公开(公告)号：KR101410567B1

公开(公告)日：2014-06-23

申请号：KR1020090013829

申请日：2009-02-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시

IPC: H01L21/027

Abstract: 기판을 회전시킨 상태로 도포액을 도포할 때에, 1종류의 도포액으로, 칼깃 마크의 발생을 억제하면서, 도포막의 막두께의 조정 범위를 크게 하는 것이다.
도포 유닛은, 커버 부재(4)의 상부판(31)을, 상기 스핀척(2)에 놓여진 웨이퍼(W)의 표면에 접근시키고, 상기 스핀척(2)과 커버 부재(4)를 동일한 방향으로 회전시키는 것에 의해, 상기 웨이퍼(W) 표면의 중심부에 공급된 도포액을 원심력에 의해 넓게 펼쳐져 도포막의 막두께를 조정하고, 그 다음에 상기 스핀척(2) 및 커버 부재(4)를, 상기 도포막의 막두께를 조정할 때보다 낮은 회전수로 회전시키면서, 상기 커버 부재(4)를 상승시켜 상기 도포막속의 용제를 휘발시키도록 구성된다.

Abstract translation: 当在旋转基板的同时涂布涂布液时，用一种涂布液增加涂布膜的膜厚的范围，同时抑制卷曲标记的产生。

公开(公告)号：KR1020100066399A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020090121116

申请日：2009-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: A heat processing device is provided to prevent impurities included in discharged gas from being attached to the inner wall of a discharging pipe path by heating the gas provided from a gas supplier based on a detection signal from a temperature detection sensor. CONSTITUTION: A heat plate(65) heats a processed substrate at a predetermined temperature. An exhaust pipe(66) is arranged on the upper side of a processing chamber and exhausts the gas inside the process chamber. An exhaust pipe path(67) is connected to the exhaust pipe. A gas supply unit(70) is installed in the exhaust pipe path. A control unit(75) controls the gas supply unit.

Abstract translation: 目的：提供一种热处理装置，用于通过基于来自温度检测传感器的检测信号，对从气体供给器提供的气体进行加热来防止排出气体中所含的杂质附着在排出管路的内壁。 构成：加热板（65）在预定温度下加热经处理的基板。 在处理室的上侧设有排气管66，排出处理室内的气体。 排气管路（67）与排气管连接。 气体供给单元（70）安装在排气管路中。 控制单元（75）控制气体供应单元。

公开(公告)号：KR100919069B1

公开(公告)日：2009-09-28

申请号：KR1020047005593

申请日：2002-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시 ,  소마야스타카 ,  기타노다카히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: A heat treatment apparatus configured to perform heat treatment on a wafer having a surface on which a coating film is formed, and includes: a holding member for holding the wafer almost horizontally; a chamber for housing the wafer held by the holding member; a hot plate having gas permeability and disposed above the wafer held by the holding member in the chamber so that the coating film formed on the wafer can be directly heated; and an exhaust port provided on the top face of the chamber and exhausting gas in the chamber. Gas generated from the coating film passes through the hot plate and is exhausted from the chamber. Accordingly, uniformity of a coating film is improved. As a result, CD uniformity may be improved, LER characteristics may be improved, and a smooth pattern side face may be obtained.

公开(公告)号：KR100887378B1

公开(公告)日：2009-03-06

申请号：KR1020080044684

申请日：2008-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시 ,  미즈모토카즈요시 ,  하야시다카즈히사 ,  세키모토에이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/168

Abstract: 본 발명은 열처리장치, 열처리방법 및 패턴형성방법에 관한 것으로서, 불활성가스가 유통하는 처리용기의 내부에 있어서, 가열플레이트에 도포액이 도포된 기판을 재치한다. 상기 불활성가스의 유통량을 매우 작은 제 1 유통량으로 하여, 상기 가열플레이트에 의해 상기 기판을 가열한다. 이어서, 상기 불활성가스의 유통량을 상기 제 1 유통량보다 큰 제 2 유통량으로 하여, 상기 가열플레이트에 의해 기판을 가열한다. 또한, 상기 처리용기내의 상기 도포액의 용제농도를 검출한다. 가열개시후에 검출된 용제농도를 기초로 소정용제농도까지는 일정시간 소정 배기량이 되도록 상기 불활성가스의 공급량 및 배기량을 제어한다. 상기 일정시간 후에, 상기 소정용제농도에 도달하지 않는 경우, 또는 상기 소정용제농도를 초과하는 경우는, 상기 소정용제농도가 되도록 제어처리를 실행한다. 이와 같은 2도의 열처리 또는 용제농도제어에 의해, 레지스트에 포함되는 광산 발생제의 비산정도를 웨이퍼면내에 있어서 정렬된 상태로 레지스트의 용제를 휘발시키는 것이 가능하고, 레지스트의 막질의 균일성을 확보한 상태에서 열처리를 실행하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020100064341A

公开(公告)日：2010-06-14

申请号：KR1020090118791

申请日：2009-12-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742

Abstract: PURPOSE: A substrate heating apparatus and a substrate heating method are provided to heat a substrate with high surface uniformity by forming a plurality of gas outlets and an exhaust pipe on a rectification surface unit facing a processing surface. CONSTITUTION: A substrate holding support unit is installed inside a processing container, and holds and supports a substrate. A rectification surface unit is installed to face a processing surface of the substrate which is held and supported on the substrate holding support part. A plurality of gas outlets(35) respectively discharges the gas simultaneously. A plurality of exhaust pipes(36) simultaneously absorbs and exhausts the gas when the gas is discharged respectively. A heating unit is installed on the gas outlet and heats the gas which is sent to the gas outlet.

Abstract translation: 目的：提供一种基板加热装置和基板加热方法，通过在面向加工表面的整流表面单元上形成多个气体出口和排气管来加热具有高表面均匀性的基板。 构成：衬底保持支撑单元安装在处理容器内，并保持和支撑衬底。 整流面单元被安装成面对保持并支撑在基板保持支撑部上的基板的处理面。 多个气体出口（35）分别同时排出气体。 当气体分别排出时，多个排气管（36）同时吸收和排出气体。 加热单元安装在气体出口上，并加热送到气体出口的气体。

公开(公告)号：KR1020090117599A

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：KR1020090013829

申请日：2009-02-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70608 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715

Abstract: PURPOSE: A coating apparatus, a coating method thereof, and a storage medium are provided to suppress a mark by preventing the change of an air current on the surface of a substrate even though the thickness of a layer is thin. CONSTITUTION: A substrate holding unit maintains a substrate horizontally and rotates around the vertical axis. A cover unit(4) includes an upper plate(41) facing the substrate while making an empty part in an upper side of the substrate. The cover unit rotates around the vertical axis freely and is larger than the substrate. A lift unit lifts the cover unit in comparison with the substrate holding unit. A coating liquid nozzle(6) supplies the coating liquid including a component of a coating layer and a solvent to the surface of the substrate. A controller(8) controls the operations of the substrate holding unit, the cover unit, and the lift unit.

Abstract translation: 目的：提供一种涂布装置，其涂布方法和存储介质，以便即使层的厚度较薄，也可以通过防止基板表面上的气流的变化来抑制标记。 构成：基板保持单元水平地保持基板并围绕垂直轴线旋转。 盖单元（4）包括面向基板的上板（41），同时在基板的上侧形成空的部分。 盖单元绕垂直轴线自由旋转并且大于基板。 与基板保持单元相比，提升单元提升盖单元。 涂布液喷嘴（6）将包括涂层和溶剂的组分的涂布液供给到基板的表面。 控制器（8）控制基板保持单元，盖单元和升降单元的操作。

公开(公告)号：KR1020070024411A

公开(公告)日：2007-03-02

申请号：KR1020060080830

申请日：2006-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시 ,  데라다쇼오이찌 ,  미즈노쯔요시 ,  와까모또유끼히로

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  B05D1/42 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/12 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70716 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/6715

Abstract: A substrate processing apparatus is provided to sufficiently planarize the upper surface of a deposition layer by intermittently pressing the upper surface of the deposition layer by a pressure member. A retaining support member(121) retains and supports a substrate(W) in a process receptacle(120). A heating member(122) heats the substrate supported by the retaining support member. A pressure member whose lower surface is flat presses the upper surface of a substrate deposition layer downward. A control part(150) controls the operation of the heating member and the pressure member in a manner that the upper surface of the substrate deposition layer heated by the heating member is intermittently pressed by the pressure member. An exhaust part(143) exhausts the atmosphere of the process receptacle. A decompression apparatus decompress the process receptacle.

Abstract translation: 提供了一种衬底处理装置，通过用压力构件间歇地压制沉积层的上表面来使沉积层的上表面充分平坦化。 保持支撑构件（121）保持并支撑处理容器（120）中的衬底（W）。 加热构件（122）加热由保持支撑构件支撑的基板。 下表面平坦的压力部件向下压基板沉积层的上表面。 控制部分（150）以加热部件加热的基板沉积层的上表面被压力部件间歇地按压的方式控制加热部件和加压部件的操作。 排气部分（143）排出处理容器的气氛。 减压装置解压过程容器。

公开(公告)号：KR1020020050118A

公开(公告)日：2002-06-26

申请号：KR1020010079950

申请日：2001-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시 ,  미즈모토카즈요시 ,  하야시다카즈히사 ,  세키모토에이지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/168

Abstract: PURPOSE: To enhance film quality uniformity of resist when performing heating treatment for a substrate whereto coating solution, such as chemical amplification type resist is applied. CONSTITUTION: In a heating unit 2 provided to an application/development device, for example, a flow rate of inert gas to a treatment container 21 is set at a very low first flow rate, such as 0.5 l/min. A wafer W whereto chemical amplification type resist is applied is mounted on a heating plate 4 and heated. Then, the flow rate of inert gas is set at a second flow rate which is larger than the first flow rate, such as 3 l/min and the wafer W is further heated by a heating plate. Thereby, solvent of resist can be volatilized keeping sputtering of optical acid generating agent contained in resist uniform in a wafer plane, thus enabling carrying out heat treatment, while ensuring uniformity of film quality of resist.

Abstract translation: 目的：为了提高对涂布溶液（如化学放大型抗蚀剂）的基板进行加热处理时，提高抗蚀剂的膜质均匀性。 构成：在设置于施加/显影装置的加热单元2中，例如，向处理容器21的惰性气体的流量设定为非常低的第一流量，例如0.5l / min。 将施加化学放大型抗蚀剂的晶片W安装在加热板4上并加热。 然后，将惰性气体的流量设定为大于第一流量的第二流量，例如3l / min，并且通过加热板进一步加热晶片W. 因此，抗蚀剂的溶剂可以挥发，保持在抗蚀剂中含有的光学酸产生剂在晶片平面中均匀的溅射，从而能够进行热处理，同时确保抗蚀剂的膜质量的均匀性。

公开(公告)号：KR101479353B1

公开(公告)日：2015-01-05

申请号：KR1020090118791

申请日：2009-12-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명의 과제는 웨이퍼(W)의 가열 처리를 높은 면내 균일성을 갖고 행할 수 있고, 또한 가열 온도의 변경을 단시간에 행할 수 있는 기판 가열 장치를 제공하는 것이다.
승강 핀(28)에 보유 지지된 웨이퍼(W)와 대향하는 위치에 정류판(30)을 설치하고, 이 정류판(30)을 관통 홈(33)이 형성된 제1 플레이트(31)와 관통 구멍(34)이 형성된 제2 플레이트(32)를 교대로 적층시킨 다단 구조로 하고, 상기 관통 홈(33)과 상기 관통 구멍(34)을 연결시켜 유체의 유로로 한다. 이 유로의 웨이퍼(W)의 피처리면측은 가스 토출구(35) 또는 배기구(36)로서 형성된다.
기판 가열 장치, 냉각 플레이트, 웨이퍼, 정류판, 흡인 펌프

公开(公告)号：KR101464777B1

公开(公告)日：2014-11-24

申请号：KR1020090121116

申请日：2009-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신야히로시

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 열처리에 의해 발생하는 승화물 등의 불순물이 배기관로 내에 부착, 퇴적되는 것을 방지하는 열처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
처리실(63) 내에서 웨이퍼(W) 등을 열처리하는 열처리 장치에 있어서, 처리실 내에 배치되며, 웨이퍼를 배치하여 미리 정해진 온도로 가열하는 가열판(65)과, 처리실의 상부에 설치되며, 열처리에 의해 처리실 내에 발생하는 가스를 배기시키는 배기구(66)와, 배기구에 접속하는 배기관로(67)와, 배기관로에 되고, 배기 가스 내의 승화물 등의 불순물이 배기관로의 내벽에 부착되는 것을 방지하기 위해 그 배기관로의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 가스(공기, N
2 가스 등)를 분사하는 가스 분사 구멍(72)을 갖는 가스 공급 수단(70)을 설치한다. 이에 의해, 처리실로부터 배출된 승화물 등을 포함한 배기 가스가 배기관로에 흐를 때, 가스 공급 수단의 가스 분사 구멍으로부터 배기관로의 내벽 및 배기 가스의 흐름 방향을 따라 가스를 분사하여, 배기 가스가 배기관로의 내벽에 닿는 기회를 적게 한다.