供给含有氟化碳的气体，从气体产生等离子体，并且通过使用掩模在等离子体上在含硅的物质上蚀刻基板上的含硅膜 电影; 以及与蚀刻装置不同的成膜装置，并且在蚀刻的含硅膜上提供含有碳的气体并形成含碳膜。 蚀刻装置执行包括用于通过等离子体中途蚀刻含硅膜的第一蚀刻步骤和通过等离子体进一步蚀刻其上形成含碳膜的含硅膜的第二蚀刻步骤的步骤 。 成膜装置进行成膜步骤，其中在第一蚀刻步骤之后，在含硅膜上形成含碳膜而不产生等离子体。

公开(公告)号：KR1020110138189A

公开(公告)日：2011-12-26

申请号：KR1020110058945

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사리신지 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/683 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/683

Abstract: PURPOSE: A support structure and a processing device are provided to increase uniformity in a plane whose thickness is the same as the thickness of a film of a processed object placed on the top or the bottom of the support structure. CONSTITUTION: A wafer boat(46) is made of a top plate part(48), a bottom part(50), and a support pillar(60). An opening in the lower part of a processing container(44) is sealed by a cover part(62) made of quartz. A seal member(64) is placed between the lower part of the processing container and a part around the cover part. A table(68) is supported onto the top of a rotation axis(70) which penetrates the cover part. The rotation axis is attached to the leading end of an arm(74A) which is supported in an elevation machine(74).

Abstract translation: 目的：提供支撑结构和处理装置，以增加其厚度与放置在支撑结构的顶部或底部上的加工对象的膜的厚度相同的平面中的均匀性。 构成：晶片舟（46）由顶板部分（48），底部部分（50）和支柱（60）制成。 处理容器（44）的下部的开口由石英制的盖部分（62）密封。 密封构件（64）被放置在处理容器的下部和覆盖部分周围的部分之间。 工作台（68）支撑在穿过盖部的旋转轴线（70）的顶部。 旋转轴线附接到支撑在升降机（74）中的臂（74A）的前端。

公开(公告)号：KR101655929B1

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：KR1020130044525

申请日：2013-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시카즈야 ,  후루사와요시카즈 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/28035

Abstract: (과제) 박막에대하여, 보다단시간으로, 보다고농도로불순물을기상(氣相) 확산시키는것이가능한불순물확산방법을제공하는것이다. (해결수단) 처리실에, 박막이형성된피(被)처리체를반입하는공정(스텝 1)과, 처리실내에서, 박막이형성된피처리체를기상확산온도까지승온(昇溫)하는공정(스텝 3)과, 처리실내에, 불순물을함유하는불순물함유가스를불활성가스와함께공급하여, 기상확산온도로승온된피처리체에형성된박막중에불순물을확산시키는공정(스텝 4)을구비하고, 스텝 4에있어서, 처리실내에, 불순물함유가스및 불활성가스와함께, 박막으로의불순물의확산을촉진시키는불순물확산촉진가스를동시에공급한다.

公开(公告)号：KR1020130106800A

公开(公告)日：2013-09-30

申请号：KR1020130100355

申请日：2013-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  도조유키오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312

Abstract: PURPOSE: A batch processing method for forming a structure including an amorphous carbon film and a computer-readable recording medium are provided to improve the flatness of a film surface by including an underlying layer. CONSTITUTION: A ceiling is formed on the top of a reaction tube. A cover (6) is arranged on the bottom of the reaction tube. The cover is vertically moved by a boat elevator. A rotary shaft (12) is installed on the bottom of a rotary table. The rotary shaft is connected to a rotating device (13). [Reference numerals] (100) Control unit

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成包括非晶碳膜和计算机可读记录介质的结构的批处理方法，以通过包括下层来改善膜表面的平坦度。 构成：在反应管的顶部形成天花板。 在反应管的底部布置有盖（6）。 船盖电梯垂直移动。 旋转轴（12）安装在旋转台的底部。 旋转轴连接到旋转装置（13）。 （附图标记）（100）控制单元

公开(公告)号：KR1020120074208A

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020110131586

申请日：2011-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베마사히사 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76227

Abstract: PURPOSE: A trench embedding method and an apparatus for forming a film are provided to easily form an expandable film and an oxidization barrier film on a fine trench. CONSTITUTION: A pad oxide film(2) is formed by thermally oxidizing a surface of a silicon substrate(1). A silicon nitride film(3) is formed on the pad oxide film by depositing a silicon nitride. A photoresist film(4) is formed on the silicon nitride film by spreading photoresist. A trench(6) is formed on the silicon substrate using the photoresist film as a mask. An oxide film(7) is formed on a side wall of the trench using a radical oxidation method.

Abstract translation: 目的：提供沟槽嵌入方法和用于形成膜的装置，以容易地在细沟槽上形成可膨胀膜和氧化阻挡膜。 构成：通过热氧化硅衬底（1）的表面形成衬垫氧化膜（2）。 通过沉积氮化硅在衬垫氧化膜上形成氮化硅膜（3）。 光致抗蚀剂膜（4）通过涂布光致抗蚀剂形成在氮化硅膜上。 使用光致抗蚀剂膜作为掩模在硅衬底上形成沟槽（6）。 使用自由基氧化法在沟槽的侧壁上形成氧化膜（7）。

公开(公告)号：KR1020100130968A

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：KR1020100052663

申请日：2010-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  도조유키오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312

Abstract: PURPOSE: A batch processing method for forming structure including amorphous carbon film is provided to manufacture a structure including a wiring and an electrode contacting the semiconductor device on a target object by forming a semiconductor layer, an insulation layer, and a conductive layer with the predetermined pattern on the target object. CONSTITUTION: A ceiling(3) formed in cone shape is installed on the top of a reaction tube(2). An exhaust pipe(4) for discharging the gas within the reaction tube is installed on the center of the ceiling. An exhausting unit(GE) is connected to the exhaust pipe through the hermetic exhaust pipe(5). A cover body(6) is arranged on the bottom of the reaction tube.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成包括非晶碳膜的结构的批处理方法，以通过形成半导体层，绝缘层和具有预定的导电层的导电层来制造包括布线和与目标物体上的半导体器件接触的电极的结构 目标物体上的图案。 构成：在反应管（2）的顶部安装有锥形形状的天花板（3）。 用于将反应管内的气体排出的排气管（4）安装在天花板的中心。 排气单元（GE）通过密封排气管（5）连接到排气管。 盖体（6）布置在反应管的底部。

公开(公告)号：KR1020130133672A

公开(公告)日：2013-12-09

申请号：KR1020130058189

申请日：2013-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고모리카츠히코 ,  가키모토아키노부 ,  오카다미츠히로 ,  다카하시노부히로

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232

Abstract: Provided are a method for forming a silicon film and a device thereof capable of preventing the generation of void generation or seam generation. The method for forming the silicon film comprises a first evaporation process, an etching process, a doping process, and a second evaporation process. The first evaporation process evaporates a silicon film which an impurity including boron is doped to fill a groove of a processed object. The etching process etches the silicon film which is evaporated in the first evaporation process. The doping process dopes the silicon film which is etched in the etching process with the impurity including the boron. The second evaporation process evaporates the silicon film which the impurity is doped in order to fill the silicon film which is doped in the doping process. [Reference numerals] (AA) Temperature (°C);(BB) Pressure (Pa);(CC) Load process;(DD) Stabilization process;(EE) First evaporation process;(FF,II) Purge/stabilization process;(GG) Etching process;(HH) Doping process;(JJ) Second evaporation process;(KK) Purge process;(LL) Unload process

Abstract translation: 提供一种形成硅膜的方法及其能够防止产生空隙产生或缝合产生的装置。 形成硅膜的方法包括第一蒸发工艺，蚀刻工艺，掺杂工艺和第二蒸发工艺。 第一蒸发过程蒸发掺杂包括硼的杂质以填充被处理物体的凹槽的硅膜。 蚀刻工艺蚀刻在第一蒸发过程中蒸发的硅膜。 掺杂工艺将包含硼的杂质在蚀刻工艺中被蚀刻的硅膜掺杂。 第二蒸发过程蒸发掺杂杂质的硅膜，以填充在掺杂过程中掺杂的硅膜。 （AA）温度（℃）;（BB）压力（Pa）;（CC）负载过程;（DD）稳定过程;（EE）第一蒸发过程;（FF，II）清洗/稳定过程; （GG）蚀刻过程;（HH）掺杂过程;（JJ）第二次蒸发过程;（KK）吹扫过程;（LL）卸载过程

公开(公告)号：KR101300054B1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：KR1020100014517

申请日：2010-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루사와요시카즈 ,  오카다미츠히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/24 ,  C23C16/28 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 게르마늄 함유막을 성막하는 장치의 사용 방법은, 반응 용기 내에 수납된 제품용 피처리체 상에 CVD에 의해 게르마늄을 함유하는 제1 제품막을 형성하는 제1 성막 처리와, 성막 부생성물을 에칭하는 제1 클리닝 처리와, 반응 용기 내에 잔류하는 게르마늄을 제거하는 제2 클리닝 처리와, 반응 용기 내에 수납된 제품용 피처리체 상에 CVD에 의해 게르마늄을 함유하지 않는 제2 제품막을 형성하는 제2 성막 처리를 이 순서로 행한다. 제2 클리닝 처리에서는, 제품용 피처리체를 수납하지 않는 반응 용기 내를 배기하면서, 반응 용기 내에 산화 가스 및 수소 가스를 포함하는 제2 클리닝 가스를 공급함과 함께 반응 용기 내를 가열하여 제2 클리닝 가스를 활성화한다.

公开(公告)号：KR1020110091456A

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020110009311

申请日：2011-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  도조유키오

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/0332

Abstract: PURPOSE: A laminating structure forming method and an apparatus for the same are provided to improve adhesion between an underlying layer and amorphous carbon film, thereby enabling to properly utilize for a hard mask which is used as an etching mask. CONSTITUTION: A laminating structure including an amorphous carbon film is formed on an underlying layer(2). A first-ply layer(3) including a Si-C bond is formed on a surface of the underlying layer. An organic silicone gas is supplied on the underlying layer. The amorphous carbon film(4) is formed as a thermal film on the underlying layer in which the first-ply layer is formed. A deposition gas including a hydrocarbon compound gas is supplied to the underlying layer.

Abstract translation: 目的：提供层叠结构形成方法及其装置，以提高下层和非晶碳膜之间的粘附性，从而能够适用于用作蚀刻掩模的硬掩模。 构成：在下层（2）上形成包括无定形碳膜的层压结构。 在下层的表面上形成包含Si-C键的第一层（3）。 在底层上提供有机硅气。 无定形碳膜（4）在其上形成第一层的下层形成热膜。 包括烃化合物气体的沉积气体被供应到下层。

公开(公告)号：KR100680863B1

公开(公告)日：2007-02-09

申请号：KR1020057014229

申请日：2004-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도아츠시 ,  오카다미츠히로 ,  오가와준 ,  야마모토아키히토 ,  나카오다카시 ,  가미무라마사키 ,  우시쿠유키히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: 본 발명에 따른 처리시스템은, 내부에 피처리기판이 올려 놓아지는 반응용기와, 기판처리시에 상기 반응용기 내로 처리가스를 공급하는 처리가스공급기구, 클리닝 시에 상기 반응용기 내로 부식성을 가진 클리닝가스를 공급하는 클리닝가스공급기구, 상기 반응용기에 접속된 배기로 부재, 상기 반응용기 및 상기 배기로 부재 중의 특정한 일부분을 가열하는 가열수단, 상기 특정한 일부분의 온도를 검출하는 온도검출수단, 이 온도검출수단에 의해 검출된 검출 값을 기초로 상기 특정한 일부분이 소정의 목표온도로 되도록 상기 가열부재를 제어하는 온도제어수단 및, 상기 목표온도를 기판처리 시와 클리닝 시로 변경하는 온도변경수단을 구비하고 있다. 상기 목표온도는 상기 온도변경수단에 의해, 기판처리 시에서는 당해 특정한 일부분에 반응 부생성물이 부착되는 것이 억제될 수 있는 온도로 되는 한편, 클리닝 시에는 당해 특정한 일부분의 부식이 억제될 수 있는 온도로 된다.