-
公开(公告)号：KR101690326B1
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：KR1020100020152
申请日：2010-03-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3255 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32577
Abstract: 플라즈마생성에소비되는고주파의전계강도분포를제어한다. 플라즈마에칭장치(10)는, 내부에서웨이퍼(W)를플라즈마처리하는처리용기(100)와, 처리용기(100)의내부에서서로대향하고, 그사이에처리공간을형성하는상부전극(105) 및하부전극(110)과, 상부전극(105) 및하부전극(110) 중적어도하나에접속되고, 처리용기(100)의내부에고주파전력을출력하는고주파전원(150)를갖는다. 상부전극(105) 및하부전극(110) 중적어도하나에는, 판형상의유전체로이루어진기재(105a)와, 개구부를갖고, 기재(105a)를덮는도전성커버(105b)와, 기재(105a)와플라즈마의사이에마련된금속의저항체(105d)를포함한다.
Abstract translation: 等离子体处理装置包括处理室，其中目标物体由等离子体处理，第一和第二电极设置在处理室中以彼此面对并具有其间的处理空间;以及高频电源， 连接到第一和第二电极中的至少一个，以向处理室提供高频电力。 并且第一和第二电极中的至少一个包括由板状电介质材料形成的基底和由金属形成并设置在基底和等离子体之间的电阻器。
-
公开(公告)号：KR1020160120233A
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020160041781
申请日：2016-04-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H05B1/0233 , F27B17/0025 , F27D21/0014 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H05B3/143 , H01L21/67098 , H01L22/12
Abstract: 반도체웨이퍼의면내온도균일성을향상시킨다. 처리시스템은, 서모뷰어(51)와온도측정장치(14)와중심값산출부(202)와오프셋산출부(204)와온도제어부(205)를가진다. 서모뷰어(51)는반도체웨이퍼의상면전체의온도분포를측정한다. 온도측정장치(14)는반도체웨이퍼의분할영역마다, 분할영역내의일부의영역의온도를측정한다. 중심값산출부(202)는, 서모뷰어(51)가측정한온도분포에기초하여, 분할영역마다, 분할영역내의온도분포의중심값을산출한다. 오프셋산출부(204)는분할영역마다, 온도측정장치(14)가측정한영역의온도와, 분할영역내의온도분포의중심값과의차분을오프셋으로서산출한다. 온도제어부(205)는분할영역마다, 오프셋및 온도측정장치(14)가측정한온도에기초하여, 중심값이미리설정된설정온도가되도록분할영역의온도를제어한다.
-
公开(公告)号：KR1020070088368A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020070017965
申请日：2007-02-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: A cooling block and a plasma processing apparatus using the same are provided to simultaneously form a diffusion bonding layer of zinc to aluminum and a zinc oxide film by interposing zinc between a first and a second layers. A cooling block includes an electrode generating a plasma for use in a plasma process, and a channel(82) a cooling liquid. A first preform and a second preform are respectively made of aluminum, and a recess for forming a channel for a cooling liquid is formed on at least one of the first and second base materials. The first and the second layers are bonded under heating atmosphere containing oxygen to form a diffusion bonding layer with zinc diffused in aluminum and an anti-corrosion layer(94) of a zinc oxide film.
Abstract translation: 提供一种冷却块和使用其的等离子体处理装置，通过在第一层和第二层之间插入锌来同时形成锌与铝的氧化锌膜的扩散结合层。 冷却块包括产生用于等离子体处理的等离子体的电极和通道（82）冷却液。 第一预制件和第二预制件分别由铝制成，并且在第一和第二基材中的至少一个上形成用于形成用于冷却液的通道的凹部。 第一层和第二层在含有氧的加热气氛下结合，形成扩散粘合层，其中锌扩散到铝中，并具有氧化锌膜的防腐蚀层（94）。
-
公开(公告)号：KR100576399B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040070432
申请日：2004-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 다나카히데아키 , 오카야마노부유키 , 미야가와마사아키 , 미즈카미순스케 , 시미즈와타루 , 히로세준 , 와카키도시카츠 , 미와도모노리 , 오오야부준 , 하야시다이스케
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
Abstract: 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있음과 동시에 반도체 웨이퍼의 주연부 이면측에 대한 데포지션의 발생을 종래에 비교해서 저감할 수 있는 포커스 링 및 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
진공 챔버(1)내에는 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되는 탑재대(2)가 설치되어 있고, 이 탑재대(2)에 탑재된 반도체 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 포커스 링(8)이 설치되어 있다. 포커스 링(8)은 유전체로 이루어지는 링형상의 하측부재(9)와 이 하측부재(9)의 상부에 배치되고, 도전성 재료로 이루어지는 링형상의 상측부재(10)로 구성되어 있고, 상측부재(10)는 그 상면의 외주측이 반도체 웨이퍼(W)의 피처리면보다 높은 평탄부(10a)로 되고, 이 평탄부(10a)의 내주부가 외주측이 내주측보다 높아지도록 경사하는 경사부(10b)로 되어 있다.-
公开(公告)号：KR1020050025079A
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：KR1020040070432
申请日：2004-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 다나카히데아키 , 오카야마노부유키 , 미야가와마사아키 , 미즈카미순스케 , 시미즈와타루 , 히로세준 , 와카키도시카츠 , 미와도모노리 , 오오야부준 , 하야시다이스케
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32642
Abstract: A focus ring and a plasma processing apparatus are provided to obtain the same uniform plasma processing of an edge as a center of wafer and to reduce a deposition in the back surface of edge. A focus ring includes a lower member and an upper member. The lower member(9) is formed with a dielectric. An upper member(10) made of a conductive material is formed on the top of the lower member. An inclined portion that an outer circumferential side thereof is higher than an inner circumferential side is formed on the top surface of the upper member. The position of end of the outer circumferential side in the inclined portion is higher than the position of a surface of the wafer(W) to be processed. The inner circumferential side of the upper member is spaced apart from a circumferential edge of the wafer by a predetermined distance.
Abstract translation: 提供聚焦环和等离子体处理装置以获得作为晶片中心的边缘的相同的均匀等离子体处理并减少边缘的后表面中的沉积。 聚焦环包括下部构件和上部构件。 下部构件（9）形成有电介质。 由导电材料制成的上部构件（10）形成在下部构件的顶部上。 在上部构件的上表面上形成有外周侧高于内周侧的倾斜部。 倾斜部分中的外周侧的端部的位置高于待处理的晶片（W）的表面的位置。 上部构件的内周侧与晶片的圆周边缘间隔预定距离。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100469047B1
公开(公告)日：2005-01-31
申请号：KR1019997009083
申请日：1998-04-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , Y10T29/49002 , Y10T29/49117 , Y10T29/532 , Y10T29/53204
Abstract: 본 발명은, 가스토출구멍에 착탈 및 위치결정이 용이하고 내플라즈마성이 우수한 절연부재를 끼워 장착한 처리장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 에칭장치(100)의 상부전극(128)에 배치된 가스토출구멍(128a)은 절연부재(144)의 외형형상에 대응한 형상으로 형성된다. 절연부재(144)는 폴리에테르에테르케톤이나 폴리이미드나 폴리에테르이미드로 이루어지고, 그 외부 표면에 단부(144a)가 형성된다. 절연부재(144)의 긴 쪽 방향의 길이는 가스토출구멍(128a)의 긴 쪽 방향의 길이보다 짧게 형성된다. 절연부재(144) 내에는 그 긴 쪽 방향을 따라 관통구멍(144d)이 설치됨과 더불어, 관통구멍(144d)의 처리실(102) 측 개구부 부근이 처리실(102) 측으로 향하여 직경이 확대되는 거의 테이퍼모양으로 형성된다. 절연부재(144)를 가스토출구멍(128a) 내에 가스토출구멍(128a)의 취출구 측으로부터 삽입하고, 단부(144a)와 가스토출구멍(128a) 내벽에 형성된 견부(128b)가 맞추어지도록 절연부재(144)를 밀어 넣고 끼워 장착시킨다. 이 때, 절연부재(144)는 상부전극의 서셉터(110) 측의 면보다도 돌출하여 배치된다.Abstract translation: 处理系统设置有能够容易地装配在气体排放孔中，并且能够容易地定位在气体排放孔中的绝缘构件。 蚀刻系统（100）设置有设置有与绝缘构件（144）的外部形状对应的形状的气体排出孔（128a）的上电极（128）。 绝缘部件（144）由聚醚醚酮树脂，聚酰亚胺树脂，聚醚酰亚胺树脂等形成。 每个绝缘构件144在其外表面上设有台阶（144a）。 绝缘部件（144）的长度比气体排出孔（128a）的长度短。 在各绝缘部件144上设有纵长的贯通孔144d，处理室102侧的贯通孔144d的端部形成为向处理室102侧扩大的锥状， ）。 绝缘部件144从气体排出孔128a的出口端侧被压入气体排出孔128a中，以使台阶144a与形成在其中的肩部128b接触。 排气孔（128a）的侧壁。 装配在气体排出孔128a中的每个绝缘构件144的一部分从上电极128的面对基座110的表面突出。 ＆lt;图像＆GT;
-
公开(公告)号：KR101761191B1
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：KR1020110022505
申请日：2011-03-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3266 , H01J37/32091 , H01J37/32541
Abstract: 균질소재의전극을이용하여플라즈마생성에소비되는고주파의전계강도분포를제어한다. 내부에서웨이퍼(W)를플라즈마처리하는처리용기(100)와, 처리용기(100)의내부에서서로대향하며, 그사이에플라즈마공간을형성하는상부전극(105) 및하부전극(110)과, 상부전극(105) 및하부전극(110) 중적어도어느하나에접속되어처리용기(100) 내에고주파전력을출력하는고주파전원(150)을가지는플라즈마처리장치로서, 상부전극(105)에는, 원하는유전체로부터형성된상부기재(105a)에시스의두께의 2 배이하의직경을가지는중공의세공(A)이복수형성되어있는플라즈마처리장치가제공된다.
Abstract translation: 使用均相材料制成的电极，并控制其在等离子体产生消耗的高频电场强度的分布。 和晶片（W）进行等离子体处理处理容器100的，并在处理容器100的内部彼此相对，以及上电极105和下电极110，以形成在其间的等离子体空间中，上内 电极105和下部电极110，普遍地至少为任何花枝与高频电源150连接，用于输出高频电力向上述处理容器100中，等离子体处理装置中，上电极105，从所期望的电介质形成的 的（a）等离子体处理形成在上基部处（105A），其具有直径护套的小于两倍厚度的yiboksu装置中的中空纤维的孔中被提供。
-
公开(公告)号：KR1020150055580A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：KR1020140156080
申请日：2014-11-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15 , H01L21/324 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67103
Abstract: 본발명은 RF 노이즈에대한내성을향상시키는것을과제로한다. 배치대는베이스와, 상기베이스의상부에배치되고, 피처리체가배치되는배치면을갖는정전척과, 상기정전척의상기배치면과는반대측에배치된복수의발열부재와, 상기복수의발열부재의각각을발열시키기위한전류를생성하는전원과, 상기복수의발열부재의각각으로부터상기배치면에교차하는방향을따라서연장되도록설치되고, 상기복수의발열부재의각각과상기전원의사이에서상기전류를통전시키는복수의전선과, 상기복수의전선의각각에배치되고, 상기전류의주파수보다높은주파수를갖는고주파성분을제거하는필터를구비한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提高抗RF噪声的阻力。 根据本发明，一种布置包括：底座; 设置在所述基座的上部的具有放置表面的静电吸盘，其中布置有要处理的物体; 多个发热部件，设置在与所述静电吸盘的配置面相反的一侧; 用于产生电流以产生多个发热元件中的每一个的电力的电源; 多个电缆，用于在所述多个发热元件中的每一个与所述电源之间传导电流; 以及设置在多个电缆中的每一个中的滤波器，以去除具有比电流高的频率的高频分量。
-
公开(公告)号：KR101100466B1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：KR1020077023337
申请日：2006-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 챔버의 내면 등에 불화수소가 부착되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
기판(W)을 챔버 내에 수납하여 처리하는 장치에 있어서, 챔버(40) 내에 불화수소 가스를 공급하는 불화수소 가스 공급로(61)를 구비하고, 챔버(40) 내면의 일부 또는 전부는 표면 산화 처리가 실시되지 않은 Al 또는 Al 합금에 의해 형성되는 구성으로 하였다. 챔버(40)는 챔버 본체(51)의 상부 개구를 폐색하는 덮개(52)를 구비하고, 적어도 덮개(52)의 내면은 알루마이트 처리가 실시되지 않은 Al 또는 Al 합금에 의해 형성되는 구성으로 하였다.-
公开(公告)号：KR100892542B1
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：KR1020070110111
申请日：2007-10-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 하야시다이스케
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 기판으로부터의 반도체 디바이스의 생산성의 저하를 방지할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 열산화막, BPSG 막 및 데포지트 막을 갖는 웨이퍼(W)를 향하여 HF 가스를 공급하여, BPSG 막 및 데포지트 막을 불소산에 의해 선택적으로 에칭한다. 상기 에칭시에 발생하는 H
2 SiF
6 으로 이루어진 잔류물을 가열에 의해 HF와 SiF
4 로 분해한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.034 seconds)
