公开(公告)号：KR100887378B1

公开(公告)日：2009-03-06

申请号：KR1020080044684

申请日：2008-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시 ,  미즈모토카즈요시 ,  하야시다카즈히사 ,  세키모토에이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/168

Abstract: 본 발명은 열처리장치, 열처리방법 및 패턴형성방법에 관한 것으로서, 불활성가스가 유통하는 처리용기의 내부에 있어서, 가열플레이트에 도포액이 도포된 기판을 재치한다. 상기 불활성가스의 유통량을 매우 작은 제 1 유통량으로 하여, 상기 가열플레이트에 의해 상기 기판을 가열한다. 이어서, 상기 불활성가스의 유통량을 상기 제 1 유통량보다 큰 제 2 유통량으로 하여, 상기 가열플레이트에 의해 기판을 가열한다. 또한, 상기 처리용기내의 상기 도포액의 용제농도를 검출한다. 가열개시후에 검출된 용제농도를 기초로 소정용제농도까지는 일정시간 소정 배기량이 되도록 상기 불활성가스의 공급량 및 배기량을 제어한다. 상기 일정시간 후에, 상기 소정용제농도에 도달하지 않는 경우, 또는 상기 소정용제농도를 초과하는 경우는, 상기 소정용제농도가 되도록 제어처리를 실행한다. 이와 같은 2도의 열처리 또는 용제농도제어에 의해, 레지스트에 포함되는 광산 발생제의 비산정도를 웨이퍼면내에 있어서 정렬된 상태로 레지스트의 용제를 휘발시키는 것이 가능하고, 레지스트의 막질의 균일성을 확보한 상태에서 열처리를 실행하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020020050118A

公开(公告)日：2002-06-26

申请号：KR1020010079950

申请日：2001-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시 ,  미즈모토카즈요시 ,  하야시다카즈히사 ,  세키모토에이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/168

Abstract: PURPOSE: To enhance film quality uniformity of resist when performing heating treatment for a substrate whereto coating solution, such as chemical amplification type resist is applied. CONSTITUTION: In a heating unit 2 provided to an application/development device, for example, a flow rate of inert gas to a treatment container 21 is set at a very low first flow rate, such as 0.5 l/min. A wafer W whereto chemical amplification type resist is applied is mounted on a heating plate 4 and heated. Then, the flow rate of inert gas is set at a second flow rate which is larger than the first flow rate, such as 3 l/min and the wafer W is further heated by a heating plate. Thereby, solvent of resist can be volatilized keeping sputtering of optical acid generating agent contained in resist uniform in a wafer plane, thus enabling carrying out heat treatment, while ensuring uniformity of film quality of resist.

Abstract translation: 目的：为了提高对涂布溶液（如化学放大型抗蚀剂）的基板进行加热处理时，提高抗蚀剂的膜质均匀性。 构成：在设置于施加/显影装置的加热单元2中，例如，向处理容器21的惰性气体的流量设定为非常低的第一流量，例如0.5l / min。 将施加化学放大型抗蚀剂的晶片W安装在加热板4上并加热。 然后，将惰性气体的流量设定为大于第一流量的第二流量，例如3l / min，并且通过加热板进一步加热晶片W. 因此，抗蚀剂的溶剂可以挥发，保持在抗蚀剂中含有的光学酸产生剂在晶片平面中均匀的溅射，从而能够进行热处理，同时确保抗蚀剂的膜质量的均匀性。

公开(公告)号：KR100858693B1

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：KR1020010079950

申请日：2001-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시 ,  미즈모토카즈요시 ,  하야시다카즈히사 ,  세키모토에이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/168

Abstract: 본 발명은 열처리장치, 열처리방법 및 패턴형성방법에 관한 것으로서, 불활성가스가 유통하는 처리용기의 내부에 있어서, 가열플레이트에 도포액이 도포된 기판을 재치한다. 상기 불활성가스의 유통량을 매우 작은 제 1 유통량으로 하여, 상기 가열플레이트에 의해 상기 기판을 가열한다. 이어서, 상기 불활성가스의 유통량을 상기 제 1 유통량보다 큰 제 2 유통량으로 하여, 상기 가열플레이트에 의해 기판을 가열한다. 또한, 상기 처리용기내의 상기 도포액의 용제농도를 검출한다. 가열개시후에 검출된 용제농도를 기초로 소정용제농도까지는 일정시간 소정 배기량이 되도록 상기 불활성가스의 공급량 및 배기량을 제어한다. 상기 일정시간 후에, 상기 소정용제농도에 도달하지 않는 경우, 또는 상기 소정용제농도를 초과하는 경우는, 상기 소정용제농도가 되도록 제어처리를 실행한다. 이와 같은 2도의 열처리 또는 용제농도제어에 의해, 레지스트에 포함되는 광산 발생제의 비산정도를 웨이퍼면내에 있어서 정렬된 상태로 레지스트의 용제를 휘발시키는 것이 가능하고, 레지스트의 막질의 균일성을 확보한 상태에서 열처리를 실행하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020080059120A

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：KR1020080044684

申请日：2008-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시 ,  미즈모토카즈요시 ,  하야시다카즈히사 ,  세키모토에이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/168 ,  H01L21/67103

Abstract: An apparatus and a method for thermal processing and a pattern formation method are provided to increase uniformity of film properties after heat treatment by controlling flow of inactive gas or solvent concentration so as to improve uniformity of the development line width. A heating process unit(2) has a process container(21). A solvent concentration sensor(70) is installed in the process container by passing through a cover(21a) and a rectifying plate(26). The sensor is not limited to the upper part of the process unit and is inserted in the process container from the side installed with arms(22). A solvent concentration value in the process container is transmitted to a control part(5). The control part adjusts opening and closing valves(V1,V2) based on the detected solvent concentration value. The change of solvent concentration in the process unit is displayed on a display.

Abstract translation: 提供一种用于热处理和图案形成方法的装置和方法，以通过控制惰性气体或溶剂浓度的流动来提高热处理后的膜性能的均匀性，从而提高显影线宽度的均匀性。 加热处理单元（2）具有处理容器（21）。 溶剂浓度传感器（70）通过盖（21a）和整流板（26）安装在处理容器中。 传感器不限于处理单元的上部，并且从安装有臂（22）的一侧插入到处理容器中。 处理容器中的溶剂浓度值被传送到控制部分（5）。 控制部根据检测出的溶剂浓度值来调节开闭阀（V1，V2）。 处理单元中溶剂浓度的变化显示在显示屏上。