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公开(公告)号:KR1020100069576A
公开(公告)日:2010-06-24
申请号:KR1020090118477
申请日:2009-12-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: B05D1/005 , G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/67017
Abstract: PURPOSE: A coating processing method and a coating processing apparatus are provided to improve an uniformity and a yield of a coating solution film by controlling a bubble created in a coating of the coating solution. CONSTITUTION: A processed substrate(W) is rotated to a first rotating number with a low speed. A deionized water is provided on the central part of the processed substrate from a coating solution nozzle(50). A coating solution(TARC) of water-soluble is provided to the central part of the processed substrate. The coating solution and the deionized water are mixed. The processed substrate forms a coating solution film by rotating a second rotating number higher speed than the first rotating number.
Abstract translation: 目的:提供涂布处理方法和涂布处理装置,以通过控制涂布溶液的涂层中产生的气泡来改善涂布溶液膜的均匀性和产率。 构成:经处理的基板(W)以低速旋转到第一旋转数。 在涂布溶液喷嘴(50)上,在处理过的基材的中心部分上提供去离子水。 将水溶性的涂布溶液(TARC)提供到处理过的基材的中心部分。 将涂布溶液和去离子水混合。 经处理的基板通过旋转比第一旋转数更高的第二旋转数来形成涂布溶液膜。
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公开(公告)号:KR101447759B1
公开(公告)日:2014-10-06
申请号:KR1020090118477
申请日:2009-12-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: B05D1/005 , G03F7/162 , H01L21/6715
Abstract: 본 발명은 도포액의 도포 시에 발생하는 기포를 억제하여 도포액막의 균일화 및 수율의 향상을 도모할 수 있도록 한 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치를 제공한다. 또한, 도포액의 유효 이용 및 도포액막의 균일화를 도모할 수 있도록 한 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 도포 처리 방법은, 반도체 웨이퍼(W)를 저속의 제1 회전수로 회전시키고, 웨이퍼의 중심부에 순수(DIW)를 공급하여 순수의 액저류부를 형성하며, 그 후에 웨이퍼를 상기 제1 회전수로 한 상태에서, 웨이퍼의 중심부에 수용성의 도포액(TARC)을 공급하고, 이 도포액과 상기 순수를 혼합한다. 그 후, 웨이퍼를 상기 제1 회전수보다 고속의 제2 회전수로 회전시켜 도포액막을 형성한다.
또한, 본 발명의 다른 도포 처리 방법은, 반도체 웨이퍼(W)를 저속의 제1 회전수로 회전시키고, 웨이퍼의 중심부에 순수(DIW)를 공급하여 순수의 액저류부를 형성하며, 그 후에 웨이퍼를 상기 제1 회전수로 한 상태에서, 웨이퍼의 중심부에 수용성의 도포액(TARC)을 공급하고, 이 도포액과 상기 순수를 혼합한다. 그 후, 웨이퍼를 상기 제1 회전수보다 고속의 제2 회전수로 회전시켜 도포액막을 형성한다. 도포액과 순수를 혼합하는 공정과 도포액막을 형성하는 공정의 시간 비율을 1:3∼3:1의 범위 내로 제어하여 도포액(TARC)의 토출량을 설정한다.
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