公开(公告)号：KR101856786B1

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：KR1020120021863

申请日：2012-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시신지 ,  이와오후미꼬

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/67748

Abstract: 본발명의과제는, 패턴마스크의거칠기를개선하기위해처리를행하는방법에있어서, 패턴마스크의용해를방지하는동시에, 기판의면내에서당해패턴마스크의표면을균일하게평활화시키는것이다. 패턴마스크가형성된기판을처리용기내의스테이지에적재하는공정과, 상기패턴마스크를팽윤시키기위해상기기판의중앙부에용제가스를공급하면서기판의주위로부터배기하는스텝과, 이어서당해기판의중앙부에, 용제를건조시키기위한건조용가스를공급하면서기판의주위로부터배기하는스텝을복수회 반복하는공정을행한다. 용제가스가기판상을흐르는방향과, 건조용가스가기판상을흐르는방향이서로일치함으로써기판의면내에서용제가많이공급되는개소가건조용가스에의해빠르게건조되어, 용제가스의공급과건조용가스의공급을반복함으로써, 패턴마스크내부로의용제의침투를억제할수 있다.

公开(公告)号：KR101403832B1

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：KR1020127026104

申请日：2011-05-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미꼬

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 기판(11)에 레지스트층(13)을 형성하는 공정과, 레지스트층에 대해 노광, 현상을 행하여, 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 레지스트 패턴을 가늘게 하는 슬리밍 공정과, 가늘게 한 레지스트 패턴의 측벽부에 마스크재층을 형성하는 공정과, 가늘게 한 레지스트 패턴을 제거하는 공정을 구비한 반도체 장치의 제조 방법이며, 슬리밍 공정은, 기판에 팽창제(14)를 도포하는 도포 공정(c)과, 팽창제를 팽창시키는 공정(d)과, 팽창시킨 팽창제를 제거하는 공정(f)을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020120121926A

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：KR1020127026104

申请日：2011-05-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와오후미꼬

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/0274

Abstract: 기판(11)에 레지스트층(13)을 형성하는 공정과, 레지스트층에 대해 노광, 현상을 행하여, 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 레지스트 패턴을 가늘게 하는 슬리밍 공정과, 가늘게 한 레지스트 패턴의 측벽부에 마스크재층을 형성하는 공정과, 가늘게 한 레지스트 패턴을 제거하는 공정을 구비한 반도체 장치의 제조 방법이며, 슬리밍 공정은, 기판에 팽창제(14)를 도포하는 도포 공정(c)과, 팽창제를 팽창시키는 공정(d)과, 팽창시킨 팽창제를 제거하는 공정(f)을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020120100808A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020120021863

申请日：2012-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시신지 ,  이와오후미꼬

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/67748 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0273

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a storage medium are provided to prevent a solvent from being penetrated inside a mask by repetitively supplying solvent gas and drying gas. CONSTITUTION: A processing container(2) comprises a container main body(21) and a cover(41). A stage(24) which horizontally loads a wafer(W) is installed on a bottom wall portion(23) of the container main body. The cover is formed to be lifted and dropped with a lifting mechanism(11). A down end portion of a gas supply pipe(45) is connected to the top of the cover. A concave portion(51) is formed in a bottom portion of a sidewall(42) of the cover. [Reference numerals] (10) Control portion

Abstract translation: 目的：提供基板处理方法，基板处理装置和存储介质，以通过重复供给溶剂气体和干燥气体来防止溶剂渗透到掩模内。 构成：处理容器（2）包括容器主体（21）和盖（41）。 水平装载晶片（W）的台架（24）安装在容器主体的底壁部分（23）上。 盖子被形成为用提升机构（11）抬起和下落。 气体供给管（45）的下端部连接到盖的顶部。 在盖的侧壁（42）的底部形成有凹部（51）。 （附图标记）（10）控制部