公开(公告)号：KR1020170074784A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：KR1020160173533

申请日：2016-12-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카시마류이치 ,  고히라다쿠 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46 ,  H01J49/10 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31144

Abstract: 마스크막의개구폭의형상을조정하면서에칭을실행하는것을목적으로한다. 플라즈마생성용의고주파전력에의해수소함유가스, 및불소함유가스를포함하는가스로부터플라즈마를생성하고, 생성된플라즈마에의해실리콘산화막을에칭하는방법으로서, 상기불소함유가스는하이드로플루오로카본가스를포함하며, 상기하이드로플루오로카본가스로부터생성되는라디칼은사플루오르화탄소(CF)로부터생성되는라디칼보다부착계수가큰 에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 并且在调整掩模膜的开口宽度的形状的同时进行蚀刻。 由等离子体中的氧化硅膜称作的方法产生的由含有含氢气体的气体，和一个含氟气体，通过等离子体产生的高频电力产生等离子体，将含氟气体是一个碳气体作为氢 - 氟 它包括，并且是从被从碳气体产生的氢 - 氟，提供了一个大的蚀刻方法自由基礼物氟碳（CF），导致更激进的附着系数。

公开(公告)号：KR1020170000360A

公开(公告)日：2017-01-02

申请号：KR1020160078533

申请日：2016-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도무라마주 ,  다케다료헤이 ,  다카시마류이치 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: [과제] 극저온의온도제어에의해에칭을촉진시키는것을목적으로한다. [해결수단] 기판의표면온도를 -35℃미만으로제어하고, 제1 고주파전원이출력하는제1 고주파전력및 제2 고주파전원이출력하는제2 고주파전력을이용하여수소함유가스및 불소함유가스로부터플라즈마를생성하고, 플라즈마에의해실리콘산화막을에칭처리하는제1 공정과, 상기제2 고주파전원의출력을정지하고, 플라즈마에의해실리콘산화막을에칭처리하는제2 공정을포함하고, 상기제1 공정과상기제2 공정을복수회반복하는에칭처리방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020120022648A

公开(公告)日：2012-03-12

申请号：KR1020110083310

申请日：2011-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오야요시노부 ,  다나베아키라 ,  야스타요시노리

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/02 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/3348

Abstract: PURPOSE: A plasma processing method and a plasma processing apparatus using the same are provided to improve controllability of a radio frequency bias function, thereby optimizing a plasma process with respect to various required conditions for a micro manufacturing process. CONSTITUTION: A susceptor supporting table(14) of a cylindrical shape is arranged on the bottom of a chamber(10). A susceptor(16) is installed on the susceptor supporting table. An electrostatic chuck(18) for adsorbing a semiconductor wafer(W) is installed on the upper surface of the susceptor. A coolant passage(30) is formed inside of the susceptor supporting table. A first high frequency power source(36) and a second high frequency power source(38) are electrically connected to each other by respectively including lower matching devices(40,42) and lower power supply conductors(44,46).

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理方法和使用该等离子体处理方法的等离子体处理装置，以改善射频偏置功能的可控性，从而优化关于微制造工艺的各种所需条件的等离子体处理。 构成：在室（10）的底部设置有圆筒状的感受器支撑台（14）。 感受器（16）安装在基座支撑台上。 用于吸附半导体晶片（W）的静电卡盘（18）安装在基座的上表面上。 冷却剂通道（30）形成在基座支撑台的内部。 第一高频电源（36）和第二高频电源（38）通过分别包括下匹配装置（40,42）和下电源导体（44,46）彼此电连接。

公开(公告)号：KR1020170073504A

公开(公告)日：2017-06-28

申请号：KR1020160170499

申请日：2016-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도미나가쇼 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/115 ,  H05H1/46 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J49/10

Abstract: 본발명은상이한종류의에칭대상막을에칭할때의기판의온도제어성및 에칭의균일성을높이는것을목적으로한다. 웨이퍼의온도가 -35℃이하인극저온환경에있어서, 제1 고주파전원으로부터제1 고주파의전력을출력하고, 제2 고주파전원으로부터상기제1 고주파보다낮은제2 고주파의전력을출력하며, 수소함유가스및 불소함유가스로부터플라즈마를생성하고, 실리콘산화막및 실리콘질화막을적층한적층막과실리콘산화막의단층막을플라즈마에의해에칭하는제1 공정과, 상기제2 고주파전원의출력을정지하는제2 공정을가지며, 상기제1 공정과상기제2 공정을복수회 반복하고, 상기제1 공정은상기제2 공정보다짧은에칭방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是提高基材与蚀刻在称为不同类型的被蚀刻膜的时间的温度控制性的均匀性。 根据晶片的温度低于-35℃的低温环境中，从高频功率的第一高频电力的第一输出，和输出比从高频电源的第一无线电频率的第二低的第二高频电力，和含氢气体 并产生从氟的等离子体含氧气体，并停止所述第一步骤和所述射频的所述第二输出由氧化硅膜和氮化硅膜的等离子体单层膜称为层叠膜和氧化硅膜层叠的第二步骤 具有第一步骤和第二多次反复的两个步骤，第一步骤是比所述第二处理设置有短的蚀刻。

公开(公告)号：KR101475546B1

公开(公告)日：2014-12-22

申请号：KR1020100006725

申请日：2010-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야츠다고이치 ,  오오야요시노부 ,  오카모토신 ,  모치키히로마사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32697

Abstract: 형상성좋고, 또한높은에칭레이트로피에칭막을에칭해서고어스펙트비의홀을형성할수 있는플라즈마에칭방법을제공하는것이다. 플라즈마에칭에의해에칭대상막에홀을형성하는데있어서, 플라즈마생성용고주파전력인가유닛을온으로해서처리용기내에플라즈마를생성하고, 또한직류전원으로부터음의직류전압을상부전극에인가하는제 1 조건과, 플라즈마생성용고주파전력인가유닛을오프로해서처리용기내의플라즈마를소멸시키고, 또한직류전원으로부터음의직류전압을상부전극에인가하는제 2 조건을교대로반복하고, 제 1 조건에의해플라즈마중의양이온에의해에칭을진행시키고, 제 2 조건에의해음이온을생성하고, 직류전압에의해음이온을상기홀 내에공급함으로써홀 내의양전하를중화한다.

公开(公告)号：KR101247857B1

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：KR1020117031575

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009516A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031587

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020070022781A

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020067026949

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR102100011B1

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：KR1020160170499

申请日：2016-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케다료헤이 ,  도미나가쇼 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/115 ,  H05H1/46 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01J49/10

公开(公告)号：KR101270285B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020127021941

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본발명에따르면, 상부전극(34) 및하부전극(16) 사이에처리가스인플라즈마를생성하여웨이퍼(W)에플라즈마에칭을실시하는플라즈마에칭장치로서, 상부전극(34)에, 그표면에대한적절한스퍼터효과를얻을수 있는정도로그 표면의자기바이어스전압 V의절대값이커지고, 또한상부전극(34)에있어서의플라즈마시스의두께가, 소망하는축소화플라즈마가형성되는정도로두껍게되도록하는직류전압을인가하는가변직류전원(50)을더 구비한다.