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    오목화된 피처에서의 막의 상향식 형성을 위한 방법
    3.
    发明公开
    오목화된 피처에서의 막의 상향식 형성을 위한 방법 审中-实审
    用于自下而上形成凹陷特征中的膜的方法

    公开(公告)号：KR1020170116985A

    公开(公告)日：2017-10-20

    申请号：KR1020170047429

    申请日：2017-04-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오메라데이비드엘. ,  타필리칸다바라엔. ,  모한티니하르

    IPC: H01L21/768

    CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116

    Abstract: 본발명의실시형태는오목한특징부에서의막의상향식형성을위한기판처리방법을제공한다. 일실시형태에따르면, 상기방법은제1 층및 제2 층을포함하는기판을제1 층상에제공하는단계로서, 상기제2 층은상기제 2 층을통해연장되는오목한특징부를가지는것인, 상기기판을제1 층상에제공하는단계와, 상기기판상에비컨포멀마스크층을증착하는단계를포함하며, 여기서마스크층은오목한특징부의개구부에서돌출부(overhang)를갖는다. 상기방법은또한상기개구부에서상기돌출부의적어도일부분을유지하면서상기오목한특징부의하부로부터상기마스크층을제거하는단계, 상기오목한특징부의하부상에막을선택적으로증착하는단계, 및상기기판으로부터마스크층 돌출부를제거하는단계를포함한다. 처리단계는막이오목한특징부에서원하는두께를가질때까지적어도 1회반복될수도있다.

    Abstract translation: 本发明的实施例提供了一种用于从底部向上形成凹陷特征中的膜的基板处理方法。 根据一个实施例，该方法包括在包括第一层和第二层的第一层上提供衬底，第二层具有延伸穿过第二层的凹入特征。 在第一层上提供衬底;以及在衬底上沉积信标形式掩模层，其中掩模层在凹陷结构的开口处具有突出部。 该方法还包括从凹陷特征的底部移除掩模层，同时将突起的至少一部分保持在开口中，选择性地在凹陷特征的下侧上沉积膜， 。“ 处理步骤可以重复至少一次，直到膜在凹形特征中具有期望的厚度。

    미세 리세스 피처의 SiO2 충전 및 촉매 표면 상의 선택적 SiO2 성막을 위한 방법
    4.
    发明公开
    미세 리세스 피처의 SiO2 충전 및 촉매 표면 상의 선택적 SiO2 성막을 위한 방법 审中-实审
    用于填充微细凹陷特征的SiO2和在催化剂表面上选择性SiO2沉积的方法

    公开(公告)号：KR1020170116982A

    公开(公告)日：2017-10-20

    申请号：KR1020170047406

    申请日：2017-04-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 타필리칸다바라엔.

    IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304

    Abstract: 미세한리세스된피처의무공극(void-free) SiO충전및 촉매표면상의선택적 SiO성막방법이개시되어있다. 일실시형태에따르면, 상기방법은, 리세스된피처들을포함하는기판을제공하는단계, 금속함유촉매층으로리세스된피처들의표면을코팅하는단계, 리세스된피처들내에등각의 SiO막을성막하도록임의의산화및 가수화제의부재하에, 대략 150˚C 이하의기판온도에서실란올가스를함유하는프로세스가스에상기기판을노출시키는단계, 및리세스된피처들이무공극의매끄러운 SiO재료로충전될때까지등각의 SiO막의두께를증가시키기위해적어도한번코팅및 노광을반복하는단계를포함한다. 일실시예에서, SiO재료로충전된리세스된피처는반도체디바이스에서 STI(shallow trench isolation) 구조를형성한다.

    Abstract translation: 细微凹陷的特征公开了在无空隙的SiO填充的和催化剂表面上选择性SiO沉积的方法。 根据一个实施例，该方法还包括的凹以下步骤：提供衬底，所述衬底包括一特征，该膜形成每个SiO膜，如在以下步骤中，涂层的凹陷结构的表面的凹入特征中，所述含金属的催化剂 到将衬底暴露于下氧化和水解剂，在低于约150℃，当特征被填充有无孔极光滑的SiO的材料的制造方法米特里的基板温度的硅烷醇气体的任何成员含有处理气体 为了增加各膜如SiO的厚度包括重复至少一次涂布和曝光的步骤。 在一个实施例中，填充有SiO 2材料的凹陷结构在半导体器件中形成浅沟槽隔离（STI）结构。

    나노와이어 구조물을 형성하는 방법
    7.
    发明公开
    나노와이어 구조물을 형성하는 방법 审中-实审
    形成纳米结构的方法

    公开(公告)号：KR1020160087357A

    公开(公告)日：2016-07-21

    申请号：KR1020160004180

    申请日：2016-01-13

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 타필리칸다바라엔. ,  나카무라겐지

    IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/41 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/20

    CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

    Abstract: 본발명의실시예는, 기판상에나노와이어구조물을형성하기위한방법에대해기재한다. 하나의실시예에따르면, 방법은, a) 기판상에제1 반도체층을성막하는단계, b) 패터닝된제1 반도체층을형성하도록제1 반도체층을에칭하는단계, c) 패터닝된제1 반도체층에걸쳐유전체층을형성하는단계, 및 d) 패터닝된제1 반도체층 상에그리고유전체층 상에제2 반도체층을성막하는단계를포함한다. 방법은, e) 단계 a) 내지단계 d)를적어도 1회반복하는단계, f) 단계 e)에이어서, 단계 a) 내지단계 c)를 1회반복하는단계, g) 핀구조물을형성하도록패터닝된제1 반도체층, 유전체층, 및제2 반도체층을에칭하는단계, 및 h) 핀구조물로부터패터닝된제1 반도체층을제거하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 公开了一种形成纳米线结构的方法。 形成纳米线结构的方法包括：a）在衬底上形成第一半导体层的步骤; b）蚀刻第一半导体层以形成图案化的第一半导体层的步骤; c）在图案化的第一半导体层上形成电介质层的步骤; 以及d）在图案化的第一半导体层和电介质层上形成第二半导体层的步骤。 形成纳米线结构的方法包括：e）重复a）步骤至d）步骤至少一次; f）重复步骤a）步骤c）步骤e）步骤一次; g）用于蚀刻图案化的第一半导体层，电介质层和第二半导体层以形成pin结构的步骤; 以及h）从所述引脚结构去除所述图案化的第一半导体层的步骤。

    표면 처리에 의한 선택적 퇴적
    8.
    发明授权
    표면 처리에 의한 선택적 퇴적 有权

    公开(公告)号：KR102249346B1

    公开(公告)日：2021-05-06

    申请号：KR1020190094267

    申请日：2019-08-02

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 유카이-훙 ,  타필리칸다바라엔. ,  하카마타다카히로 ,  칼숩하딥 ,  뢰싱크헤리트예이.

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285

    Abstract: 본발명의실시형태들은표면처리를이용한상이한물질들상의선택적퇴적을위한방법을제공한다. 일실시형태에따르면, 상기방법은제1 표면을가진제1 물질층 및제2 표면을가진제2 물질층을포함하는기판을제공하는단계; 및제2 표면을수산기(hydroxyl groups)로마감하는(terminate) 화학적산화물제거프로세스를수행하는단계를포함한다. 상기방법은소수성작용기(hydrophobic functional group)를함유하는프로세스가스에노출시킴으로써상기제2 표면을변형 - 상기변형은상기제2 표면상의수산기를소수성작용기로치환함 - 시키는단계; 및상기기판을퇴적가스(deposition gas)에노출시킴으로써상기변형된제2 표면이아닌상기제1 표면상에금속함유층을선택적으로퇴적하는단계를더 포함한다.

    표면 처리에 의한 선택적 퇴적
    10.
    发明公开
    표면 처리에 의한 선택적 퇴적 审中-实审
    通过表面处理进行选择性沉积

    公开(公告)号：KR1020170135760A

    公开(公告)日：2017-12-08

    申请号：KR1020170067619

    申请日：2017-05-31

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 유카이-훙 ,  타필리칸다바라엔. ,  하카마타다카히로 ,  칼숩하딥 ,  뢰싱크헤리트예이.

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285

    CPC classification number: C23C16/40 ,  B01D53/76 ,  B01D2251/202 ,  C23C16/04 ,  C23C16/401 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45563 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31053 ,  H01L2021/60052

    Abstract: 본발명의실시형태들은표면처리를이용한상이한물질들상의선택적퇴적을위한방법을제공한다. 일실시형태에따르면, 상기방법은제1 표면을가진제1 물질층 및제2 표면을가진제2 물질층을포함하는기판을제공하는단계; 및제2 표면을수산기(hydroxyl groups)로마감하는(terminate) 화학적산화물제거프로세스를수행하는단계를포함한다. 상기방법은소수성작용기(hydrophobic functional group)를함유하는프로세스가스에노출시킴으로써상기제2 표면을변형 - 상기변형은상기제2 표면상의수산기를소수성작용기로치환함 - 시키는단계; 및상기기판을퇴적가스(deposition gas)에노출시킴으로써상기변형된제2 표면이아닌상기제1 표면상에금속함유층을선택적으로퇴적하는단계를더 포함한다.

    Abstract translation: 本发明的实施例提供了一种使用表面处理在不同材料上选择性沉积的方法。 根据一个实施例，该方法包括以下步骤：提供衬底，该衬底包括具有第一表面的第一材料层和具有第二表面的第二材料层; 并且执行终止第二表面的羟基的化学氧化物去除工艺。 所述方法包括：通过将所述第二表面暴露于含有疏水性官能团的处理气体而使所述第二表面变形，所述变形用疏水性官能团取代所述第二表面上的羟基; 并且通过将衬底暴露于沉积气体，在不是变形的第二表面的第一表面上选择性地沉积含金属层。

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