公开(公告)号：KR1020030074833A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020037010739

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 네즈다카아키 ,  호리구치가츠미 ,  하야시다이스케 ,  츠카하라도시야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32623

Abstract: 플라즈마 처리 장치용 포커스 링은 피처리 기판(W)을 둘러싸도록 내측으로부터 순차적으로 내측 영역(12a), 중간 영역(12b) 및 외측 영역(12c)을 갖는다. 플라즈마에 노출되는 측에 있어서, 내측 영역(12a) 및 외측 영역(12c)의 표면은 유전체로 실질적으로 이루어지는 한편, 중간 영역(12b)의 표면은 전도체로 실질적으로 이루어진다. 중간 영역(12b)은, 중간 영역(12b)이 없는 경우에 피처리 기판(W)의 외주연부가 실질적으로 바로 위에 형성되는 플라즈마 밀도의 어떤 피크를 피처리 기판(W)의 외주연부보다 외측으로 이동시키도록 배치된다.

公开(公告)号：KR100893956B1

公开(公告)日：2009-04-20

申请号：KR1020037010739

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 네즈다카아키 ,  호리구치가츠미 ,  하야시다이스케 ,  츠카하라도시야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32623

Abstract: 플라즈마 처리 장치용 포커스 링은 피처리 기판(W)을 둘러싸도록 내측으로부터 순차적으로 내측 영역(12a), 중간 영역(12b) 및 외측 영역(12c)을 갖는다. 플라즈마에 노출되는 측에 있어서, 내측 영역(12a) 및 외측 영역(12c)의 표면은 유전체로 실질적으로 이루어지는 한편, 중간 영역(12b)의 표면은 도전체로 실질적으로 이루어진다. 중간 영역(12b)은, 중간 영역(12b)이 없는 경우에 피처리 기판(W)의 외주연부가 실질적으로 바로 위에 형성되는 플라즈마 밀도의 어떤 피크를 피처리 기판(W)의 외주연부보다 외측으로 이동시키도록 배치된다.