公开(公告)号：KR1019960026333A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019950046881

申请日：1995-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쓰치야히로시 ,  후카사와요시오 ,  모치즈키슈지 ,  나이도유키오 ,  이마후카고스케

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 저압처리조건하에서 플라스마 밀도를 확실히 제어함과 동시에 피처리체에 대한 손상을 억제하는 것이 가능한 플라스마 처리 방법을 제공하고, 또 100mTorr 이하의 저압처리조건하에서 고에칭비. 고선택비 또 고면내균일성으로 초미세가공을 실현하는 것이 가능한 플라스마 에칭방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로, 플라스마 에칭장치(1)는 감압상태로 설정가능한 처리용기를 구비하고, 처리용기내에는 반도체 웨이퍼(W)가 재치되는 하측전극(4)과, 하특전극(4)에 대행하는 상측전극(21)이 배설되고, 하측전극(4) 및 상측전극(21)에는 각각 RF전원(18,29)이 접속되고, 이상 및 절력비가 개별제어된 제 1및 제2고주파전력이 인가가능하게 되어 있으며, 에칭비, 에칭비의 면내균일성, 및 에칭선택비 등의 에칭 특성을 소정치로 하기 위해 제1 및 제2고주판전력의 주파수, 전력치 및 상대적인 위상을 포함하는 파라미터의 값이 선택되고 에칭중 제1 및 제2고주파전력은 개별의 검출기(19,30)로 모니터되고, 제어수단을 통해 초기설정값으로 유지된다.

公开(公告)号：KR100193373B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950046881

申请日：1995-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쓰치야히로시 ,  후카사와요시오 ,  모치즈키슈지 ,  나이도유키오 ,  이마후카고스케

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 저압처리조건하에서 플라스마 밀도를 확실히 제어함과 동시에 피처리체에 대한 손상을 억제하는 것이 가능한 플라스마 처리방법을 제공하고, 또 100m Torr 이하의 저압처리조건하에서 고에칭비, 고선택비 또 고면내균일성으로 초미세가공을 실현하는 것이 가능한 플라스마 에칭방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로, 플라스마 에칭장치(1)는 감압상태로 설정가능한 처리용기를 구비하고, 처리용기내에는 반도체 웨이퍼(W)가 재치되는 하측전극(4)과, 하측전극(4)에 대향하는 상측전극(21)이 배설되고, 하측전극(4) 및 상측전극(21)에는 각각 RF전원(18, 29)이 접속되고, 위상 및 전력비가 개별제어된 제1 및 제2고주파전력이 인가가능하게 되어 있으며, 에칭비, 에칭비의 면내균일성, 및 에칭선택비 등의 에칭특성을 소정치로 하기 위해 제1 및 제2� ��주파전력의 주파수, 전력치 및 상대적인 위상을 포함하는 파라미터의 값이 선택되고, 에칭중 제1 및 제2고주파전력은 개별의 검출기(19, 30)로 모니터되고, 제어수단을 통해 초기설정값으로 유지된다.