公开(公告)号：KR1020070107042A

公开(公告)日：2007-11-06

申请号：KR1020077018636

申请日：2006-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 지요유사카메그미 ,  도미타히로시 ,  다도코로마사히데

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/38 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67748 ,  H01L22/12

Abstract: A hot plate temperature is set so as to form the line width of a resist pattern uniformly in a wafer plane. The hot plate of a PEB device is divided into a plurality of hot plate regions, with temperature setting being possible for each hot plate region. A temperature correction value for regulating the in-plane temperature of a wafer to be mounted on the hot plate is set for each hot plate region of the hot plate. The temperature correction value of each hot plate region of the hot plate is calculated and set by a calculation model formulated from the correlation between the line width of a resist pattern formed by being heat treated on the hot plate and a temperature correction value. A calculation model M calculates such a temperature correction value that makes uniform a wafer-in-plane line width based on the line width measurement of a resist pattern.

Abstract translation: 设置热板温度以在晶片平面中均匀地形成抗蚀剂图案的线宽。 PEB装置的热板被分成多个热板区域，每个热板区域都可以进行温度设定。 对于热板的每个热板区域设定用于调节安装在热板上的晶片的面内温度的温度校正值。 通过由热板上热处理形成的抗蚀剂图案的线宽与温度校正值之间的相关性计算出的计算模型来计算和设定热板的每个热板区域的温度校正值。 计算模型M基于抗蚀剂图案的线宽测量来计算使基于平面的线间宽度均匀的温度校正值。

公开(公告)号：KR101068596B1

公开(公告)日：2011-09-30

申请号：KR1020077018636

申请日：2006-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 지요유사카메그미 ,  도미타히로시 ,  다도코로마사히데

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/38 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67748

Abstract: 레지스트 패턴의 선폭이 웨이퍼면 내에서 균일하게 형성되도록, 열판의 온도 설정을 한다. PEB 장치의 열판은 복수의 열판 영역에 분할되어 있고, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판에 적재되는 웨이퍼면 내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정치가 각각 설정된다. 이 열판의 각 열판 영역의 온도 보정치는 열판에 있어서 열처리되어 형성되는 레지스트 패턴의 선폭과 온도 보정치의 상관으로부터 작성된 산출 모델에 의해 산출되어 설정된다. 산출 모델(M)은 레지스트 패턴의 선폭 측정치에 기초하여, 웨이퍼면 내의 선폭이 균일하게 되는 것과 같은 온도 보정치를 산출한다.

公开(公告)号：KR101087932B1

公开(公告)日：2011-11-28

申请号：KR1020117015615

申请日：2006-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 지요유사카메그미 ,  도미타히로시 ,  다도코로마사히데

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/38 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67748

Abstract: 레지스트 패턴의 선폭이 웨이퍼면 내에서 균일하게 형성되도록, 열판의 온도 설정을 한다. PEB 장치의 열판은 복수의 열판 영역에 분할되어 있고, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판에 적재되는 웨이퍼면 내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정치가 각각 설정된다. 이 열판의 각 열판 영역의 온도 보정치는 열판에 있어서 열처리되어 형성되는 레지스트 패턴의 선폭과 온도 보정치의 상관으로부터 작성된 산출 모델에 의해 산출되어 설정된다. 산출 모델(M)은 레지스트 패턴의 선폭 측정치에 기초하여, 웨이퍼면 내의 선폭이 균일하게 되는 것과 같은 온도 보정치를 산출한다.

公开(公告)号：KR1020110094119A

公开(公告)日：2011-08-19

申请号：KR1020117015615

申请日：2006-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 지요유사카메그미 ,  도미타히로시 ,  다도코로마사히데

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/38 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/38 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/0274

Abstract: 레지스트 패턴의 선폭이 웨이퍼면 내에서 균일하게 형성되도록, 열판의 온도 설정을 한다. PEB 장치의 열판은 복수의 열판 영역에 분할되어 있고, 각 열판 영역마다 온도 설정할 수 있다. 열판의 각 열판 영역에는, 열판에 적재되는 웨이퍼면 내의 온도를 조정하기 위한 온도 보정치가 각각 설정된다. 이 열판의 각 열판 영역의 온도 보정치는 열판에 있어서 열처리되어 형성되는 레지스트 패턴의 선폭과 온도 보정치의 상관으로부터 작성된 산출 모델에 의해 산출되어 설정된다. 산출 모델(M)은 레지스트 패턴의 선폭 측정치에 기초하여, 웨이퍼면 내의 선폭이 균일하게 되는 것과 같은 온도 보정치를 산출한다.