반도체 처리장치
    1.
    发明授权
    반도체 처리장치 失效
    半导体加工设备

    公开(公告)号:KR100241290B1

    公开(公告)日:2000-03-02

    申请号:KR1019930012935

    申请日:1993-07-09

    CPC classification number: C23C16/52 C23C16/48 C23C16/481

    Abstract: 진공처리챔버와, 그 아래에 배열설치된 서브챔버를 구비한다. 처리챔버내에는 서셉터가 배열설치되고, 그 위에 반도체 웨이퍼가 재치된다. 처리챔버와 서브챔버는 석영 유리제의 창판에 의해서 밀폐상태로 칸막이 된다. 서브챔버내, 또한 창판의 하방에는 12개의 가열용 광원이 회전테이블 상에 원주형상으로 배열설치된다. 서셉터와 창판 사이에 투과광 에너지를 검출하기 위한 열전쌍으로서 이루어지는 센서가 배열설치된다. 센서는 A/D변환기로서 이루어지는 측정부에 접속되고, 여기에서 검지정보가 디지탈 신호로서 이루어지는 측정치로 변환된다. 측정치는 비교부로 보내어지고, 여기에서 사전 설정된 표준모델과 비교된다. 비교부에서 얻어진 비교결과는 제어부로 전달된다. 제어부는 이 비교결과로부터 창판의 상태를 도출하고, 사전에 정하여진 투과광의 에너지가 검출되지 않는 경우에는 광원에 대한 전력의 공급을 선택적으로 정지한다.

    반도체 처리장치
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019940006200A

    公开(公告)日:1994-03-23

    申请号:KR1019930012935

    申请日:1993-07-09

    Abstract: 진공처리챔버와, 그 아래에 배열설치된 서브챔버를 구비한다. 처리챔버내에는 서셉터가 배열설치되고, 그 위에 반도체 웨이퍼가 재치된다. 처리챔버와 서브챔버는 석영 유리제의 창판에 의해서 밀폐상태로 칸막이된다. 서브챔버내, 또한 창판의 하방에는 12개의 가열용 광원이 회전테이블 상에 원주형상으로 배열설치된다. 서셉터와 창판 사이에 투과광 에너지를 검출하기 위한 열전쌍로서 이루어지는 센서가 배열설치된다. 센서는 A/D변환기로서 이루어지는 측정부에 접속되고, 여기에서 검지정보다 디지탈 신호로서 이루어지는 측정치로 변환된다. 측정치는 비교부로 보내어지고, 여기에서 사전 설정된 표준모델과 비교된다. 비교부에서 얻어진 비교결과는 제어부로 전달된다. 제어부는 이 비교결과로부터 창판의 상태를 도출하고, 사전에 정하여진 투과광의 에너지가 검출되지 않는 경우에는 광원에 대한 전력이 공급을 선택적으로 정지한다.

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