公开(公告)号：KR100750420B1

公开(公告)日：2007-08-21

申请号：KR1020027002007

申请日：2000-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 존슨웨인엘 ,  스트랭에릭

IPC: C23C16/44

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32137 ,  H01L21/31116

Abstract: 리액터 챔버(2)내의 기판상에서 플라즈마 보조 처리를 실행하는 방법에 있어서, 적어도 하나의 처리 가스를 리액터 챔버내로 도입하는 단계와, 상기 챔버내에 RF 전자장을 설정하고 전자장을 상기 처리 가스와 상호작용하게 함으로써 상기 리액터 챔버내에 플라즈마를 형성하는 단계와, 각각의 에너지 레벨 값이 상기 기판의 각각의 상이한 처리 프로세스의 실행과 관련되도록, 전자장이 상기 플라즈마를 유지하기에 충분한 적어도 2개의 값 사이에서 주기적으로 변화시키는 에너지 레벨을 갖게 하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 一种在反应室（2）中在衬底上执行等离子体辅助处理的方法，包括：将至少一种处理气体引入反应室;在室内设置RF场并与处理气体 在反应室中形成等离子体;以及在至少两个足以维持等离子体的值之间周期性地改变能量水平，使得每个能级值与对衬底的相应不同处理工艺的执行相关联。 能量水平。

公开(公告)号：KR100687971B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020017008234

申请日：1999-12-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 존슨웨인엘

IPC: C23C16/00

Abstract: 큰 면적의 기판에서 플라즈마 보조 처리를 수행하기 위해 사용되는 큰 면적의 플라즈마원내의 플라즈마 영역(10)을 둘러싸는 챔버 하우징은, 플라즈마 영역(10)에 해당하는 공간(6)을 포위하는 실질적인 수직 연장 벽(4)을 구성하는 것으로서, 다수의 개구부(32)와, 상기 공간 둘레에 정전기 쉴드부를 형성하는 전도성 부재를 구비하는 하우징 부재(2)와; 주변 연부를 각각 갖고 있고 각 개구부(32)를 폐쇄하도록 배치되는 다수의 유전 부재(36)와; 상기 하우징 부재와 각각의 상기 유전 부재(36)의 주변 연부 사이에 밀봉 시일을 형성하는 밀봉 부재(40, 40', 42, 42')를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020020094039A

公开(公告)日：2002-12-16

申请号：KR1020027015111

申请日：2001-05-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스트랑에릭제이 ,  비비토마스에프에이 ,  존슨웨인엘

IPC: H01L21/00

Abstract: 반응챔버(16) 내에서 플라즈마(20, 120)을 지지할 수 있는 플라즈마 처리시스템 (6)에서 전극부품의 상대적인 두께를 조정하는 방법. 전극부품은 반응챔버 내에 배치되고, 적어도 하나의 희생보호플레이트(100)에 의해 정의될 수 있는 하부면을 가지는 적어도 하나의 전극을 포함한다. 전극은 반응챔버내에 수행되는 플라즈마 처리작업으로부터 기인하는 균일하지 않은 두께를 가진다. 상기 방법은 하부면에서 적어도 하나의 전극을 선택적으로 에칭하도록 설계된 플라즈마(120)를 형성하는 단계와, 상기 적어도 하나의 전극의 두께(T(X,Z))에서 비균일성을 감소시키기 위해 플라즈마의 도움으로 전극을 에칭하는 단계가 뒤따른다. 상기 전극의 두께는, 전극의 회복적인 플라즈마에칭중 뿐만 아니라 제조가공품의 처리중에 음향변환기 (210)을 사용하여 본래의 위치에서 측정될 수 있다.

公开(公告)号：KR100792302B1

公开(公告)日：2008-01-07

申请号：KR1020027000799

申请日：2000-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 버디엔죠셉티 ,  존슨웨인엘 ,  시르키스머레이디

IPC: H05H1/00

Abstract: 플라즈마 전자밀도(예를 들면, 10
10 cm
-3 에서 10
12 cm
-3 의 범위의)를 측정하고 플라즈마 발생기를 제어하기 위한 시스템. 플라즈마 밀도의 측정은, 증착과 식각과 같은 플라즈마 지원공정등에서 귀환제어(feedback control)의 한 부분으로써 사용된다. 플라즈마 측정방법과 시스템은 모두 플라즈마 전자밀도를 미리 설정된 값으로 유지하도록 플라즈마 발생기(240)를 제어하는 제어전압을 발생한다. 프로그램 가능한 주파수공급원은 연속적으로 플라즈마 처리장치 내에 위치한 개방형공진기의 수 많은 공진모드들을 여기한다. 공진모드들의 공진주파수들은 개방형공진기의 반사기들 사이의 공간 내의 플라즈마 전자밀도에 의존한다. 장치는 자동적으로 플라즈마의 도입으로 인한 개방형공진기의 임의로 선택된 공진모드의 공진주파수에서의 증가를 결정하고, 이전에 입력된 데이터와 측정된 주파수를 비교한다. 비교는 (1)전용회로 (2)디지털신호처리기 및 (3)특별하게 프로그램된 범용목적의 컴퓨터의 어느 하나에 의해서 이루어진다. 비교기는 원하는 플라즈마 전자밀도를 얻기위해 필요한 플라즈마 발생기의 전력출력을 수정하기 위해 사용되는 제어신호를 계산한다.

公开(公告)号：KR100722057B1

公开(公告)日：2007-05-25

申请号：KR1020027004111

申请日：2000-09-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 존슨웨인엘 ,  스트랑에릭제이

IPC: H05B3/06

Abstract: 플라즈마 처리 도중에 기판(예를 들면, 웨이퍼나 LCD패널)을 유지하는 기판 홀더에 관한 것이다. 상기 기판홀더는 적어도 하나의 기능을 각각 실행하는 처리요소의 적층이다. 상기 요소는 정전기적 척(102), He가스 분배시스템(122), 멀티존 가열플레이트(132), 멀티존 냉각시스템(152)을 포함한다. 각 요소는, 예를 들면 정규처리 도중에 기판의 열손실 특성에 기초하여 열을 인가함으로써, 처리시스템의 특성에 부합하도록 설계된다. 일체화된 설계에 의해, 이에 한정되는 것은 아니지만, 기판의 급속가열 및 급속냉각을 포함한 작동조건의 정밀한 제어가 가능하게 된다.

公开(公告)号：KR1020020036836A

公开(公告)日：2002-05-16

申请号：KR1020027000799

申请日：2000-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 버디엔죠셉티 ,  존슨웨인엘 ,  시르키스머레이디

IPC: H05H1/00

Abstract: 플라즈마 전자밀도(예를 들면, 10
10 cm
-3 에서 10
12 cm
-3 의 범위의)를 측정하고 플라즈마 발생기를 제어하기 위한 시스템. 플라즈마 밀도의 측정은, 증착과 식각과 같은 플라즈마 지원공정등에서 귀환제어(feedback control)의 한 부분으로써 사용된다. 플라즈마 측정방법과 시스템은 모두 플라즈마 전자밀도를 미리 설정된 값으로 유지하도록 플라즈마 발생기(240)를 제어하는 제어전압을 발생한다. 프로그램 가능한 주파수공급원은 연속적으로 플라즈마 처리장치 내에 위치한 개방형공진기의 수 많은 공진모드들을 여기한다. 공진모드들의 공진주파수들은 개방형공진기의 반사기들 사이의 공간 내의 플라즈마 전자밀도에 의존한다. 장치는 자동적으로 플라즈마의 도입으로 인한 개방형공진기의 임의로 선택된 공진모드의 공진주파수에서의 증가를 결정하고, 이전에 입력된 데이터와 측정된 주파수를 비교한다. 비교는 (1)전용회로 (2)디지털신호처리기 및 (3)특별하게 프로그램된 범용목적의 컴퓨터의 어느 하나에 의해서 이루어진다. 비교기는 원하는 플라즈마 전자밀도를 얻기위해 필요한 플라즈마 발생기의 전력출력을 수정하기 위해 사용되는 제어신호를 계산한다.

公开(公告)号：KR1020010053216A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020007014821

申请日：1999-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 댄들라파엘에이 ,  게스트가레스 ,  존슨웨인엘

IPC: F04B37/14

Abstract: 본 발명은 플라즈마 펌핑 셀이 제 1 영역과 제 2 영역 사이에 삽입되는 경우에 플라즈마를 함유한 제 1 영역으로부터 제 2 영역까지 이온을 펌핑하기 위한 플라즈마 펌핑 셀 및 방법에 관한 것으로, 상기 플라즈마 펌핑 셀은 상기 제 1 영역과 제 2 영역 사이에 위치가능하고, 도관(22)을 규정하는 관통 개구부를 구비하는 분할 부재(4)와, 상기 도관을 통해 연장되는 자기력의 라인을 제공하는 방법으로 상기 도관에 대해서 위치되는 다수의 자석(24)과, 상기 도관과 연통되는 자유 전자의 공급원과, 상기 도관(22)으로부터 상기 제 2 영역까지 이온을 가속하는 정전기 자계를 형성하도록 상기 도관에 대해서 위치된 전기 포텐셜 공급원(34)을 포함한다.

公开(公告)号：KR100712325B1

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：KR1020027000688

申请日：2000-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 버디엔죠셉티 ,  존슨웨인엘 ,  시르키스머레이디

IPC: G01R27/04

Abstract: 하나 이상의 플라즈마 밀도와 전자밀도(예를 들면, 10
10 내지 10
12 ㎝
-3 의 범위)를 측정하는 방법이다. 하나 이상의 플라즈마 밀도와 전자밀도의 측정에 의해, 증착(deposition)이나 에치와 같은 플라즈마원조 처리가 피드백 제어를 사용하여 제어되는 것이 가능하다. 측정방법 및 시스템 양자는 제어전압을 발생시키고, 이어서 플라즈마 발생기(205)가 하나 이상의 플라즈마 밀도와 전자밀도를 소정치로 유지하도록 제어한다.

公开(公告)号：KR1020050112136A

公开(公告)日：2005-11-29

申请号：KR1020057022084

申请日：1998-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 존슨웨인엘

IPC: B08B7/00

CPC classification number: H01L21/67109 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32862 ,  Y10S438/905

Abstract: A plasma processing system and method for producing a cleaner and more controlled environment for processing substrates such as semiconductor wafers. The plasma processing system includes a process chamber including an inner and an outer wall, a heating element thermally coupled to the inner wall of the process chamber, a bias shield, and an electrostatic shield. The processing system also includes an inductive coil surrounding the process chamber for coupling RF power to the gas inside the process chamber, thereby producing a plasma. RF power can also be applied to a wafer holder, such as an electrostatic chuck which can also be heated or cooled. The method of cleaning such a plasma processing system includes applying a bias voltage to the bias shield, heating the process chamber using the heater element, and cleaning the internal surfaces -- starting with the largest surface and progressing to the smallest surface.

Abstract translation: 一种用于生产用于处理诸如半导体晶片的衬底的更清洁和更受控制的环境的等离子体处理系统和方法。 等离子体处理系统包括处理室，其包括内壁和外壁，加热元件热耦合到处理室的内壁，偏置屏蔽和静电屏蔽。 处理系统还包括围绕处理室的感应线圈，用于将RF功率耦合到处理室内的气体，从而产生等离子体。 也可以将RF功率施加到晶片保持器，例如也可以被加热或冷却的静电卡盘。 清洁这种等离子体处理系统的方法包括将偏置电压施加到偏置屏蔽件，使用加热器元件加热处理室，以及清洁内表面 - 从最大表面开始并且前进到最小表面。

公开(公告)号：KR1020020040775A

公开(公告)日：2002-05-30

申请号：KR1020027002007

申请日：2000-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 존슨웨인엘 ,  스트랭에릭

IPC: C23C16/44

Abstract: 리액터 챔버(2)내의 기판상에서 플라즈마 보조 처리를 실행하는 방법에 있어서, 적어도 하나의 프로세스 가스를 리액터 챔버(2)내로 도입하는 단계와, 상기 챔버(2)내에 RF 전자기계를 설정하고 자계가 상기 프로세스 가스와 상호작용하게 함으로서 상기 리액터 챔버(2)내에 플라즈마를 형성하는 단계와, 상기 전자기계가 상기 플라즈마를 유지하기에 각기 충분한 적어도 2개의 값 사이를 주기적으로 변화시키는 에너지 레벨을 갖게 하는 단계로서, 상기 각 에너지 레벨 값은 상기 기판(8)상의 각기 상이한 처리 프로세스의 실행과 관련이 있는, 상기 단계를 포함한다.