公开(公告)号：KR102033979B1

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：KR1020150179025

申请日：2015-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타케다료헤이 ,  타카시마류이치 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

公开(公告)号：KR1020160078879A

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：KR1020150179025

申请日：2015-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 타케다료헤이 ,  타카시마류이치 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H05H1/46 ,  H01L21/683 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 뎁스로딩을억제하여, 실리콘산화막의에칭레이트를높이는것을목적으로한다. 배치대를냉각하는칠러의온도를 -20℃이하로제어하고, 제 1 고주파전원으로부터인가하는제 1 고주파전력에의해, 가스공급원이공급하는수소함유가스및 불소함유가스로부터플라즈마를생성하고, 생성한상기플라즈마에의해상기배치대상의기판의실리콘산화막을에칭처리하고, 상기에칭처리후의제전처리에있어서, 제 2 고주파전원으로부터제 1 고주파전력의주파수보다낮은주파수의제 2 고주파전력을상기배치대에인가하는에칭처리방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是通过抑制深度加载来提高氧化硅膜的蚀刻速率。 提供了一种蚀刻方法，其包括：将用于冷却基座的冷却器的温度控制为低于或等于-20℃; 通过由第一高频电源施加的第一高频功率从由气体源供应的含氢气体和含氟化物气体产生等离子体; 通过产生的等离子体蚀刻基座上的衬底的氧化硅膜; 以及在蚀刻后进行静电消除处理时，向所述基座施加具有来自第二高频电源的频率低于第一高频功率的频率的第二高频电力。