公开(公告)号：KR1020160120233A

公开(公告)日：2016-10-17

申请号：KR1020160041781

申请日：2016-04-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케 ,  타카야마마사토

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  H05B1/02

CPC classification number: H05B1/0233 ,  F27B17/0025 ,  F27D21/0014 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H05B3/143 ,  H01L21/67098 ,  H01L22/12

Abstract: 반도체웨이퍼의면내온도균일성을향상시킨다. 처리시스템은, 서모뷰어(51)와온도측정장치(14)와중심값산출부(202)와오프셋산출부(204)와온도제어부(205)를가진다. 서모뷰어(51)는반도체웨이퍼의상면전체의온도분포를측정한다. 온도측정장치(14)는반도체웨이퍼의분할영역마다, 분할영역내의일부의영역의온도를측정한다. 중심값산출부(202)는, 서모뷰어(51)가측정한온도분포에기초하여, 분할영역마다, 분할영역내의온도분포의중심값을산출한다. 오프셋산출부(204)는분할영역마다, 온도측정장치(14)가측정한영역의온도와, 분할영역내의온도분포의중심값과의차분을오프셋으로서산출한다. 온도제어부(205)는분할영역마다, 오프셋및 온도측정장치(14)가측정한온도에기초하여, 중심값이미리설정된설정온도가되도록분할영역의온도를제어한다.