公开(公告)号：KR101357531B1

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：KR1020120008241

申请日：2012-01-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자까다다히로 ,  고미아쯔시 ,  가또오다까라 ,  요꼬야마오사무 ,  사꾸마다까시 ,  야스무로지아끼 ,  도시마히로유끼 ,  하따노다쯔오 ,  미즈사와야스시 ,  하라마사미찌 ,  스즈끼겐지

IPC: H01L21/28

Abstract: 웨이퍼(W)에 형성된 트렌치(203)를 갖는 층간 절연막(202)에 있어서, 트렌치(203)의 표면에 배리어막(204)을 형성하는 공정과, 배리어막(204) 상에 Ru막(205)을 형성하는 공정과, Ru막(205) 상에 가열하면서, PVD에 의해 Cu가 마이그레이션하도록 Cu막(206)을 형성하여 트렌치(203)를 메우는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020120087096A

公开(公告)日：2012-08-06

申请号：KR1020120008241

申请日：2012-01-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자까다다히로 ,  고미아쯔시 ,  가또오다까라 ,  요꼬야마오사무 ,  사꾸마다까시 ,  야스무로지아끼 ,  도시마히로유끼 ,  하따노다쯔오 ,  미즈사와야스시 ,  하라마사미찌 ,  스즈끼겐지

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67242 ,  H01L21/76843

Abstract: PURPOSE: A method for forming a Cu(Cuprum) wire, a method and system for forming a Cu film, and a storage medium are provided to fill even a minute trench or hole with Cu without generating voids. CONSTITUTION: A first processing unit(2) forms a barrier film and an Ru(Ruthenium) liner film. The first processing unit includes a first vacuum transfer chamber(11), two barrier film forming apparatuses(12a,12b), and two Ru liner film forming apparatuses(14a,14b). A second processing unit(3) forms a Cu film. The second processing unit includes a second vacuum transfer chamber(21) and two cu film forming apparatuses(22a,22b). A gate valve(G) is installed in a wall between a load-lock chambers(6a,6b) and a standby transfer chamber(31).

Abstract translation: 目的：提供用于形成Cu（铜）线的方法，用于形成Cu膜的方法和系统以及存储介质，以便甚至用Cu填充微小的沟槽或孔而不产生空隙。 构成：第一处理单元（2）形成阻挡膜和Ru（钌）衬里膜。 第一处理单元包括第一真空转移室（11），两个阻挡膜形成装置（12a，12b）和两个Ru衬里膜形成装置（14a，14b）。 第二处理单元（3）形成Cu膜。 第二处理单元包括第二真空传送室（21）和两个立方成膜装置（22a，22b）。 闸阀（G）安装在负载锁定室（6a，6b）和备用传送室（31）之间的壁中。