公开(公告)号：KR101361300B1

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020080038317

申请日：2008-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데라다가즈오 ,  사카모토가즈오 ,  우에하라다케시

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/68785

Abstract: 본 발명은 피처리 기판의 적절한 회전수에 의한 처리를 최적으로 하고, 막 두께의 균일화를 도모하며, 막질의 저하를 억제하고, 또한, 미스트의 기판에의 재부착을 방지하는 것을 과제로 한다.
웨이퍼(W)를 유지하는 스핀척(40)과, 스핀척(40)을 회전 구동하는 모터(41)와, 웨이퍼에 레지스트액을 공급하는 레지스트 노즐(42)과, 스핀척을 수용하는 상단이 개구된 처리 용기(43)와, 처리 용기의 저부로부터 배기하는 배기 수단(44)을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 처리 용기의 내주측에 배치되어, 웨이퍼의 표면측의 기류를 배기 수단측으로 흐르게 하는 다익 원심팬(50)과, 모터와 다익 원심팬의 구동 전원(51a)에 접속되어, 웨이퍼의 회전수에 대응하여 다익 원심팬의 회전수를 제어하는 컨트롤러를 구비한다. 컨트롤러로부터의 제어 신호에 의해 다익 원심팬을 회전시켜, 웨이퍼의 회전에 의해 생기는 웨이퍼 표면 상의 둘레 방향으로 흐르는 난기류를, 방사 방향으로 흐르는 층기류로 보정한다.

Abstract translation: 本发明将是问题，实现了最好的厚度的均匀性，并且由所述衬底的转速的适当数目的膜处理，并抑制膜质量的降低，并且还可以防止雾衬底的重新附着。

公开(公告)号：KR101827579B1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：KR1020120021100

申请日：2012-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쯔카요시타카 ,  다시로게이 ,  우에하라다케시 ,  와카모토유키히로

IPC: G03F7/16 ,  H01L21/027

Abstract: 매엽처리되는기판간의처리시간간격을단축하고, 생산효율을향상한다. 제어수단(10)은, 노즐(11)의토출구(11a)로부터프라이밍롤러(35)에소정량의처리액(R)을토출시키고, 프라이밍처리부(36)에의해상기프라이밍롤러를회전시키는한편, 펌프(22)에, 흡입관(21)을통하여처리액공급원(20)으로부터처리액을흡입시킨다.

Abstract translation: 处理片材处理的基板之间的处理时间间隔缩短，生产效率提高。 控制装置10从喷嘴11的排出口11a向加注辊35排出少量的加工液R，通过加注处理部36使加注辊旋转， （22）通过吸管（21）从处理液供给源（20）吸入处理液。

公开(公告)号：KR1020120104935A

公开(公告)日：2012-09-24

申请号：KR1020120021100

申请日：2012-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쯔카요시타카 ,  다시로게이 ,  우에하라다케시 ,  와카모토유키히로

IPC: G03F7/16 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/162 ,  B05C5/0237 ,  B05C5/0245 ,  B05C5/0254 ,  B05C11/1002 ,  B05D1/26 ,  G03F7/168 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A substrate treating apparatus and a treating liquid supplying method are provided to shorten a treating cycle between substrates which are treated by the sheet. CONSTITUTION: A substrate treating apparatus includes a priming part, a pump, a treating liquid supplying source part, a first valve(V1), a second valve(V2), and a controlling unit(10). The priming part cleans treating liquid at the outlet(11a) of a nozzle(11). The pump supplies charged treating liquid to the nozzle. The treating liquid supplying source part supplies the treating liquid to the pump. The first valve opens and closes the flow path of the treating liquid by being installed at a treating liquid supplying pipe. The second valve opens and closes the flow path of the treating liquid by being installed at a drawing-in pipe(21). [Reference numerals] (10) Controlling part; (13) Nozzle elevating part; (8) Transferring part

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和处理液供给方法，以缩短由片材处理的基板之间的处理循环。 构成：基板处理装置包括起动部，泵，处理液供给源部，第一阀（V1），第二阀（V2）和控制单元（10）。 起动部分清洗喷嘴（11）的出口（11a）处的处理液。 泵向喷嘴提供带电的处理液。 处理液供给源部将处理液供给到泵。 第一阀通过安装在处理液供给管上而打开和关闭处理液的流路。 第二阀通过安装在引入管（21）处而打开和关闭处理液的流路。 （附图标记）（10）控制部; （13）喷嘴升降部 （8）转移零件

公开(公告)号：KR1020090012037A

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020080038317

申请日：2008-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데라다가즈오 ,  사카모토가즈오 ,  우에하라다케시

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/68785

Abstract: A substrate processing apparatus is provided to exhaust the proper amount according to the amount of the air current generated by the rotation of the processed substrate by controlling the number of rotation of the multiblade centrifugal fan. The spin chuck(40) supports the wafer (W). The spin chuck is rotated in the motor(41). The resist nozzle(42) supplies the resist liquid to the wafer. The treatment vessel(43) accommodates the spin chuck. The exhaust means(44) is disposed at the bottom of the treatment vessel. The multiblade centrifugal fan(50) is arranged in the periphery side of the treatment vessel. The controller(60) is connected to the drive power(51a) of the multiblade centrifugal fan and the motor.

Abstract translation: 提供基板处理装置，通过控制多叶离心式风扇的转动次数，根据经处理基板的旋转产生的气流量排出适量的量。 旋转卡盘（40）支撑晶片（W）。 旋转卡盘在马达（41）中旋转。 抗蚀剂喷嘴（42）将抗蚀剂液体供应到晶片。 处理容器（43）容纳旋转卡盘。 排气装置（44）设置在处理容器的底部。 多叶离心风扇（50）设置在处理容器的周边。 控制器（60）连接到多叶离心风扇和马达的驱动力（51a）。