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公开(公告)号：KR100267617B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019940008615
申请日：1994-04-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/568 , H01L21/67017 , H01L21/67196 , Y10S414/139
Abstract: 진공처리장치는 복수의 반출입구를 가지며, 피처리체를 반송할 때에, 진공으로 유지되는 기밀구조의 기밀실과; 상기 반송실에 반출입구를 통하여, 접속된 적어도 한 개의 예비진공실과; 그 반송실에 상기 반출입구를 통하여 접속되고, 진공처리기구를 구비한 복수의 진공처리실과; 상기 복수의 반출입구를 개폐하기 위한 복수의 게이트밸브와; 상기 반출입실내에 설치되고, 다관절아암부재를 가지며, 상기 피처리체를 상기반송실과 상기 진공처리실 및 예비진공실과의 사이에서 반송하는 반송수단을 구비한다.
반송실내의 배기는 다관절 아암부재의 회동축의 축받이를 통하여 행해진다.-
公开(公告)号：KR1019940022726A
公开(公告)日：1994-10-21
申请号：KR1019940006705
申请日：1994-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 피처리체를 재치한 처리실 내에 고주파 전력을 인가함에 따라 상기 처리실 내에 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마의 분위기에서 피처리체에 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, 고주파 전력에 저주파 전력에 의한 변조를 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 전류방향이 시간이 경과함에 따라 변화하는 전력을 사용하여 처리실 내에 플라즈마를 발생시키고, 처리실 내에 재치된 피처리체에 대하여 플라즈마의 분위기하에서 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, 기본 주파수를 가지는 전력에, 기본 주파수의 n배(n=정수)의 주파수에 의하여 주파수 변조를 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 가스 도입수단을 가지는 전극에 형성한 제1가스 도입구멍을 통하여 처리실에 처리가스를 공급하면서 대향하는 전극에 유지한 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 가스 도입수단으로부터 가스 도입 구멍을 통하여 처리실에 유통하는 처리가스에 대하여, 처리실의 처리압력을 0.5Torr 이하로 설정한 때에, 가스 도입수단 내에 플라즈마 방전을 일으키지 않도록 저항을 부여하는 저항 부여수단이 설치되어 있는 플라즈마 처리장치를 제공한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100290048B1
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：KR1019940036495
申请日：1994-12-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: H01L21/30
Abstract: 광레지스터 막이 제거되어 노출된 주변부를 가지는 반도체 웨이퍼를 이방성 에칭하는 장치와, 진공으로 설정 가능한 처리실을 가진다. 처리실 내에는 대향하는 상하 전극이 배치되고, 이 사이에는 에칭 가스가 플라즈마화 된다. 하측 전극 위에는 정전척이 배치되고, 이 위에 웨이퍼가 얹힌다. 상하 전극 사이에는 상하로 이동할 수 있는 유전체로 된 링이 배치된다. 링 중앙부는 웨이퍼 주변부에 대향하여 오목한 후드로서 형성된다. 에칭 처리 중, 후드는 플라즈마 쉬스의 아래쪽에서 웨이퍼의 주변부를 접촉하지 않도록 덮고, 주변부에 대하여 에칭 처리가 실시되는 것을 방지한다.
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公开(公告)号：KR1019950021174A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019940033373
申请日：1994-12-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 처리장치에는 재치대상의 피처리체의 외주 가장자리를 눌려 소정위치로 위치결정하는 환형상의 누름면을 가지는 누름기구가 설치되어 있다. 반응 생성물이 누름면에 돌아 들어가 부착하는 것을 억제하는 반응 생성물 부착 억제부가 누름면의 내주쪽에 형성되어 있다. 그 때문에 누름면의 내주 위쪽에 부착한 반응 생성물이 피처리체에 접촉하는 것이 종래에 비하여 적게된다. 그 결과 반응 생성물이 박리하여 파티클로 되어 피처리체에 부착하는 것이 확실하게 적게된다. 그 때문에 반응 생성물의 세정에 관한 메인티넌스의 회수가 종래에 비하여 확실하게 적게되고, 처리의 스루풋이 향상되며, 피처리체의 수율이 향상된다.
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公开(公告)号：KR100324792B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019940006705
申请日：1994-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 피처리체를 재치한 처리실 내에 고주파 전력을 인가함에 따라 상기 처리실 내에 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마의 분위기하에서 피처리체에 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, 고주파 전력에 저주파 전력에 의한 변조를 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 전류방향이 시간이 경과함에 따라 변화하는 전력을 사용하여 처리실 내에 플라즈마를 발생시키고, 처리실 내에 재치된 피처리체에 대하여 플라즈마의 분위기하에서 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, 기본 주파수를 가지는 전력에, 기본 주파수의 n배(n=정수)의 주파수에 의하여 주파수 변조를 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 가스 도입수단을 가지는 전극에 형성한 제 1 가스 도입구멍을 통하여 처리실에 처리가스를 공급하면서 대향하는 전극에 유지한 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 가스 도입수단으로부터 가스 도입 구멍을 통하여 처리실에 유통하는 처리가스에 대하여, 처리실의 처리압력을 0.5Torr 이하로 설정한 때에, 가스 도입수단 내에 플라즈마 방전을 일으키지 않도록 저항을 부여하는 저항 부여수단이 설치되어 있는 플라즈마 처리장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1019950021168A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019940036495
申请日：1994-12-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
IPC: H01L21/30
Abstract: 광레지스터 막이 제거되어 노출된 주변부를 가지는 반도체 웨이퍼를 이방성 에칭하는 장치와, 진공으로 설정 가능한 처리실을 가진다. 처리실 내에는 대향하는 상하 전극이 배치되고, 이 사이에서 에칭 가스가 플라즈마화 된다. 하측 전극 위에는 정전척이 배치되고, 이 위에 웨이퍼가 얹힌다. 상하 전극 사이에는 상하로 이동할 수 있는 유전체로 된 링이 배치된다. 링 중앙부는 웨이퍼 주변부에 대향하여 오목한 후드로서 형성된다. 에칭 처리중, 후드는 플라즈마 쉬스는 아래쪽에서 웨이퍼의 주변부를 접촉하지 않도록 덮고, 주변부에 대하여 에칭 처리가 실시되는 것을 방지한다.
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