Abstract:
A method for setting the temperature of a heat process plate is provided to set the temperature of a heat process plate properly or in a short interval of time by precisely estimating the process state of a substrate after the temperature setting of the heat process plate is varied. With respect to a substrate(W) having undergone a series of substrate processes including a heat process, the process state of the substrate is measured. From the measured process state of the substrate, a component improved by variation of a temperature correction value in each region of a heat process plate is subtracted to calculate the process state of the substrate after the temperature correction value of the heat process plate is varied. The improved component is obtained from a formula indicated by Za=-1xalphaxF(T) wherein Za is an improved component, alpha is a conversion coefficient of an in-plane temperature variation quantity and the process state of the substrate, F(T) is a function of a temperature correction value and the in-plane temperature variation quantity in each region of the heat process plate, and T is a temperature correction value in each region of the heat process plate. The series of substrate processes can be a process for forming a resist pattern on the substrate during a photolithography process.
Abstract:
가열 장치의 열판은 복수의 열판 영역으로 구획되어 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는 열판 면내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정값이 각각 설정될 수 있다. 포토리소그래피 공정이 종료된 기판 면내의 선폭이 측정되고, 그 측정 선폭의 면내 경향이 제르니케 다항식을 이용하여 복수의 면내 경향 성분으로 분해된다. 그 산출된 복수의 면내 경향 성분으로부터, 온도 보정값의 변경에 의해 개선 가능한 면내 경향 성분이 추출되고 이것들이 합쳐져 기판 면내의 측정 선폭의 개선 가능한 면내 경향이 산출된다. 개선 가능한 면내 경향의 크기가 미리 설정되어 있는 임계값을 초과한 경우에만, 열판의 각 열판 영역의 온도 보정값의 설정이 변경된다.
Abstract:
본 발명에 있어서, PEB 장치의 열판은 복수의 열판 영역으로 구획되어 있고, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판면 내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정값을 각각 설정할 수 있다. 포토리소그래피 공정이 종료된 기판 면내의 선폭이 측정되고, 그 기판 면내의 측정 선폭의 면내 경향(Z)으로부터, 온도 설정 변경에 의해 개선되는 개선 면내 경향(Za)을 차감함으로써, 온도 설정 변경 후의 기판 면내의 선폭의 면내 경향(Zb)이 산출된다. 개선 면내 경향(Za)은 다음 식을 이용하여 산출된다. Za = -1× α× MT(α: 레지스트 열감도, M: 산출 모델, T: 각 열판 영역의 온도 보정값)
Abstract:
A temperature setting method for a heat treating plate, a computer-readable recording medium for recording program, and a temperature setting device for the heat treating plate are provided to accurately estimate a process status of a substrate after temperature setting is changed. A treatment status in a substrate surface is measured with respect to a substrate on which a series of substrate processes including a thermal treatment are performed, and then improvement-possible tendency and improvement-impossible tendency in the substrate surface are calculated by changing a temperature compensation value of each region on a heat treating plate from tendency in the substrate surface of the measured treatment status(S2). An average residual tendency is added to the calculated improvement-impossible tendency in the substrate surface to estimate tendency in the substrate surface after changing the temperature compensation value(S3). The average residual tendency is calculated by a process for calculating the improvement-possible tendency in the substrate surface due to the changing of the temperature compensation value of each region of the heat treating plate, a process for computing a temperature compensation value of each region of the heat treating plate whose improvement-possible tendency approaches to zero based on the calculated improvement-possible tendency and a calculated computing model(S4), a process for changing a setting temperature of each region on the heat treating plate at the calculated temperature compensation value(S5), a process for calculating a residual tendency of the improvement-possible tendency in the substrate surface after changing the setting temperature(S6), and a process for repeating the residual tendency calculation to average the residual tendencies(S7).
Abstract:
본 발명에 있어서는 가열 장치의 열판은 복수의 열판 영역으로 구획되고, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있는 것을 목적으로 한다. 열판의 각 열판 영역에는 열판면 내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정값을 각각 설정할 수 있다. 포토리소그래피 공정이 종료된 기판면 내의 선폭이 측정되고, 그 측정 선폭의 면 내 경향으로부터, 제르니케 다항식을 이용하여, 온도 보정에 의해 개선 가능한 면 내 경향과 개선 불가능한 면 내 경향이 산출된다. 개선 불가능한 면 내 경향에 미리 구해져 있는 개선 후의 개선 가능한 면 내 경향의 평균 잔존 경향을 더하여 온도 설정 변경 후의 기판면 내의 선폭의 면 내 경향을 추정한다. 본 발명에 의하면, 온도 설정 변경 후의 기판의 선폭 상태를 정확히 추정하여, 열판의 온도 설정을 단시간으로 적정히 행할 수 있다.
Abstract:
A temperature setting method of a thermal processing plate, a computer-readable recording medium recording program thereon, and a temperature setting apparatus for thermal processing plate are provided to optimize a processing state of a final substrate by optimizing timing to change temperature setting of a thermal processing plate. A measurement process is performed to measure a processing state of a substrate(W) after a substrate treatment process including a thermal process. A calculation process is performed to calculate an improvable in-plane tendency from an in-plane tendency of the substrate of the measured processing state by changing a temperature correction value for each of regions of a thermal processing plate. A temperature correction value changing process is performed to change a temperature correction value for each of the regions of the thermal processing plate when a magnitude of the improvable in-plane tendency exceeds a threshold value set in advance.