公开(公告)号：KR1020170055425A

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：KR1020160147873

申请日：2016-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다도코로마사히데 ,  고다마데루히코 ,  하시모토다카후미 ,  나가카네다쿠 ,  에노모토마사시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/324

Abstract: 기판인웨이퍼표면에형성된도포막의주연부를제거액에의해제거함에있어서, 도포막단부의형상결함의발생을억제한다. 스핀척(11)에의해회전하는웨이퍼(W)의주연부에, 제거액노즐(3)로부터제거액을토출함과함께, 웨이퍼표면의제거액의공급영역에, 기류형성부(5)에의해, 웨이퍼표면에평행하며또한웨이퍼(W)의중앙측으로부터외측을향하는띠 형상의기류를형성한다. 이기류와회전의원심력에의해, 웨이퍼표면의제거액의액류가외측으로가압되기때문에, 웨이퍼(W)에도달했을때의제거액의막 두께가저감한다. 도포막단부(13)의형상결함의일례인도포막단부(13)의융기(험프)는, 제거액노즐(3)로부터토출된제거액이웨이퍼(W)에도달했을때의큰 막두께에의한표면장력이원인이기때문에, 제거액의액류가외측으로가압됨으로써험프의발생이억제되고, 형상결함의발생이억제된다.

Abstract translation: 在通过除去液除去作为基板的晶片表面上形成的涂膜的周边部分时，抑制了涂膜的形状缺陷的发生。 重要的是要在义州边缘晶片（W），具有晶片表面的去除剂的供给区域必须从去除器喷嘴3排出去除剂，形成单元流（5），其由旋转卡盘11中，在晶片表面旋转 并且还形成从晶片W的中心侧朝向外部的带状气流。 由于旋转流的离心力和旋转，晶片表面上待除去的液体的液体流动被向外挤压，所以当到达晶片W时待除去的液体的膜厚减小。 涂膜端部13的形状不良的一个例子是当从去除液喷嘴3排出的去除液到达晶片W时由于大膜厚引起的表面张力 由于该原因，被除去的液体的液体流动被向外挤压，由此抑制了隆起的发生并且抑制了形状缺陷的发生。

公开(公告)号：KR1020170137759A

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：KR1020177029497

申请日：2016-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 에노모토마사시 ,  콘도요시히로

IPC: G03F7/38 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67733 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68742

Abstract: 레지스트도포를행하는기판처리장치와현상처리를행하는기판처리장치를별개의장치로함에있어서, 레지스트패턴의형성처리를안정적으로행할수 있는기술을제공한다. 제 1 기판처리장치(1)에서레지스트도포후에가열처리된웨이퍼(W)를제 2 기판처리장치(2)에있어서도노광전에가열처리하고있다. 이때문에, 제 1 기판처리장치(1)로부터제 2 기판처리장치(2)에반송할때에웨이퍼(W)에분위기중의아민이부착되었다고해도, 아민이가열처리에의해비산된다. 또한제 1 기판처리장치(1)로부터 FOUP(10)이반출된후, 제 2 기판처리장치에당해 FOUP(10)이반입될때까지의시간을포함하는웨이퍼(W)의방치시간에기초하여, 가열시간및 가열온도의적어도일방을조정하고있다. 그때문에, 웨이퍼(W)간에있어서레지스트중의용제의잔류량의불균일이억제된다. 따라서레지스트패턴의형성처리의안정화를도모할수 있다.

Abstract translation: 提供一种技术，其能够通过使用用于施加抗蚀剂的基板处理设备和用于执行显影处理的基板处理设备作为单独的设备来稳定地执行用于形成抗蚀剂图案的处理。 热处理并且存在甚至在暴露于所述第一基板处理装置1之前，在晶片的热处理（W）reulje第二基板处理装置（2）之后的从抗蚀剂涂层。 此时，门，第二基板时，即使在大气中的胺附着于晶片（W），并且所述胺通过热处理散射所述第一发送处理单元（2）埃文从第一基板处理装置1。 此外，从基板处理装置1的第一FOUP（10）之后的权利要求的静置时间的基础上，伊万输出，晶片包括第一时间跨度当口领域FOUP（10）伊万第二基板处理装置（W），热 时间和加热温度中的至少一个被调整。 因此，抑制了晶片W之间的抗蚀剂中溶剂残留量的不均匀性。 因此，可以使抗蚀剂图案的形成过程稳定。