公开(公告)号：KR101503725B1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：KR1020120063245

申请日：2012-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  모리요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/342 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45578

Abstract: (과제) 저유전율화, 웨트 에칭 내성의 향상 및 리크 전류의 저감화가 달성된 SiBCN막을 형성하는 것이 가능한 성막 방법을 제공한다.
(해결 수단) 피(被)처리체(W)가 수용되어 진공 흡인 가능하게 이루어진 처리 용기 내에, 보론 함유 가스와 질화 가스와 실란계 가스와 탄화 수소 가스를 공급하여 피처리체의 표면에 보론과 질소와 실리콘과 탄소를 포함하는 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 보론 함유 가스와 질화 가스를 교대로 간헐적으로 공급하는 사이클을 1회 이상 행하여 BN막을 형성하는 제1 공정과, 실란계 가스와 탄화 수소 가스와 질화 가스를 간헐적으로 공급하는 사이클을 1회 이상 행하여 SiCN막을 형성하는 제2 공정을 갖는다. 이에 따라, 저유전율화, 웨트 에칭 내성의 향상 및 리크 전류의 저감화가 달성된 보론과 질소와 실리콘과 탄소를 포함하는 박막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020120097334A

公开(公告)日：2012-09-03

申请号：KR1020120018300

申请日：2012-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  초우파오화 ,  창테칭

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217

Abstract: PURPOSE: A film deposition method and apparatus are provided to easily deposit a thin film of a reaction product which is generated by reaction between first source gas and second source gas on a substrate by alternatively supplying the first source gas and the second source gas on the substrate. CONSTITUTION: A quartz ceiling plate(2) is installed in an upper portion of a process container(1). A manifold(3) supports the bottom of the process container. A cover part(9) is connected to a lower portion of the manifold through a seal member(12). A table(8) is attached to a top end portion of a rotation shaft(10). A wafer boat(5) is installed on the table. [Reference numerals] (17) Nitrogen containing gas; (20) Si containing gas; (41) Inert gas; (50) Controller; (51) Interface unit; (52) Memory part; (AA) Exhausting

Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法和装置，通过在第一源气体和第二源气体上交替地供应第一源气体和第二源气体，容易地将通过第一源气体和第二源气体之间的反应产生的反应产物的薄膜沉积在基板上 基质。 构成：石英顶板（2）安装在处理容器（1）的上部。 歧管（3）支撑加工容器的底部。 盖部分（9）通过密封构件（12）连接到歧管的下部。 台（8）安装在旋转轴（10）的顶端部分。 一个晶片舟（5）安装在桌子上。 （附图标记）（17）含氮气体; （20）含Si气体; （41）惰性气体; （50）控制器; （51）接口单元; （52）记忆部分; （AA）排气

公开(公告)号：KR101584631B1

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020120153222

申请日：2012-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  이병훈 ,  이은조 ,  손성덕 ,  장재혁 ,  박도현

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/31 ,  C23C8/34 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23C28/42 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022

Abstract: (과제) 가공성이좋고, 드라이에칭내성및 웨트에칭내성의제어도가능해지는실리콘산탄질화막의형성방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(base) 상에, 실리콘산탄질화막을형성하는실리콘산탄질화막의형성방법으로서, 하지상에, 실리콘탄질화막과실리콘산질화막을적층하여실리콘산탄질화막을형성한다.

公开(公告)号：KR101312461B1

公开(公告)日：2013-09-27

申请号：KR1020100069986

申请日：2010-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케우치토시유키 ,  하세가와마사유키 ,  다카하시토시히코 ,  스즈키케이스케

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608

Abstract: 배치 CVD 방법은, 흡착 공정과 반응 공정을 잔류 가스를 제거하는 공정과 함께 갖는 사이클을 반복한다. 흡착 공정은, 원료 가스 밸브를 맨 처음의 제1 기간만 열림 상태로 한 후에 닫힘 상태로 함으로써 처리 용기 내로 원료 가스를 공급하는 것과, 반응 가스 밸브를 닫힘 상태로 유지하여 처리 용기 내로 반응 가스를 공급하지 않는 것과, 배기 밸브를 닫힘 상태로 유지하여 처리 용기 내를 배기하지 않는 것으로 행한다. 반응 공정은, 원료 가스 밸브를 닫힘 상태로 유지하여 처리 용기 내로 원료 가스를 공급하지 않는 것과, 반응 가스 밸브를 열림 상태로 하여 처리 용기 내로 반응 가스를 공급하는 것과, 배기 밸브를 소정의 열림 상태로부터 밸브 개도를 서서히 작게 함으로써 처리 용기 내를 배기하는 것으로 행한다.

公开(公告)号：KR101555572B1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：KR1020120018300

申请日：2012-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  초우파오화 ,  창테칭

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217

Abstract: 적어도제1 원료가스및 제2 원료가스를기판에대하여교대로공급함으로써, 제1 원료가스와제2 원료가스와의반응에의해발생하는반응생성물질의박막을기판에퇴적하는성막방법이개시된다. 이방법은, 기판이수용되는처리용기내에가스를공급하는일 없이처리용기내를진공배기하는스텝과, 처리용기내가소정의압력이될 때까지처리용기내로불활성가스를공급하는스텝과, 처리용기내의진공배기를정지한상태에서, 불활성가스가소정의압력으로채워진처리용기내에제1 원료가스를공급하는스텝과, 제1 원료가스의공급을정지함과함께처리용기내를진공배기하는스텝과, 처리용기내에제2 원료가스를공급하는스텝과, 제2 원료가스의공급을정지함과함께처리용기내를진공배기하는스텝을포함한다.

公开(公告)号：KR1020120139562A

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：KR1020120063245

申请日：2012-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  모리요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/342 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45578

Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for forming a film are provided to improve wet etching resistance by reducing a wet etching rate against diluted hydrogen fluoride. CONSTITUTION: A thin film with boron, nitrogen, silicon, and carbon is formed on the surface of an object by supplying boron containing gas, nitrification gas, silane gas, and hydrocarbon to a processing container. A BN layer(88) is formed by intermediately and alternatively supplying boron containing gas and nitrification gas once or more times. An SiCN layer(96) is formed by intermediately supplying the silane gas, hydrocarbon gas, and nitrification gas once or more times. [Reference numerals] (96) SiCN layer

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的方法和装置，通过降低对稀释的氟化氢的湿蚀刻速率来提高耐湿蚀刻性。 构成：通过向处理容器中供应含硼气体，硝化气体，硅烷气体和烃，在物体表面上形成具有硼，氮，硅和碳的薄膜。 BN层（88）通过中间并交替地供给含硼气体和硝化气体一次或多次来形成。 通过中间供给硅烷气体，烃气体和硝化气体一次以上来形成SiCN层（96）。 [编号]（96）SiCN层

公开(公告)号：KR1020130018123A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020120082062

申请日：2012-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  모로즈미유이치로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/10852

Abstract: PURPOSE: A method for forming a thin film, a method for manufacturing a semiconductor device, a thin film forming device, and the semiconductor device are provided to obtain sufficient capacitance by easily securing an area of a capacitor using the side of a bottom electrode with a pillar shape. CONSTITUTION: A first raw gas supply unit(28) supplies a first raw gas with silicon to a reaction tube. The first raw gas supply unit includes a gas spray nozzle(38) which passes through the sidewall of a manifold(800). A second raw gas supply unit(30) supplies the second raw gas including boron to the reaction tube. The second raw gas supply unit includes a gas spray nozzle(40) composed of a quartz tube. A third raw gas supply unit(32) supplies a third raw gas with nitrogen to the reaction tube. A purge gas supply unit(36) includes a gas nozzle(46) which passes through the sidewall of the manifold. [Reference numerals] (60) Control unit; (62) Memory medium; (84p) Exhaust

Abstract translation: 目的：提供一种形成薄膜的方法，半导体器件的制造方法，薄膜形成器件和半导体器件，以通过使用底部电极的侧面容易地确保电容器的面积而获得足够的电容， 柱形。 构成：第一原料气体供应单元（28）将第一原料气体与硅一起提供给反应管。 第一原料气体供给单元包括通过歧管（800）的侧壁的气体喷嘴（38）。 第二原料气体供给单元（30）将包含硼的第二原料气体供给到反应管。 第二原料气体供给单元包括由石英管构成的气体喷嘴（40）。 第三原料气体供给单元（32）向反应管供给氮气的第三原料气体。 吹扫气体供给单元（36）包括通过歧管的侧壁的气体喷嘴（46）。 （附图标记）（60）控制单元; （62）存储介质; （84p）排气

公开(公告)号：KR1020110059540A

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：KR1020100116853

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  스즈키케이스케 ,  장재혁 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: PURPOSE: A method and device for forming a film and a storage medium are provided to form an SiN layer by an ALD at 150 to 550 degrees centigrade. CONSTITUTION: A target is received in a process container(1). The temperature of the target is 150 to 550 degrees centigrade. A silicon nitrification layer is formed on the target by repeating a first supply process and a second supply process. MCS gas is supplied to the process container of 66.65 to 666.5 Pa as a Si source. Nitrogen containing gas is supplied to the process container as nitrification gas.

Abstract translation: 目的：提供用于形成膜和存储介质的方法和装置，以通过ALD在150至550摄氏度下形成SiN层。 构成：在过程容器（1）中接收目标。 目标温度为150至550摄氏度。 通过重复第一供给处理和第二供给处理，在目标物上形成硅硝化层。 作为Si源，将MCS气体供给66.65〜666.5Pa的处理容器。 将含氮气体作为硝化气体供给到处理容器。

公开(公告)号：KR101520885B1

公开(公告)日：2015-05-15

申请号：KR1020120082062

申请日：2012-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  모로즈미유이치로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: (과제) 기둥 형상을 갖고 조밀하게 배열되는 전극의 도괴를 막는 것이 가능한 반도체 장치를 제공한다.
(해결 수단) 전계 효과 트랜지스터와, 기둥 형상을 갖는 커패시터를 갖는 반도체 장치로서, 상기 전계 트랜지스터의 불순물 확산 영역과 전기적으로 접속하고, 기둥 형상을 갖는 제1 전극과, 상기 제1 전극의 적어도 측면에 형성되는 유전체막과, 상기 유전체막 상에 형성되는 제2 전극과, 상기 기둥 형상을 갖는 상기 제1 전극의 길이 방향과 교차하는 방향으로 연장되고, 상기 제2 전극의 적어도 일부를 관통하여 상기 제1 전극을 연결하는 붕소 첨가 질화 실리콘막에 의해 형성되는 지지막을 구비하는 반도체 장치에 의해, 상기의 과제가 달성된다.

公开(公告)号：KR101368768B1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：KR1020100116853

申请日：2010-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠나가마사노부 ,  스즈키케이스케 ,  장재혁 ,  초우파오화 ,  요네자와마사토 ,  하세가와마사유키 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 성막 방법은, 진공 보지(保持; holding) 가능한 처리 용기 내에 수납된 피(被)처리체의 온도를 150∼550℃로 하여, 제1 공급 공정 및 제2 공급 공정을 교대로 포함하는 사이클을 복수회 반복하여, 상기 피처리체 상에 실리콘 질화막을 형성한다. 상기 제1 공급 공정에서는 압력을 66.65∼666.5Pa로 설정한 상기 처리 용기 내로 Si 소스로서의 모노클로로실란 가스를 공급한다. 상기 제2 공급 공정에서는 질화 가스로서의 질소 함유 가스를 상기 처리 용기 내로 공급한다.