公开(公告)号：KR101411171B1

公开(公告)日：2014-06-23

申请号：KR1020147002620

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140019880A

公开(公告)日：2014-02-17

申请号：KR1020147002620

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR101411085B1

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：KR1020147002619

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140019879A

公开(公告)日：2014-02-17

申请号：KR1020147002619

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

Abstract translation: 在等离子体处理装置中，上述平面天线构件，用于将来自在处理容器中的电磁波产生装置产生的电磁波，并在波导管供给电磁波的平面天线部件，被提供给平面天线部件上重叠，从波导供给的电磁波的波长 包括所述的纸的仪表板，并且如果仪表板和一个平面天线盖件，用于从上方覆盖一个构件来改变，如果仪表板是在同一时间由电介质的，平面天线部件和所述平面天线部件的覆盖部件之间的区域中的介电常数 在与上表面平行的平面上设置非均匀的等离子体处理装置。

公开(公告)号：KR1020120062923A

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020127011200

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.