公开(公告)号：KR1019960026333A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019950046881

申请日：1995-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쓰치야히로시 ,  후카사와요시오 ,  모치즈키슈지 ,  나이도유키오 ,  이마후카고스케

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 저압처리조건하에서 플라스마 밀도를 확실히 제어함과 동시에 피처리체에 대한 손상을 억제하는 것이 가능한 플라스마 처리 방법을 제공하고, 또 100mTorr 이하의 저압처리조건하에서 고에칭비. 고선택비 또 고면내균일성으로 초미세가공을 실현하는 것이 가능한 플라스마 에칭방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로, 플라스마 에칭장치(1)는 감압상태로 설정가능한 처리용기를 구비하고, 처리용기내에는 반도체 웨이퍼(W)가 재치되는 하측전극(4)과, 하특전극(4)에 대행하는 상측전극(21)이 배설되고, 하측전극(4) 및 상측전극(21)에는 각각 RF전원(18,29)이 접속되고, 이상 및 절력비가 개별제어된 제 1및 제2고주파전력이 인가가능하게 되어 있으며, 에칭비, 에칭비의 면내균일성, 및 에칭선택비 등의 에칭 특성을 소정치로 하기 위해 제1 및 제2고주판전력의 주파수, 전력치 및 상대적인 위상을 포함하는 파라미터의 값이 선택되고 에칭중 제1 및 제2고주파전력은 개별의 검출기(19,30)로 모니터되고, 제어수단을 통해 초기설정값으로 유지된다.

公开(公告)号：KR1019950030257A

公开(公告)日：1995-11-24

申请号：KR1019940040232

申请日：1994-12-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스케 ,  다하라가즈히로 ,  쓰치야히로시 ,  도모야스마사유키 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  노나카료 ,  히로세게이조 ,  후카사와요시오 ,  고시이시아키라 ,  고바야시이사오

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：KR100349064B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1019940040232

申请日：1994-12-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스케 ,  다하라가즈히로 ,  쓰치야히로시 ,  도모야스마사유키 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  노나카료 ,  히로세게이조 ,  후카사와요시오 ,  고시이시아키라 ,  고바야시이사오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32623

Abstract: A plasma processing apparatus comprises a chamber, and an upper electrode and a lower electrode, parallelly provided in the chamber to oppose each other at a predetermined interval, for defining a plasma generation region between the electrodes. An object to be processed is mounted on the lower electrode. RF powers are supplied to the electrodes, so that a plasma generates between the electrodes, thereby performing a plasma process with respect to the object to be processed. A cylindrical ground electrode is provided around the plasma generation region in the chamber, for enclosing the plasma in the plasma generation region, and has a plurality of through holes for passing a process gas.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括腔室和平行地设置在腔室中以预定间隔彼此相对的上电极和下电极，用于限定电极之间的等离子体产生区域。 待处理物体安装在下电极上。 将RF功率提供给电极，使得在电极之间产生等离子体，由此对待处理的对象执行等离子体处理。 在腔室内的等离子体产生区域周围提供圆柱形接地电极，用于将等离子体封闭在等离子体产生区域中，并且具有用于使处理气体通过的多个通孔。

公开(公告)号：KR100193373B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950046881

申请日：1995-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쓰치야히로시 ,  후카사와요시오 ,  모치즈키슈지 ,  나이도유키오 ,  이마후카고스케

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 저압처리조건하에서 플라스마 밀도를 확실히 제어함과 동시에 피처리체에 대한 손상을 억제하는 것이 가능한 플라스마 처리방법을 제공하고, 또 100m Torr 이하의 저압처리조건하에서 고에칭비, 고선택비 또 고면내균일성으로 초미세가공을 실현하는 것이 가능한 플라스마 에칭방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로, 플라스마 에칭장치(1)는 감압상태로 설정가능한 처리용기를 구비하고, 처리용기내에는 반도체 웨이퍼(W)가 재치되는 하측전극(4)과, 하측전극(4)에 대향하는 상측전극(21)이 배설되고, 하측전극(4) 및 상측전극(21)에는 각각 RF전원(18, 29)이 접속되고, 위상 및 전력비가 개별제어된 제1 및 제2고주파전력이 인가가능하게 되어 있으며, 에칭비, 에칭비의 면내균일성, 및 에칭선택비 등의 에칭특성을 소정치로 하기 위해 제1 및 제2� ��주파전력의 주파수, 전력치 및 상대적인 위상을 포함하는 파라미터의 값이 선택되고, 에칭중 제1 및 제2고주파전력은 개별의 검출기(19, 30)로 모니터되고, 제어수단을 통해 초기설정값으로 유지된다.