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公开(公告)号：KR100887330B1
公开(公告)日：2009-03-06
申请号：KR1020057022905
申请日：2004-05-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 스가와라다쿠야 , 다다요시히데 , 나카무라겐지 , 오자키시게노리 , 나카니시도시오 , 사사키마사루 , 마츠야마세이지 , 하세베가즈히데 , 나카지마시게루 , 후지와라도모노리
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02112 , H01L21/0234 , H01L21/28176 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31658 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: MOSFET의 게이트 절연막이나 메모리 디바이스에서의 용량의 전극간 절연막에 포함되는 탄소, 아산화물(suboxide), 댕글링 본드(dangling bond) 등에 기인하는 특성 열화를 개선하여, 절연막의 특성을 향상시키는 방법을 제공한다.
절연막에 희가스를 포함하는 처리 가스에 근거하는 플라즈마 처리와 열어닐 처리를 조합한 개질 처리를 실시한다.-
公开(公告)号：KR1020070085038A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020067010790
申请日：2004-12-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02063 , H01J2237/335 , H01L21/02068 , H01L21/76814 , H01L21/76838
Abstract: A method of cleaning semiconductor substrate conductive layer surface which can remove a residual organic material and a natural oxide satisfactorily and does not adversely affect a k value without damaging the side-wall insulation film of a via hole. A semiconductor device, comprising insulation films (2, 3) formed on the surface of the conductive layer (1) of a semiconductor substrate and a via hole (4) formed in the insulation film (3) to partly expose the conductive layer (1), is carried into a reaction vessel, plasma including hydrogen is generated in the reaction vessel to clean the surface of the conductive layer (1) at the bottom of the via hole (4), a residual organic material (6) is decomposed and removed by ashing, and a copper oxide film (7) on the surface of the conductive layer (1) is reduced to Cu.
Abstract translation: 一种清洁半导体衬底导电层表面的方法，其可以令人满意地去除残留的有机材料和天然氧化物，并且不会对k值产生不利影响而不损坏通孔的侧壁绝缘膜。 一种半导体器件，包括形成在半导体衬底的导电层（1）的表面上的绝缘膜（2,3）和形成在绝缘膜（3）中的通孔（4），以部分地暴露导电层（1） ）携带到反应容器中，在反应容器中产生包含氢的等离子体，以清洁通孔（4）底部的导电层（1）的表面，残留的有机材料（6）被分解， 通过灰化除去，并且在导电层（1）的表面上的氧化铜膜（7）被还原为Cu。
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公开(公告)号：KR100619470B1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：KR1020047002874
申请日：2002-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/3105 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831
Abstract: A hole which is to be a part of an interconnection (wiring) hole (21) is formed penetrating through a second insulating layer (13) and a third insulating layer (14) made of porous silicon oxide film, by etching. Further, a second groove (23) is formed on the third insulating layer (14) using a second stopper film (20), by etching. Further, direct nitriding of a silicon oxide film applying an RLSA plasma processing deice is carried out on the side wall of the interconnection hole (21) and the second groove (23), and a barrier layer (25) made of SiN film is formed. Here, the second stopper film (20) and the bazrier layer (25) are formed by the same direct nitriding.
Abstract translation: 通过蚀刻，形成穿过由多孔氧化硅膜制成的第二绝缘层（13）和第三绝缘层（14）的将成为互连（布线）孔（21）的一部分的孔。 此外，利用第二阻挡膜（20）通过蚀刻在第三绝缘层（14）上形成第二凹槽（23）。 此外，在互连孔（21）和第二沟槽（23）的侧壁上进行应用RLSA等离子体处理设备的氧化硅膜的直接氮化，并且形成由SiN膜制成的阻挡层（25） 。 这里，第二阻挡膜（20）和阻挡层（25）通过相同的直接氮化形成。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020060009395A
公开(公告)日：2006-01-31
申请号：KR1020057025305
申请日：2002-01-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/402 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/0234 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31612 , H01L21/31658 , H01L21/31662 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: A method of producing an electronic device material such as an insulating layer excellent in electric characteristics and a high-quality MOS semiconductor provided with a semiconductor layer, the method comprising the step of carrying out a CVD treating on a substrate to be treated mainly containing single-crystal silicon to form an insulting film, and the step of exposing the substrate to be treated to plasma generated by irradiating a treating gas with a microwave via a flat antenna member (SPA) having a plurality of slots to modify the insulating film using this plasma.
Abstract translation: 一种制造电性特性优异的绝缘层的电子器件材料的制造方法以及具备半导体层的高品质的MOS半导体的制造方法，其特征在于，在主要含有单体的被处理基板上进行CVD处理 晶体硅以形成绝缘膜，以及通过经由具有多个槽的平坦天线构件（SPA）用微波照射处理气体而将待处理的基板暴露于等离子体的步骤，以使用该平坦天线构件 等离子体。
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公开(公告)号：KR1020050104411A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：KR1020057015979
申请日：2004-02-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02046 , H01L21/3065 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/31654 , H01L21/3185
Abstract: A substrate processing method is disclosed which comprises a first step wherein the surface of a silicon substrate is exposed to a mixed gas plasma of an inert gas and hydrogen, and a following second step wherein the surface of the silicon substrate is subjected to oxidation, nitridation, or oxynitridation which is performed by plasma processing. Organic material remaining on the substrate surface is removed therefrom during the first step.
Abstract translation: 公开了一种衬底处理方法，其包括第一步骤，其中将硅衬底的表面暴露于惰性气体和氢气的混合气体等离子体，以及随后的第二步骤，其中硅衬底的表面经受氧化，氮化 ，或通过等离子体处理进行的氧氮化。 在第一步骤中，从基板表面残留的有机材料被去除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040031013A
公开(公告)日：2004-04-09
申请号：KR1020047002874
申请日：2002-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/3105 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831
Abstract: 에칭에 의해, 다공질 실리콘 산화막으로 이루어지는 제 2 절연층(13) 및 제 3 절연층(14)을 관통하여, 접속 구멍(21)의 일부로 되는 구멍을 형성한다. 또한, 제 2 스토퍼막(20)을 이용하여, 제 3 절연층(14)에, 제 2 홈(23)을 에칭에 의해 형성한다. 또한, 접속 구멍(21) 및 제 2 홈(23)의 측벽에, RLSA형의 플라즈마 처리장치를 이용한 실리콘 산화막의 직접 질화를 실시하여, SiN막으로 이루어지는 배리어층(25)을 형성한다. 여기서, 제 2 스토퍼막(20)도 배리어층(25)과 동일한 직접 질화에 의해 형성되어 있다.
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公开(公告)号：KR100956467B1
公开(公告)日：2010-05-07
申请号：KR1020087019543
申请日：2005-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L21/205
CPC classification number: C23C8/36 , H01J37/32192 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L29/518
Abstract: 본 발명에 있어서는, 산화막 형성 후의 기판에 대해서, 마이크로파에 의해서 발생시킨 플라즈마에 의해 질화 처리하여 산질화막을 형성할 때, 마이크로파의 공급을 단속적으로 행한다. 단속적으로 마이크로파를 공급함으로써, 전자 온도의 저하에 따른 이온 충격이 저하하고, 또한 산화막에 있어서의 질화물 시드의 확산 속도가 저하하며, 그 결과 산질화막의 기판측 계면에 질소가 집중하여 그 농도가 높게 되는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라, 산질화막의 막질을 향상시켜 리크 전류의 저하, 동작 속도의 향상, 및 NBTI 내성의 향상을 도모하는 것이 가능하다.
Abstract translation: 在本发明中，在通过氮化处理形成氧氮化物膜时，通过该等离子体的氧化膜形成，由微波产生后的基板，并进行微波的在间歇供给。 通过提供在间歇的微波，根据电子温度还原降解离子冲击，并进一步降低在氧化膜的氮化物种子的扩散速率，并且在所得到的氧氮化物层的高的基板侧界面的氮浓度是浓度 可以压制。 因此，可以改善氮氧化物膜的膜质量，由此减小泄漏电流，提高操作速度并改善NBTI电阻。
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公开(公告)号：KR100883696B1
公开(公告)日：2009-02-13
申请号：KR1020077002279
申请日：2003-11-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝
-3 )∼1e+9(개·㎝
-3 )로 되도록 제어된다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 및 질화막의 열화가 효과적으로 억제된다.-
公开(公告)号：KR1020070088468A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020077002546
申请日：2005-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L29/513
Abstract: [PROBLEMS] To provide a semiconductor storage device having excellent electrical characteristics (writing/erasing characteristics) by excellent nitrogen concentration profile of a gate insulating film and to provide a method for manufacturing such device. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] In a semiconductor device manufacturing method relating to a first embodiment of this invention, a method for manufacturing a semiconductor storage device which operates by transferring charges through a gate insulating film formed between a semiconductor substrate and a gate electrode includes a process of introducing oxynitriding species previously diluted by using a gas for plasma excitation into a plasma processing apparatus, generating the oxynitriding species by plasma, and forming an oxynitride film on the semiconductor substrate as the gate insulating film. The oxynitriding species contain an NO gas of 0.00001-0.01% to the total gas quantity introduced into the plasma processing apparatus.
Abstract translation: [问题]提供一种具有优异的电特性（写入/擦除特性）的半导体存储器件，通过优异的栅绝缘膜的氮浓度分布，并提供制造这种器件的方法。 解决问题的手段在本发明的第一实施方式的半导体装置的制造方法中，通过在半导体基板和栅极电极之间形成的栅极绝缘膜转移电荷进行操作的半导体存储装置的制造方法包括： 将先前用等离子体激发气体稀释的氮氧化物质引入等离子体处理装置，通过等离子体生成氧氮化物质，在半导体衬底上形成氧氮化物膜作为栅极绝缘膜的工序。 氮氧化物质相对于引入等离子体处理装置的总气体量含有0.00001-0.01％的NO气体。
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