公开(公告)号：KR100863782B1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：KR1020030013933

申请日：2003-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쵸우노야스히로 ,  이토노리히로 ,  사타케케이고 ,  이이노타다시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/67017 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/935 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/87917

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판 등의 기판을 밀봉된 처리기내에서 처리가스 예를 들면, 오존 및 용매증기 예를 들면 수증기 등의 처리 유체를 이용해서 처리하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 공통의 용매증기(수증기) 공급원(41) 및 처리가스(오존가스) 공급원(42)로부터 복수의 처리용기(30A, 30B)에 오존가스 및 수증기가 공급되고, 처리용기내의 압력 제어는 각 처리용기에 접속된 배출관로(80A, 80B)에 각각 설치된 가변 트로틀밸브(50A, 50B)의 개방도를 조절하는 것에 의해 행해진다.

Abstract translation: 本发明是一种基板处理装置和一个在密封的基板处理程序使用处理流体，诸如，例如工艺气体，例如用于半导体晶片的玻璃基板和LCD，克臭氧和溶剂蒸气例如，水蒸汽处理的基板处理方法 它涉及。

公开(公告)号：KR1020030074255A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020030013933

申请日：2003-03-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쵸우노야스히로 ,  이토노리히로 ,  사타케케이고 ,  이이노타다시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/67017 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/935 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/87917

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼나 LCD용 유리기판 등의 기판을 밀봉된 처리기내에서 처리가스 예를 들면, 오존 및 용매증기 예를 들면 수증기 등의 처리 유체를 이용해서 처리하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 공통의 용매증기(수증기) 공급원(41) 및 처리가스(오존가스) 공급원(42)로부터 복수의 처리용기(30A, 30B)에 오존가스 및 수증기가 공급되고, 처리용기내의 압력 제어는 각 처리용기에 접속된 배출관로(80A, 80B)에 각각 설치된 가변 트로틀밸브(50A, 50B)의 개방도를 조절하는 것에 의해 행해진다.