公开(公告)号：KR101555572B1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：KR1020120018300

申请日：2012-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  초우파오화 ,  창테칭

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217

Abstract: 적어도제1 원료가스및 제2 원료가스를기판에대하여교대로공급함으로써, 제1 원료가스와제2 원료가스와의반응에의해발생하는반응생성물질의박막을기판에퇴적하는성막방법이개시된다. 이방법은, 기판이수용되는처리용기내에가스를공급하는일 없이처리용기내를진공배기하는스텝과, 처리용기내가소정의압력이될 때까지처리용기내로불활성가스를공급하는스텝과, 처리용기내의진공배기를정지한상태에서, 불활성가스가소정의압력으로채워진처리용기내에제1 원료가스를공급하는스텝과, 제1 원료가스의공급을정지함과함께처리용기내를진공배기하는스텝과, 처리용기내에제2 원료가스를공급하는스텝과, 제2 원료가스의공급을정지함과함께처리용기내를진공배기하는스텝을포함한다.

公开(公告)号：KR1020120097334A

公开(公告)日：2012-09-03

申请号：KR1020120018300

申请日：2012-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  초우파오화 ,  창테칭

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217

Abstract: PURPOSE: A film deposition method and apparatus are provided to easily deposit a thin film of a reaction product which is generated by reaction between first source gas and second source gas on a substrate by alternatively supplying the first source gas and the second source gas on the substrate. CONSTITUTION: A quartz ceiling plate(2) is installed in an upper portion of a process container(1). A manifold(3) supports the bottom of the process container. A cover part(9) is connected to a lower portion of the manifold through a seal member(12). A table(8) is attached to a top end portion of a rotation shaft(10). A wafer boat(5) is installed on the table. [Reference numerals] (17) Nitrogen containing gas; (20) Si containing gas; (41) Inert gas; (50) Controller; (51) Interface unit; (52) Memory part; (AA) Exhausting

Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法和装置，通过在第一源气体和第二源气体上交替地供应第一源气体和第二源气体，容易地将通过第一源气体和第二源气体之间的反应产生的反应产物的薄膜沉积在基板上 基质。 构成：石英顶板（2）安装在处理容器（1）的上部。 歧管（3）支撑加工容器的底部。 盖部分（9）通过密封构件（12）连接到歧管的下部。 台（8）安装在旋转轴（10）的顶端部分。 一个晶片舟（5）安装在桌子上。 （附图标记）（17）含氮气体; （20）含Si气体; （41）惰性气体; （50）控制器; （51）接口单元; （52）记忆部分; （AA）排气