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公开(公告)号：KR101678252B1
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：KR1020120128711
申请日：2012-11-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/683 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67023 , G05D3/00 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67259
Abstract: 본발명은기판의재질이나표면상태등의영향을받는일없이기판의유지상태의양부를정확하게판단할수 있는기판처리장치를제공하는것을과제로한다. 본발명에서는, 기판(2)을유지하는기판유지수단(22)과, 상기기판유지수단(22)에서상기기판(2)을정상적으로유지했을때에상기기판(2)의끝가장자리부가존재하는영역을촬영하는카메라(54)와, 상기카메라(54)로촬영된화상에기초하여상기기판유지수단(22)에의한상기기판(2)의유지상태를판단하는제어수단(26)을갖는것으로했다.
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2.发明公开기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 有权基板处理装置，基板处理方法以及具有用于执行记录的基板处理方法的程序的计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR1020120114146A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：KR1020120001901
申请日：2012-01-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G06T7/0004 , G01N21/9501 , G06T2207/30148 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and recording medium are provided to prevent substrate processing to be stopped when an error is generated and to reduce an installation area. CONSTITUTION: A rotation driving unit(34) rotates the center of a substrate holding unit. A transfer unit comprises a moving drive unit which horizontally transfers the substrate holding unit. A radiation unit radiates light to a peripheral exposure unit. The peripheral exposure unit performs a peripheral exposure process. A substrate inspection unit(70) performs a substrate inspection process based on an image which is recorded. A controller(80) controls the peripheral exposure unit and the substrate inspection unit.
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和记录介质，以防止在产生错误时停止基板处理并且减小安装面积。 构成：旋转驱动单元（34）使基板保持单元的中心旋转。 传送单元包括水平地传送基板保持单元的移动驱动单元。 辐射单元将光辐射到外围曝光单元。 外围曝光单元进行周边曝光处理。 基板检查单元（70）基于记录的图像进行基板检查处理。 控制器（80）控制外围曝光单元和基板检查单元。
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公开(公告)号：KR1020120049803A
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：KR1020110106852
申请日：2011-10-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66 , G01N21/956 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/67178 , H01L21/67276 , H01L21/67745 , H01L21/0274 , G01N2021/9563 , H01L22/30
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a program, a computer storage medium, and a substrate transfer method are provided to prevent mass production of inferior goods in wafer processing since a substrate is transferred by bypassing a specified processing unit having a defect. CONSTITUTION: A defect classification member(203) classifies a defect based on the test result of a defect test part. A memory member(202) memorizes a carrier route of a substrate by a substrate transfer apparatus when the substrate is processed by the processing unit. A specific defect process member(204) specifies the processing unit which causes the classified defect based on the memorized carrier route of the substrate and the kinds of the classified defect. The defect process specific member determines the abnormality of the specified processing unit.
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，程序，计算机存储介质和基板转印方法，以防止由于通过绕过具有缺陷的指定处理单元传送基板而在晶片处理中大量生产劣质商品。 构成：缺陷分类构件（203）基于缺陷测试部件的测试结果对缺陷进行分类。 当处理单元处理基板时，存储元件（202）通过基板传送装置存储基板的载体路径。 具体的缺陷处理部件（204）根据基板的存储载体路径和分类缺陷的种类，确定导致分类缺陷的处理部。 缺陷处理特定构件确定指定处理单元的异常。
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公开(公告)号：KR1020020035439A
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：KR1020010067417
申请日：2001-10-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: PURPOSE: To reduce labor necessary for setting or for re-setting or correcting the number of rotation of a substrate and improve throughput by automating the above works, when coating film is formed by using spin coating method. CONSTITUTION: In a coating unit, a plurality of recipes for a production line and recipes for measuring film thickness where the kind of coating liquid is identical but target film thickness is different are prepared. Among the recipes, recipes with the kind of coating liquid and the target film thickness corresponding to each other are linked by a common spin curve. A recipe for measuring film thickness is performed, and a correction value of the number of rotation is calculated for each film thickness measuring datum. Setting values for the number of rotation of the respective recipes can be corrected collectively, by using the correction value.
Abstract translation: 目的：通过使用旋涂法形成涂膜，减少设定或重新设定或校正基板旋转数量所需的劳动力，并通过自动化以上工作提高生产率。 构成：在涂布单元中，制备多个用于生产线的配方和用于测量涂层液体的种类相同但靶膜厚度不同的膜厚度的配方。 在配方中，具有涂布液的种类和彼此对应的目标膜厚度的配方通过共同的自旋曲线连接。 执行用于测量膜厚度的配方，并且对于每个膜厚测量基准计算旋转次数的校正值。 可以通过使用校正值来集中地校正各配方的旋转次数的设定值。
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公开(公告)号：KR101773806B1
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：KR1020100140228
申请日：2010-12-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/02057
Abstract: 실리콘층의노출부를포함하는패턴을플라즈마에칭에의해형성할때, 부생성물의제거와잔류불소의제거를패턴에손상을주지않고행할수 있는기판의클리닝방법및 기판의클리닝장치를제공한다. 기판상의패턴을플라즈마에칭에의해형성한후에, 기판의표면을클리닝하는기판의클리닝방법으로서, 기판을 HF 가스분위기에노출하여부생성물을제거하는부생성물제거공정과, 수소가스와, 탄소와수소를구성원소로서포함하는화합물의가스와, 희가스를포함하는클리닝가스를플라즈마화하여기판에작용시키고, 상기기판에잔류한불소를제거하는잔류불소제거공정을구비하고있다.
Abstract translation: 当通过包括硅层，以等离子体蚀刻的暴露部分上形成图案而形成，为副产物和残留的氟基板清洗方法和基板能够执行而不会对图案除去的损坏的去除提供的清洁装置。 通过在衬底的等离子体蚀刻的图案形成Hanhue，衬底的清洗方法来清洁衬底的表面，并暴露于HF气体气氛的底物和副产物除去步骤，以除去副产物，氢气，碳和氢 和含有作为构成元素的化合物的气体，以及含有该等离子体清洗气体的稀有气体和作用于底物，并且具有在所述基板上除去残留的氟的残留的氟去除过程。
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Patent Agency Ranking6.发明授权기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 기판 처리 프로그램 및 그 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 有权基板处理设备，基板处理方法，基板处理程序以及使用此程序记录的计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR101072282B1
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：KR1020087003969
申请日：2006-09-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/168 , G03F7/3071 , G03F7/40 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 패턴형성장치(1)는현상처리후에기판(W)에형성된레지스트패턴의상태를측정검사하여제1 검사결과를출력하고, 에칭처리후에기판(W)에형성된패턴의상태를측정검사하여제2 검사결과를출력하는검사장치(400)와, 상기제1 검사결과와상기제2 검사결과로부터구한상관식을기록한기억수단(502)과, 상기상관식에기초하여상기에칭처리후의패턴상태의목표값으로부터상기현상처리후의패턴상태의목표값을구하고, 상기현상처리후의패턴상태의목표값과상기제1 검사결과의차분에기초하여상기제1 가열처리및/또는상기제2 가열처리에있어서의조건설정을행하는제어부(500)를구비한다.
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公开(公告)号：KR100811964B1
公开(公告)日：2008-03-10
申请号：KR1020010059540
申请日：2001-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67253 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/6715
Abstract: 도포유닛과 현상유닛을 구비한 도포/현상장치에 노광장치를 접속하고 이들의 처리를 제어하는 제어부를 갖춘 레지스트 패턴 형성장치에 있어서, 레지스트 도포전의 바탕막의 반사율, 레지스트 도포후의 레지스트 막두께, 현상후의 현상선폭, 바탕막과 레지스트 패턴의 얼라인먼트 상태, 현상결함 등을 검사부 등으로 측정한다. 이 측정 데이터를 제어부에 송신하고, 제어부에서는 레지스트 막두께나 현상선폭 등 각 측정항목의 측정 데이터에 의거하여 측정 데이터에 대응하는 보정 파라미터가 선택되어 당해 보정 파라미터의 보정이 이루어진다. 이 때문에 보정작업이 용이하게 되고 오퍼레이터의 부담이 경감되는 동시에 적절한 보정을 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100797721B1
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：KR1020010067417
申请日：2001-10-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 도포 유닛에 있어서 도포액의 종류는 같지만 목표 막두께가 다른 생산라인용 레시피와 막두께 측정용 레시피를 복수 준비하고, 이들 중 도포액의 종류 및 목표 막두께가 대응하는 것에 관하여 공통의 스핀커브에 링크시킨다. 그리고 막두께 측정용 레시피를 실행하여 막두께 측정 데이터마다 회전수의 보정치를 산출한다. 각 레시피의 회전수 설정치는 이 보정치를 사용함으로써 일괄하여 보정할 수 있다.
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9.发明公开열처리판의 온도 설정 방법, 열처리판의 온도 설정 장치 및 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 有权热处理板的温度设定方法，热处理板的温度设定装置，程序和计算机可读记录介质记录程序
公开(公告)号：KR1020070107042A
公开(公告)日：2007-11-06
申请号：KR1020077018636
申请日：2006-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/38 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67109 , G03F7/38 , H01L21/67103 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/67248 , H01L21/67748 , H01L22/12
Abstract: A hot plate temperature is set so as to form the line width of a resist pattern uniformly in a wafer plane. The hot plate of a PEB device is divided into a plurality of hot plate regions, with temperature setting being possible for each hot plate region. A temperature correction value for regulating the in-plane temperature of a wafer to be mounted on the hot plate is set for each hot plate region of the hot plate. The temperature correction value of each hot plate region of the hot plate is calculated and set by a calculation model formulated from the correlation between the line width of a resist pattern formed by being heat treated on the hot plate and a temperature correction value. A calculation model M calculates such a temperature correction value that makes uniform a wafer-in-plane line width based on the line width measurement of a resist pattern.
Abstract translation: 设置热板温度以在晶片平面中均匀地形成抗蚀剂图案的线宽。 PEB装置的热板被分成多个热板区域，每个热板区域都可以进行温度设定。 对于热板的每个热板区域设定用于调节安装在热板上的晶片的面内温度的温度校正值。 通过由热板上热处理形成的抗蚀剂图案的线宽与温度校正值之间的相关性计算出的计算模型来计算和设定热板的每个热板区域的温度校正值。 计算模型M基于抗蚀剂图案的线宽测量来计算使基于平面的线间宽度均匀的温度校正值。
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10.发明公开기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 그 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 无效一种基板处理装置，基板处理方法以及存储用于执行基板处理方法的程序的计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR1020170031122A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020170029938
申请日：2017-03-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G06T7/00 , G01N21/95
CPC classification number: G06T7/0004 , G01N21/9501 , G06T2207/30148
Abstract: 본발명은주변노광과기판검사중 어느한쪽의처리에이용되는부분에이상이발생했을때에, 기판처리가정지하는것을방지할수 있는기판처리장치를제공하는것을목적으로한다. 기판유지부(33)에유지된기판을회전구동부(34)에의해회전시키면서, 기판의주변부에광을조사하여주변노광처리를수행하는주변노광부(50)와, 기판을이동구동부(35)에의해이동시키면서, 기판을촬상한화상에기초하여기판검사처리를수행하는기판검사부(70)와, 제어부(80)를갖는다. 제어부(80)는정해진기판처리에주변노광처리가포함되어있으면, 정해진기판처리를정지시키고, 기판검사부(70)에이상이발생했을때, 주변노광부(50) 및반송부(32) 모두에이상이발생하지않았고, 정해진기판처리에기판검사처리가포함되어있으면, 기판검사처리를스킵하도록제어한다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是提供一种能够防止发生时，在任一边缘暴露于基板检查侧的处理中使用的基板处理异常停止部的基板处理装置。 而由基板保持部旋转通过33驱动部34保持的基板，和对周围通过照亮基板的周边，移动基片驱动器35执行边缘曝光处理的暴露部分（50）被旋转 而由移动，并用于通过在衬底成像获得的图像的基础上执行所述基板检查处理的基板检查单元70和具有控制单元80。 或多个在两个控制单元80，如果它包含在一个固定的基板处理边缘曝光处理，并停止在预定的衬底处理，产生异常基板检查部70，曝光部50周围和进位部32时 如果衬底检查过程被包括在预定的衬底过程中，则控制单元20跳过衬底检查过程。
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