公开(公告)号：KR1020140021628A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：KR1020137028611

申请日：2012-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후쿠시마다카라 ,  이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C14/046 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 Cu 배선의 형성 방법은, 트렌치를 가지는 웨이퍼의 전체면(全面)에 배리어막을 형성하는 공정과, 배리어막 상에 Ru막을 형성하는 공정과, Ru막 상에 PVD에 의해 순Cu막을 형성해서 트렌치를 매립하는 공정과, 순Cu막 상에 PVD에 의해 Cu 합금막을 형성하는 공정과, CMP에 의해 전체면을 연마해서 Cu 배선을 형성하는 공정과, Cu 배선상에 유전체로 이루어지는 캡층을 형성하는 공정과, Cu 배선과 캡층의 계면에 대응하는 부분을 포함하는 영역에, Cu 합금막에 포함되는 합금성분을 편석시키는 공정을 가진다.

公开(公告)号：KR1020100126307A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107018300

申请日：2009-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라마사미치 ,  미즈사와야스시 ,  다가사토시 ,  고미아츠시 ,  하타노다츠오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/16

CPC classification number: C23C16/45559 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28562

Abstract: 성막 방법은, 금속 카르보닐을 함유하는 처리 가스와 일산화탄소를 함유하는 캐리어 가스를 포함하는 처리 가스 흐름을, 피처리 기판의 표면을 피하여, 피처리 기판의 외주보다 직경 방향 상외측의 영역으로 흘리고, 상기 처리 가스 흐름으로부터 상기 금속 카르보닐을 상기 피처리 기판의 표면으로 확산시켜, 상기 피처리 기판의 표면에 금속막을 성막하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101481924B1

公开(公告)日：2015-01-12

申请号：KR1020137010785

申请日：2011-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  사쿠마다카시 ,  하타노다츠오 ,  요코야마오사무 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  후쿠시마도시히코 ,  도시마히로유키 ,  가와마타마사야 ,  미즈사와야스시 ,  가토다카라

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 처리 용기 내에서 플라즈마에 의해 금속의 타겟으로부터 금속 이온을 발생시켜 바이어스에 의해 인입하여 오목부가 형성되어 있는 피처리체에 금속의 박막을 퇴적시키는 성막 방법에 있어서, 타겟으로부터 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스에 의해 피처리체에 인입하여 오목부 내에 기초막을 형성하는 기초막 형성 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않는 상태에서 바이어스에 의해 희가스를 이온화시킴과 아울러 발생한 이온을 피처리체에 인입하여 기초막을 에칭하는 에칭 공정과, 타겟을 플라즈마 스퍼터링하여 금속 이온을 생성하고, 그 금속 이온을 바이어스 전력에 의해 피처리체를 인입하여 금속막으로 이루어지는 본막을 퇴적하면서, 그 본막을 가열 리플로우시키는 성막 리플로우 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR101444527B1

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020120084458

申请日：2012-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  스즈키겐지 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/28

Abstract: SiCOH막으로 이루어지는 층간 절연막에 형성된 매립용의 오목부에 동재를 매설해서 도전로를 형성함에 있어서, 도전로의 저항을 낮게 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, SiCOH막에 플라즈마에 의해 오목부를 형성하면 표면이 소수성이 되며, 이 SiCOH막에 수소 가스의 리모트 플라즈마를 공급하고, H 래디컬 및 H 이온에 의해 오목부의 표면을 친수성으로 개질한다. 또, 플라즈마 대신에 과산화수소수를 공급해도 좋고, 이 경우, 표면에 OH기가 형성된다. 이어서, 예를 들면, Ru
3 (CO)
12 가스와 CO 가스를 이용하여 CVD에 의해 Ru막(4)을 성막하고, 그 후, 동재(5)를 매립하며, CMP 처리를 하여 상층측의 배선 구조를 형성한다. 또, 개질에 있어서, 글라임, DMEDA 등을 이용해도 좋다.

Abstract translation: 作为根据埋在形成在SiCOH膜形成的导电路径的形成的层间绝缘膜的嵌入的凹部的东斋，提供了一种制造半导体器件，以降低所述导电路径的电阻的方法。 在半导体装置的制造方法中，通过在SiCOH膜表面上的等离子形成的凹部是疏水的，至SiCOH膜和供给氢气的远程等离子体，H自由基和亲水性以通过H +离子的凹部表面 它被修改。 此外，过氧化氢也可以代替等离子体的供电，在这种情况下，在表面上形成的OH基团。 然后，例如，Ru

公开(公告)号：KR1020140020203A

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：KR1020130093526

申请日：2013-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고미아츠시 ,  스즈키겐지 ,  하타노다츠오 ,  도시마히로유키 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02104 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention provides a method for forming Cu wiring capable of obtaining the Cu wiring having electromigration tolerance without generating void and without complex processes or the increase of leakage current between wiring. The present invention comprises the process of forming a barrier film at the front surface of a wafer W having a trench; the process of forming a Ru film on the barrier film; the process of embedding the Cu film at the trench by forming the Cu film with PVD on the Ru film; the process of forming an additional layer on the Cu layer; the process of forming the Cu wiring on the trench by polishing the front surface with CMP; the process of forming a metal cap composed with a manganese oxide film at the front surface of the wafer W; and the process of forming a dielectric cap on the metal cap.

Abstract translation: 本发明提供一种形成Cu布线的方法，其能够获得具有电迁移公差的Cu布线，而不会产生空隙并且没有复杂的工艺或布线之间的漏电流的增加。 本发明包括在具有沟槽的晶片W的前表面形成阻挡膜的工艺; 在阻挡膜上形成Ru膜的过程; 通过在Ru膜上形成具有PVD的Cu膜将Cu膜嵌入沟槽的过程; 在Cu层上形成附加层的工艺; 通过用CMP抛光前表面在沟槽上形成Cu布线的过程; 在晶片W的前表面形成由氧化锰膜构成的金属盖的工序; 以及在金属盖上形成电介质盖的工艺。

公开(公告)号：KR101359070B1

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：KR1020117020855

申请日：2010-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  다가사토시 ,  야스무로치아키

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109

Abstract: 본 발명은 진공 배기가 가능하게 된 처리 용기내에서, 유기 금속 화합물의 원료로 이루어지는 원료 가스를 이용하여, 피처리체의 표면에 박막을 형성하기 위해 해당 피처리체를 탑재하는 탑재대 구조에 관한 것이다. 본 발명에 의한 탑재대 구조는 피처리체를 탑재하고, 내부에 가열 히터가 마련된 탑재대 본체와, 상기 탑재대 본체의 측면과 저면을 둘러싼 상태에서 상기 탑재대 본체를 지지하고, 내부에 냉매를 흘리는 냉매 통로가 마련되고, 원료 가스의 분해 온도 미만이고 또한 원료 가스의 고화 온도 또는 액화 온도보다 높은 온도 범위로 유지된 기대를 구비한 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101357531B1

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：KR1020120008241

申请日：2012-01-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자까다다히로 ,  고미아쯔시 ,  가또오다까라 ,  요꼬야마오사무 ,  사꾸마다까시 ,  야스무로지아끼 ,  도시마히로유끼 ,  하따노다쯔오 ,  미즈사와야스시 ,  하라마사미찌 ,  스즈끼겐지

IPC: H01L21/28

Abstract: 웨이퍼(W)에 형성된 트렌치(203)를 갖는 층간 절연막(202)에 있어서, 트렌치(203)의 표면에 배리어막(204)을 형성하는 공정과, 배리어막(204) 상에 Ru막(205)을 형성하는 공정과, Ru막(205) 상에 가열하면서, PVD에 의해 Cu가 마이그레이션하도록 Cu막(206)을 형성하여 트렌치(203)를 메우는 공정을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020140004007A

公开(公告)日：2014-01-10

申请号：KR1020130073251

申请日：2013-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토카오루 ,  미즈사와야스시 ,  하라마사미치

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/16 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/511 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/16 ,  H01L21/205

Abstract: When supplying a gas phase raw material, which sublimates a precursor of a raw material, to a process chamber for performing film forming treatment on an object to be treated, a method prepared by the present invention efficiently sublimates the precursor inside a raw material container. Trays (41), which accommodate the precursor (50), in multiple layers are accumulated on top of each other inside a housing (24) having an opening (30) that communicates with the process chamber (2). Each tray (41) comprises: an inlet (a hole) (45) which introduces carrier gas into the tray (41); an outlet (a gap) (28) which communicates with the opening (30) as the carrier gas leaks along with the gas phase raw material of the precursor (50); and a cover (46) which can be opened and closed and holds the precursor (50) inside the tray (41).

Abstract translation: 当将将原料前体升华的气相原料供给到用于对待处理物体进行成膜处理的处理室时，本发明制备的方法有效地使原料容器内的前体升华。 容纳前体（50）的多个托盘（41）在具有与处理室（2）连通的开口（30）的壳体（24）内彼此堆积。 每个托盘（41）包括：将载气引入托盘（41）中的入口（孔）（45）; 当载气与前体（50）的气相原料一起泄漏时，与开口（30）连通的出口（间隙）（28）; 以及可以打开和关闭并将前体（50）保持在托盘（41）内部的盖（46）。

公开(公告)号：KR101291821B1

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：KR1020117021177

申请日：2010-02-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토다카라 ,  미즈사와야스시 ,  하타노다츠오 ,  고미아츠시 ,  야스무로치아키 ,  요코야마오사무

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 유기 금속 화합물을 포함하는 성막 원료를 이용하여 CVD에 의해 기판 상에 Ru막을 성막하는 공정과, 상기 Ru막이 성막된 기판에 대해, 수소함유 분위기에서의 아닐을 실시하는 공정에 의해 CVD－Ru막을 형성한다.

公开(公告)号：KR101281863B1

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：KR1020060124784

申请日：2006-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리이쳉 ,  이시자카다다히로 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  하라마사미치 ,  후지사토도시아코 ,  파게쟈끄 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/02

Abstract: 기판상에서의 기상 증착을 위한 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 시스템은 기판을 전달 공간으로부터 진공 격리된 공정 공간 내에 배치하고, 전달 공간으로부터의 진공 격리를 유지하면서 공정 공간 내의 제1 위치 또는 제2 위치에서 상기 기판을 처리하고, 상기 제1 위치 또는 제2 위치에서 상기 기판상에 재료를 증착한다. 따라서 기상 증착 시스템은 재료 증착을 실행하도록 구성된 공정 공간을 구비하는 제1 어셈블리, 제1 어셈블리에 결합되어, 기판을 상기 증착 시스템의 내외로 운반하도록 되어 있는 전달 공간을 구비하는 제2 어셈블리, 제2 어셈블리에 접속되며, 상기 기판을 지지하고 상기 공정 공간 내의 제1 위치로부터 상기 공정 공간 내의 제2 위치로 병진 이동시키도록 구성된 기판 스테이지를 포함한다. 이러한 시스템은 공정 공간 내에서 기판의 병진 이동 중에 공정 공간과 전달 공간 사이의 가스 유동을 억제하도록 구성된 시일을 갖는 실링 어셈블리를 포함한다.