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公开(公告)号：KR100780133B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020010041509
申请日：2001-07-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67161 , G01N21/9501 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/67778 , H01L21/67781 , Y10S414/136 , Y10S414/137 , Y10S414/141
Abstract: 카세트 스테이션, 도포 유닛과 현상 유닛을 구비하는 처리 스테이션, 막두께 검사장치와 결함 검사장치를 구비하는 검사 스테이션(S2)을 카세트 스테이션의 카세트의 배열방향과 거의 직교하는 방향으로 배치하고, 검사 스테이션이 카세트 스테이션과 처리 스테이션과의 사이에 설치되도록 배치한다. 이러한 구성에서는, 검사 스테이션을 처리 스테이션에 접속하고, 이들 스테이션 사이에서 웨이퍼의 반송은 자동으로 이루어지고 있기 때문에 기판의 처리에서부터 검사에 걸친 작업의 간편화와 시간의 단축을 도모할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100558508B1
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：KR1020000062559
申请日：2000-10-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67253 , G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/681
Abstract: 기판 처리시스템내에, 기판상으로 처리액을 도포하는 도포장치와, 회전이 자유롭고 또한 적어도 한방향으로 이동이 자유로운 재치대를 가지며, 상기 재치대상의 기판의 주변부에 대하여 조사부로부터 빛을 조사하여, 상기 기판상의 도포막을 노광하는 주변노광장치를 구비하고 있다. 상기 주변노광장치는, 상기 도포막의 막두께를 측정하는 센서부재를 구비한 막두께 측정수단을 갖는다. 시스템 외부에 별도의 막두께를 측정하는 장치를 설치할 필요가 없기 때문에, 막두께 측정시에 기판을 오염시키거나, 떨어뜨려서 파손시키는 일이 없다.
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公开(公告)号：KR1020020006469A
公开(公告)日：2002-01-19
申请号：KR1020010041509
申请日：2001-07-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67161 , G01N21/9501 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/67778 , H01L21/67781 , Y10S414/136 , Y10S414/137 , Y10S414/141
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to make simple and easy works from the substrate processing to the inspection and to shorten the time by connecting an inspecting station to a processing station. CONSTITUTION: A cassette station(S1), a process station(S3) having an applying station and a developing unit(41), and an inspecting station having a film thickness inspector(31A) and a defect inspector(32A) are arranged approximately right angles to a cassette(22) array in the cassette station(S1), with the inspecting station(S2) being disposed between the cassette and the process stations(S1,S3). In such a constitution the inspecting station is connected to the process station and wafers(W) are transferred automatically between these stations(S2,S3) and this enables facilitating simple and easy works from the substrate processing to the inspection and shorten the time.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，用于从基板处理到检查进行简单且容易的工作，并且通过将检查站连接到处理站来缩短时间。 构成：具有施加站和显影单元（41）的盒式站（S1），处理站（S3）以及具有膜厚度检查器（31A）和缺陷检查器（32A）的检查站大致正确地布置 与盒式车站（S1）中的盒（22）阵列的角度，检查站（S2）设置在盒和处理站（S1，S3）之间。 在这种结构中，检查站连接到处理站，晶片（W）在这些站之间自动转移（S2，S3），这使得能够简化和简单地从基板处理到检查的工作，缩短时间。
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公开(公告)号：KR1020010092282A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：KR1020010012839
申请日：2001-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to be capable of controlling the line width of a resist pattern with high precision. CONSTITUTION: A substrate processing method for forming a resist film on a wafer with a base film being formed, and performing an exposure processing and a developing processing for the resist film to thereby form a desired resist pattern, has a base reflected light analyzing step of radiating a light of the same wavelength as an exposure light radiated during the exposure processing to the base film and analyzing a reflected light, before forming the resist film, and a processing condition control step of controlling at least one of a resist film forming condition and an exposure processing condition, based on the analysis of the reflected light. The method makes it possible to control a line width of a resist pattern with high precision.
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法和基板处理装置，以能够高精度地控制抗蚀剂图案的线宽度。 构成：在形成基膜的晶片上形成抗蚀剂膜的基板处理方法，对抗蚀剂膜进行曝光处理和显影处理，从而形成所需的抗蚀剂图案，具有基底反射光分析步骤 在形成抗蚀剂膜之前，将与曝光处理期间的照射光相同的波长的光照射到基膜上，并分析反射光;以及处理条件控制步骤，控制抗蚀剂膜形成条件和 曝光处理条件，基于对反射光的分析。 该方法可以高精度地控制抗蚀剂图案的线宽。
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公开(公告)号：KR1019980070956A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019980002605
申请日：1998-01-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 반도체 웨이퍼나 LCD기판 등의 피처리기판의 표면에 바람직한 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트도포 현상방법 및 레지스트도포 현상장치에 관한 것으로, 레지스트도포 현상방법은 (a)기판에 형성할 레지스트도포막의 패턴선폭 및 막두께에 대한 각 설정 목표치 및 각각의 허용범위를 각각 설정하는 공정과, (b)기판의 표면에 포토레지스트액을 도포하는 레지스트 도포공정과, (c)기판에 형성된 포토레지스트도포막을 베이크하는 프리베이킹공정과, (d)베이크된 기판을 냉각하는 제 1 냉각공정과, (e)상기 포토레지스트 도포막을 패턴 노광하는 노광공정과, (f)패턴 노광된 레지스트 도포막에 형성된 잠상의 선폭을 측정하는 잠상선폭 측정공정과, (g)패턴 노광된 레지스트 도포막을 베이크하는 포스트베이킹공정과, (h)베이크된 기판을 냉각하는 제 2 냉각� �정과, (i)기판에 현상액을 뿌리고, 패턴 노광된 레지스트 도포막을 현상하는 현상공정과, (j)상기 잠상선폭 측정공정(f)에 있어서의 잠상선폭의 측정치가 상기 설정 목표치의 허용범위내에 있는지를 판정하는 공정과, (k)잠상선폭의 측정치가 상기 설정 목표치의 허용범위에서 벗어난다고 판정되었을 때에, 잠상선폭의 측정치와 상기 설정목표치와의 차를 구하고, 이 차에 따라서 상기 레지스트 도포공정(b)으로부터 현상공정(i)까지의 사이에 존재하는 각 처리조건의 보정량을 구하는 공정과, (l)구해진 보정량에 따라서 레지스트 도포공정(b), 노광공정(e), 포스트베이킹공정(g) 및 현상공정(i) 중에서 선택된 적어도 하나의 처리조건을 보정하는 공정을 구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101900771B1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：KR1020137017552
申请日：2011-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/67276 , H01L21/67742
Abstract: 본발명은처리블록에서기판에도포막을형성한후, 이기판을노광장치에전달하고, 노광후의기판에대하여처리블록에서현상처리를행하고, 그후 캐리어에전달하도록구성되며, 동일시간당기판의처리매수가노광장치보다도많은도포현상장치에있어서, 노광전의기판을일단임시적재하는임시적재부와, 기판의반송경로에서의, 기판이놓이는모듈에대하여메인터넌스를행하기위해서, 당해상류측의기판의반송을정지하는시간의길이를설정하기위한정지시간설정부와, 임시적재부에놓인기판의매수가정지시간의길이에따른, 처리블록에의한기판의처리매수에도달했는지여부를감시하고, 소정의처리매수에도달한후에임시적재부의상류측의기판의반송을정지하도록제어신호를출력하는제어부를구비하고있다.
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公开(公告)号：KR101676049B1
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020110075194
申请日：2011-07-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67126 , B05D5/12 , H01L21/6715 , H01L21/67225 , H01L21/6723
Abstract: 본발명은멀티모듈을구성하는모듈이사용불가모듈이되었을때에, 작업처리량의저하를억제하는것을과제로한다. 사용불가모듈이발생한이후에는, 복수의단위블록에있어서가장빠르게배치가능해진반입모듈에기판을지급하고, 상기복수의단위블록의각각에서는, 기판이반입모듈에지급된순서에따라, 반송수단에의해기판을모듈군에순차반송하여반출모듈에전달한다. 그리고, 기판이반입모듈에지급된순서에따라, 기판을반출모듈로부터추출하고, 후단모듈또는기판배치부에반송한다. 이후, 통상시에기판이반입모듈에지급되는일정한순서에따라, 반출모듈또는기판배치부로부터후단모듈에기판을반송한다.
Abstract translation: 在本发明中，当构成多模块的模块变为不可用模块时，有必要抑制工作吞吐量的降低。 在产生了不能使用的模块之后，将基板供给到能够配置在多个单元块中最快的位置的搬入模块，并且在多个单元块的每一个中，基板被搬送到搬入模块， 衬底被顺序地传送到模块组并被传送到取出模块。 然后，根据将基板供应到输入模块的顺序，将基板从输出模块中取出并传送到后端模块或基板放置部分。 之后，将基板从基板通常送入搬入模块的规定顺序从搬出模块或基板载置部搬送到后端模块。
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公开(公告)号：KR1020140002697A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：KR1020137017552
申请日：2011-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/67276 , H01L21/67742 , G03F7/26 , G03F7/30
Abstract: 본 발명은 처리 블록에서 기판에 도포막을 형성한 후, 이 기판을 노광 장치에 전달하고, 노광 후의 기판에 대하여 처리 블록에서 현상 처리를 행하고, 그 후 캐리어에 전달하도록 구성되며, 동일 시간당 기판의 처리 매수가 노광 장치보다도 많은 도포 현상 장치에 있어서, 노광 전의 기판을 일단 임시 적재하는 임시 적재부와, 기판의 반송 경로에서의, 기판이 놓이는 모듈에 대하여 메인터넌스를 행하기 위해서, 당해 상류측의 기판의 반송을 정지하는 시간의 길이를 설정하기 위한 정지 시간 설정부와, 임시 적재부에 놓인 기판의 매수가 정지 시간의 길이에 따른, 처리 블록에 의한 기판의 처리 매수에 도달했는지 여부를 감시하고, 소정의 처리 매수에 도달한 후에 임시 적재부의 상류측의 기판의 반송을 정지하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구� �하고 있다.
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公开(公告)号：KR101072330B1
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：KR1020087004066
申请日：2006-09-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 패턴형성장치(1)는레지스트액도포처리후의기판(W)을가열처리하는제1 가열처리와, 레지스트막을소정의패턴으로노광하는노광처리와, 노광후에레지스트막내의화학반응을촉진시키는제2 가열처리와, 노광된레지스트막을현상하는현상처리와, 현상처리후에형성된레지스트패턴을마스크로하여산화막을제거하는에칭처리를일련의처리로서실행하는것으로서, 에칭처리후에형성된패턴의상태를측정검사하는검사장치(400)와, 검사결과에기초하여에칭처리후의기판(W)의패턴의상태가기판면내에서균일하게되도록, 제1 가열처리와제2 가열처리중 어느하나이상에서의조건설정을행하는제어부(500)를구비한다.
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公开(公告)号：KR100451963B1
公开(公告)日：2004-10-08
申请号：KR1019990013969
申请日：1999-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 오가타구니에
IPC: G03F7/16
CPC classification number: G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/67253
Abstract: An apparatus includes a coating section for coating a substrate with a resist film and a first film thickness detecting section for detecting the thickness of the resist film coated on the substrate, and sets conditions for exposing the resist film and for developing the exposed resist film according to the detected thickness of the resist film. For example, after a resist film is coated, the thickness of the resist film is detected. Subsequently, from the result of the detection, feedforward control of treatment conditions in an exposure process or a developing process following a resist film coating process is performed. Therefore, the line width of a resist pattern can be precisely controlled.
Abstract translation: 一种设备包括用于用抗蚀剂膜涂覆基板的涂覆部和用于检测涂覆在基板上的抗蚀剂膜的厚度的第一膜厚度检测部，并且设置用于曝光抗蚀剂膜和用于显影曝光的抗蚀剂膜的条件 到检测到的抗蚀剂膜的厚度。 例如，在涂覆抗蚀剂膜之后，检测抗蚀剂膜的厚度。 随后，根据检测结果，执行抗蚀剂膜涂布工艺之后的曝光工艺或显影工艺中的处理条件的前馈控制。 因此，可以精确地控制抗蚀剂图案的线宽。
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