기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

    公开(公告)号:KR101865971B1

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:KR1020120154323

    申请日:2012-12-27

    Abstract: 본발명은, 기판에형성된패턴마스크의표면을평활화시키는기판처리장치에있어서, 처리용기로부터의용제의외부로의누설을방지하는동시에스루풋의저하를방지하는것을목적으로한다. 처리공간에있어서처리용기의외부와의사이에서기판을반송하기위한반송영역과, 상기반송영역에인접하는인접영역을각각의분위기가차단되도록구획하는상태와, 상기각각의분위기가개방되는상태를서로전환하는구획기구와, 각영역이개방된상태의처리공간에용제분위기를공급하여, 상기처리용적재부에적재된기판의패턴마스크를팽윤시키는용제분위기공급부와, 각영역이구획된상태에서상기반송영역에개폐하는기판반송구와, 상기구획상태에서상기반송영역의용제분위기를배기하여제거하는배기구를구비하도록기판처리장치를구성한다. 그것에의하여, 배기하는용적을저감시켜, 기판의반출입을빠르게행한다.

    자외선 조사 장치 및 기판 처리 방법
    2.
    发明公开
    자외선 조사 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
    紫外线辐射装置和基板处理方法

    公开(公告)号:KR1020150016887A

    公开(公告)日:2015-02-13

    申请号:KR1020140078855

    申请日:2014-06-26

    CPC classification number: H01L21/0275

    Abstract: 본 발명의 과제는 기판 면 내에 자외선을 균일하게 조사하는 것이다.
    자외선 조사 장치(40)는 웨이퍼 보유 지지 기구(101)와, 자외선을 조사하는 광원(102)을 구비하여, 웨이퍼 보유 지지 기구(101)가 통과하는 반송구(110, 111)가 형성된 자외선 조사실(103)과, 자외선 조사실(103) 내를 배기하여 감압하는 배기 기구(120)와, 웨이퍼 보유 지지 기구(101)를 대기시키는 조사 전 대기부(106)와, 자외선 조사실(103)을 사이에 두고 조사 전 대기부(106)의 반대측에 설치된 조사 후 후퇴부(107)와, 웨이퍼 보유 지지 기구(101)를 이동시키는 보유 지지부 반송 기구(105)를 갖고 있다. 광원(102)은 웨이퍼 보유 지지 기구(101)가 이동하는 방향과 직교하는 방향으로 연신하여 배치된, 장척 형상의 램프이고, 자외선 조사실(103)의, 램프가 연신되는 방향과 직교하는 방향의 폭은 웨이퍼(W)의 직경보다 작다.

    Abstract translation: 本发明的目的是向衬底表面发射均匀的紫外线。 紫外线照射装置(40)具有晶片保持单元(101),具有发出紫外线的光源(102)的紫外线照射室(103)和转印单元(110,111),所述晶片保持单元 单元通路(101),将紫外线照射室(103)内的气体排出并对其进行减压的排气单元(120),使晶片保持单元(101)等待的前照射等待部(106) 以及安装在穿过紫外线照射室(103)的照射前等待部(106)的相对侧的照射后退部(107)和移动晶片保持单元(101)的保持单元转移单元(105) 。 光源(102)是在与晶片保持单元(101)移动的方向垂直的方向上延伸的量棒状灯。 在与灯的延伸方向垂直的方向上的紫外线照射室(103)的宽度比晶片(W)的直径窄。

    기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
    3.
    发明公开
    기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 审中-实审
    基板加工设备,基板加工方法和储存介质

    公开(公告)号:KR1020130076751A

    公开(公告)日:2013-07-08

    申请号:KR1020120154323

    申请日:2012-12-27

    CPC classification number: H01L21/302 G03F7/40 H01L21/0273 H01L21/67706

    Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium are provided to improve throughput by reducing the volume of a space for exhausting solvent atmosphere. CONSTITUTION: A solvent atmosphere supplying part supplies solvent atmosphere to an open processing space. The solvent atmosphere supplying part expands the pattern mask of a substrate loaded on a processing loading part. A drying device dries the swollen pattern mask. A substrate transfer device (13) is formed on a processing container (11). An exhaust hole (17) exhausts and removes the solvent atmosphere of a transfer region. [Reference numerals] (11) Processing container; (13) Substrate transfer device; (33) Solvent; (51) Exhaust region forming part; (52) Box forming part; (60) Control part

    Abstract translation: 目的:提供基板处理装置,基板处理方法和存储介质,以通过减小用于排出溶剂气氛的空间的体积来提高生产量。 构成:溶剂气体供应部分为开放处理空间提供溶剂气氛。 溶剂气体供给部扩大加载在加工装载部上的基板的图案掩模。 干燥装置干燥肿胀图案面罩。 在处理容器(11)上形成有基板转印装置(13)。 排气孔(17)排出并除去转印区域的溶剂气氛。 (附图标记)(11)加工容器; (13)基板转印装置; (33)溶剂; (51)排气区域形成部; (52)箱形成部分; (60)控制部

    레지스트 처리 장치, 레지스트 도포 현상 장치, 및 레지스트 처리 방법
    4.
    发明公开
    레지스트 처리 장치, 레지스트 도포 현상 장치, 및 레지스트 처리 방법 有权
    电阻加工设备,电阻应用/开发设备和电阻加工方法

    公开(公告)号:KR1020110038613A

    公开(公告)日:2011-04-14

    申请号:KR1020107025187

    申请日:2009-06-10

    CPC classification number: G03F7/26 G03F7/168 H01L21/0275

    Abstract: 본 발명은 기판에 형성된 레지스트막에 대해 처리하는 레지스트 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 레지스트 처리 장치는, 내부를 진공으로 유지할 수 있는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 설치되고, 레지스트막이 형성된 기판이 배치되는 배치대와, 화학적으로 비활성인 제1 가스 및 제2 가스를 함유하는 혼합 가스를 미리 정해진 유량으로 상기 배치대를 향해 분출시키는 가스 공급부와, 상기 가스 공급부로부터 상기 미리 정해진 유량으로 분출되는 상기 혼합 가스가 상기 처리 용기 내에서 분자선이 될 수 있는 진공도로 상기 처리 용기를 배기시킬 수 있는 배기부를 포함한다.

    박막제거장치 및 박막제거방법
    5.
    发明授权
    박막제거장치 및 박막제거방법 有权
    薄膜去除装置和薄膜去除方法

    公开(公告)号:KR100954895B1

    公开(公告)日:2010-04-27

    申请号:KR1020040029410

    申请日:2004-04-28

    Abstract: 각형(角形)기판의 각부(角部)에서의 박막제거면의 직진성을 얻을 수 있고, 또한 미스트의 발생을 억제하는 박막제거장치 및 박막제거방법을 제공한다.
    얹어놓음대(22)에 놓여지는 기판(M)의 둘레가장자리부에 근접하여, 기판표면과 대략 동일평면의 평탄보조부(23)를 가진 보조스테이지(20)를 배열설치하고, 이동기구(40)의 구동에 의해서 제거 노즐(30)을, 기판(M)의 둘레가장자리부 및 이에 근접하는 보조스테이지(20)를 따라 이동시키면서 기판(M)의 둘레가장자리부를 향해 용제를 분사하는 동시에, 용해물을 흡인함으로써, 용제의 공급과 흡인상태를 바꾸지 않고 기판(M)의 변부(邊部)에서 각부(角部)에 걸쳐 제거 노즐(30)로부터 용제를 균일하게 공급하는 동시에, 용해물을 흡인한다. 이에 따라, 기판 (M)의 각부에서의 박막제거면의 직진성을 얻을 수 있는 동시에, 미스트의 발생을 억제할 수가 있다.

    박막제거장치 및 박막제거방법
    6.
    发明公开
    박막제거장치 및 박막제거방법 有权
    用于消除薄膜以获得薄膜直径的装置和方法,在衬底的基底部分去除表面和控制母体的产生

    公开(公告)号:KR1020040098526A

    公开(公告)日:2004-11-20

    申请号:KR1020040029410

    申请日:2004-04-28

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for eliminating a thin film is provided to obtain straightness of a thin film removing surface at an angled part of a substrate and control generation of mist by uniformly supplying a solvent from a thin film eliminating unit to an angled part and an edge part of a substrate without varying the supply and absorption states of the solvent while absorbing a melted material. CONSTITUTION: A substrate(M) is placed on a placement unit(22). A sub stage(20) is disposed in a position adjacent to the edge part of the substrate placed on the placement unit while the sub stage has a flat sub part(23) of almost the same plane as the surface of the substrate. A thin film removing unit injects a solvent toward the edge of the substrate placed on the placement unit while absorbing a melted material. A transfer unit(40) transfers the thin film removing unit along the edge of the substrate and the sub stage adjacent to the edge of the substrate.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于消除薄膜的装置,以在基板的倾斜部分处获得薄膜去除表面的平直度,并且通过从薄膜消除单元均匀地将溶剂供应到成角度的部分和边缘来控制雾气的产生 在不改变溶剂的供应和吸收状态的同时吸收熔融材料的基板的一部分。 构成:将衬底(M)放置在放置单元(22)上。 副台(20)设置在与放置单元的基板的边缘部分相邻的位置,而副台具有与基板的表面几乎相同的平面的子部分(23)。 薄膜去除单元在吸收熔融材料的同时将溶剂注入放置在放置单元上的基板的边缘。 传送单元(40)沿着基板的边缘和与基板的边缘相邻的副台传送薄膜去除单元。

    인터페이스 장치
    7.
    发明授权
    인터페이스 장치 有权
    界面装置

    公开(公告)号:KR101464030B1

    公开(公告)日:2014-11-20

    申请号:KR1020117008849

    申请日:2009-09-29

    Abstract: 본 발명의 과제는 EUV 노광 장치 내의 오염을 저감시키는 동시에, 처리량의 향상을 가능하게 하는, 레지스트 도포 현상 장치와 EUV 노광 장치 사이에 적합한 인터페이스 장치 및 기판 반송 방법을 제공하는 것이다. 인터페이스 장치(30)는 개폐 가능한 제1 반송구(1V3)를 통해 노광 장치와의 사이에서 기판을 전달하는 감압 가능한 제1 반송실(1b), 제2 반송구(4V1)를 통해 제1 반송실(1b)과의 사이에서 기판을 전달하고, 제3 반송구(4V13)를 통해 도포 현상 장치(20)와의 사이에서 기판을 전달하는 복수의 로드 로크실(4a 내지 4d), 제4 반송구(1V1)를 통해 제1 반송실(1b)과의 사이에서 기판을 전달하고, 제2 반송실(1a), 제2 반송실(1a)과 연통하는 제5 반송구를 통해 기판을 전달하고, 기판을 가열하는 복수의 가열 모듈(2a 내지 2c), 제2 반송실(1a)과 연통하는 제6 반송구를 통해 기판을 전달하고, 기판을 냉각하는 복수의 냉각 모듈(3a 내지 3c)을 포함한다.

    기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
    8.
    发明公开
    기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 审中-实审
    基板加工方法,基板加工设备和储存介质

    公开(公告)号:KR1020120100808A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:KR1020120021863

    申请日:2012-03-02

    CPC classification number: H01L21/67103 H01L21/67748 C23C16/52 H01L21/0273

    Abstract: PURPOSE: A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a storage medium are provided to prevent a solvent from being penetrated inside a mask by repetitively supplying solvent gas and drying gas. CONSTITUTION: A processing container(2) comprises a container main body(21) and a cover(41). A stage(24) which horizontally loads a wafer(W) is installed on a bottom wall portion(23) of the container main body. The cover is formed to be lifted and dropped with a lifting mechanism(11). A down end portion of a gas supply pipe(45) is connected to the top of the cover. A concave portion(51) is formed in a bottom portion of a sidewall(42) of the cover. [Reference numerals] (10) Control portion

    Abstract translation: 目的:提供基板处理方法,基板处理装置和存储介质,以通过重复供给溶剂气体和干燥气体来防止溶剂渗透到掩模内。 构成:处理容器(2)包括容器主体(21)和盖(41)。 水平装载晶片(W)的台架(24)安装在容器主体的底壁部分(23)上。 盖子被形成为用提升机构(11)抬起和下落。 气体供给管(45)的下端部连接到盖的顶部。 在盖的侧壁(42)的底部形成有凹部(51)。 (附图标记)(10)控制部

    기판 처리 방법
    9.
    发明公开
    기판 처리 방법 无效
    基板处理方法

    公开(公告)号:KR1020120100801A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:KR1020120021800

    申请日:2012-03-02

    CPC classification number: H01L21/67748 H01L21/67103 G03F7/40

    Abstract: PURPOSE: A substrate processing method is provided to efficiently prevent melting of a pattern mask by providing solvent gas heated by temperature higher than the temperature of a substrate from a central portion of the substrate to a peripheral portion of the substrate. CONSTITUTION: A substrate(W) is loaded on a stage within a process container. The substrate is heated. The solvent gas is supplied to the central portion of the surface and is discharged from a peripheral portion of the substrate. A temperature gradient is formed in the substrate through the stage so that the temperature of the central portion of the substrate becomes higher than the temperature of the peripheral portion of the substrate. A molecule(70) is separated from a surface of a wafer and is discharged in gas group. [Reference numerals] (AA,CC) Low temperature; (BB) High temperature

    Abstract translation: 目的:提供一种基板处理方法,通过从基板的中心部分向基板的周边部分提供由比基板的温度高的温度加热的溶剂气体来有效地防止图案掩模的熔融。 构成:衬底(W)装载在处理容器内的台上。 衬底被加热。 溶剂气体被供给到表面的中心部分并从基板的周边部分排出。 在基板中通过台阶形成温度梯度,使得基板的中心部分的温度变得高于基板的周边部分的温度。 分子(70)从晶片的表面分离并以气体组排出。 (标号)(AA,CC)低温; (BB)高温

    기판의 처리장치 및 처리방법
    10.
    发明授权
    기판의 처리장치 및 처리방법 有权
    基板加工单元及加工方法

    公开(公告)号:KR100583134B1

    公开(公告)日:2006-05-24

    申请号:KR1020000067623

    申请日:2000-11-15

    CPC classification number: H01L21/6715

    Abstract: 본 발명은 챔버내에서 기판의 위쪽에 배치되는 정류판을 가지고 있다. 챔버내는 배기수단에 의해서 감압되어, 예를 들면 기판상의 도포액의 건조처리가 이루어진다. 정류판의 아랫면의 둘레가장자리부에는, 기판의 둘레가장자리부에 대응하여 고리형상의 돌출부가 형성되어 있다. 기판둘레가장자리부의 도포액이 튀어나온 부분은 감압시에 발생하는 기류에 의해서 완만하게 되어, 그 결과, 전체적으로 균일한 막두께의 도포막이 기판상에 형성된다.

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