Abstract:
PURPOSE: A transferring chamber and a method for preventing particles from being attached are provided to prevent the attachment of particles due to electrostatic force by neutralizing the particles using an ionizing gas. CONSTITUTION: A transferring chamber(4) is arranged between a pressurizing unit and an atmospheric-based sustention unit and transfers substrates between the pressurizing unit and the atmospheric-based sustention unit. The substrates are loaded in the main body(51) of the chamber. An exhausting device(53) implements an exhausting operation with respect to the inside of the main body. A gas supplying unit converts the inside of the main body into atmospheric environment. An ionizing gas supplying unit supplies an ionizing gas from an ionizer to the main body.
Abstract:
본 발명은 상부면, 하부면, 안지름 가장자리, 및 바깥지름 가장자리를 구비한 링을 포함하는 배플판을 제공하는 데 있다. 상부면은 바깥지름 가장자 주위에 제 1 접촉면을 더 포함할 수 있다. 하부면은 바깥지름 가장자리 주위에 제 2 접촉면과 안지름 가장자리 주위에 복수의 고정 결합면을 더 포함할 수 있다. 배플판은 적어도 하나의 통로를 포함할 수 있는데, 통로는 상부면과 하부면에 연결되고 가스가 흐를 수 있도록 내부 통로면을 구비한다.
Abstract:
플라즈마 처리 용기의 챔버에 사용되는 챔버내 부품은 피복제로 이루어지는 피복막을 갖는다. 피복막 상에 형성된 디포지트를 갖는 챔버내 부품은 챔버와 분리되어 아세톤등의 박리액에 침지된다. 피복제는 고리화 고무-비스아지드 등의 주성분과 감광제로 이루어지기 때문에, 디포지트는 분리되는 피복막과 함께 챔버내 부품으로 부터 분리될 수 있다.
Abstract:
The present invention presents an improved baffle plate for plasma processing system, wherein the design and fabrication of the baffle plate advantageously provides for a uniform processing plasma in the process space with substantially minimal erosion of the baffle plate.
Abstract:
PURPOSE: An apparatus for detecting scattered particles is provided to purify a member by scattering the particles attached to a member in a decompression process chamber. CONSTITUTION: The particles scattered from a member in a decompression process chamber(100) is detected. A light source irradiates incident light to the decompression process chamber to pass through the space over the member. A light detecting unit detects scattered light caused by the particles, installed at a predetermined angle with the incident light. The member may be a stage(110) for mounting a substrate to be processed. The incident light is irradiated in parallel with the stage.
Abstract:
본 발명의 과제는 처리 공간에 있어서의 기판의 주연부에 대향하는 부분에서 전자 밀도를 충분히 상승시킬 수 있는 전극 구조체를 제공하는 것이다. 웨이퍼(W)에 RIE 처리를 실시하는 기판 처리 장치(10)가 구비하는 처리실(11) 내에 배치되고, 해당 처리실(11) 내에 있어서 서셉터(12)에 탑재된 웨이퍼(W)와 대향하는 상부 전극(31)은 서셉터(12)에 탑재된 웨이퍼(W)의 중심부에 대향하는 내측 전극(34)과 해당 웨이퍼(W) 주연부에 대향하는 외측 전극(35)을 구비하고, 내측 전극(34)에는 제 1 직류 전원(37)이 접속되고, 또한 외측 전극(35)에는 제 2 직류 전원(38)이 접속되며, 외측 전극(35)은 서셉터(12)에 탑재된 웨이퍼(W)에 평행한 제 1 이차 전자 방출면(35a)에 대하여 웨이퍼(W)를 향해서 경사지는 제 2 이차 전자 방출면(35b)을 갖는다.
Abstract:
PURPOSE: A substrate processing apparatus and an exhausting method are provided to prevent an exhaust flowing path from being clogged due to particles in an exhausted gas from a chamber by charging the particles and the inner wall of the exhaust flowing path. CONSTITUTION: Substrates are contained in a processing container(50). An exhaust flowing path(51) exhausts a exhausted gas from the inside of the processing chamber. One or a plurality of exhaust pumps(52) is arranged on the exhausting flowing path. A unit for removing harmless(53) traps harmful components from the exhausted gas. An ionizing gas supplying unit(55) supplies an ionizing gas for charging particles in the exhausted gas.
Abstract:
본 발명은 탑 코트층으로서 형성된 용사 피막의 박리를 억제할 수 있는 플라즈마 처리 용기 내부재를 제공하는 것이다. 기재(71)와 용사 피막(72) 사이에, 할로겐 원소를 포함하는 프로세스 가스에 대하여 내(耐)부식성이 우수한 재료로 이루어지는 배리어 코트층(73)을 형성하고, 이 배리어 코트층(73)을 수지 또는 졸겔법을 이용해 봉공(封孔) 처리한다.
Abstract:
본 발명은 플라즈마 처리 시스템의 상부 어셈블리에 연결하도록 구성되어, 전극판을 상부 어셈블리에 연결하는 제 1 표면, 제 1 표면의 반대편에, 플라즈마 처리 시스템내의 처리 플라즈마를 향하도록 구성된 플라즈마 표면과 플라즈마 처리 시스템에 결합하는 결합면을 포함하는 제 2 표면, 및 주위 가장자리를 포함하는 전극판을 제공하는데 있다.