公开(公告)号：KR1020170137759A

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：KR1020177029497

申请日：2016-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 에노모토마사시 ,  콘도요시히로

IPC: G03F7/38 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67733 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68742

Abstract: 레지스트도포를행하는기판처리장치와현상처리를행하는기판처리장치를별개의장치로함에있어서, 레지스트패턴의형성처리를안정적으로행할수 있는기술을제공한다. 제 1 기판처리장치(1)에서레지스트도포후에가열처리된웨이퍼(W)를제 2 기판처리장치(2)에있어서도노광전에가열처리하고있다. 이때문에, 제 1 기판처리장치(1)로부터제 2 기판처리장치(2)에반송할때에웨이퍼(W)에분위기중의아민이부착되었다고해도, 아민이가열처리에의해비산된다. 또한제 1 기판처리장치(1)로부터 FOUP(10)이반출된후, 제 2 기판처리장치에당해 FOUP(10)이반입될때까지의시간을포함하는웨이퍼(W)의방치시간에기초하여, 가열시간및 가열온도의적어도일방을조정하고있다. 그때문에, 웨이퍼(W)간에있어서레지스트중의용제의잔류량의불균일이억제된다. 따라서레지스트패턴의형성처리의안정화를도모할수 있다.

Abstract translation: 提供一种技术，其能够通过使用用于施加抗蚀剂的基板处理设备和用于执行显影处理的基板处理设备作为单独的设备来稳定地执行用于形成抗蚀剂图案的处理。 热处理并且存在甚至在暴露于所述第一基板处理装置1之前，在晶片的热处理（W）reulje第二基板处理装置（2）之后的从抗蚀剂涂层。 此时，门，第二基板时，即使在大气中的胺附着于晶片（W），并且所述胺通过热处理散射所述第一发送处理单元（2）埃文从第一基板处理装置1。 此外，从基板处理装置1的第一FOUP（10）之后的权利要求的静置时间的基础上，伊万输出，晶片包括第一时间跨度当口领域FOUP（10）伊万第二基板处理装置（W），热 时间和加热温度中的至少一个被调整。 因此，抑制了晶片W之间的抗蚀剂中溶剂残留量的不均匀性。 因此，可以使抗蚀剂图案的形成过程稳定。