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公开(公告)号：KR100276736B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019940026833
申请日：1994-10-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/30
Abstract: 플라즈마 처리장치는, 가스도입 포트 및 가스 배기 포트를 가지는 처리실과, 피처리면을 가지는 웨이퍼를 지지하기 위하여 처리실내에 배치되는 얹어놓는 대와, 처리실로 고주파 에너지를 공급하고 처리실내에 유도 플라즈마를 발생하기 위한 고주파 안테나 및, 고주파 전압을 고주파 안테나로 인가하기 위한 고주파 전압원을 포함한다. 처리실내의 압력 및/또는 광변화는 측정시스템에 의하여 플라즈마의 발생시에 측정되며, 고주파 전압원은 측정시스템으로부터의 신호에 근거하여 제어되므로, 안테나에 인가되는 전압이 처리실내의 압력 및/또는 광에 따라 제어된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940022726A
公开(公告)日：1994-10-21
申请号：KR1019940006705
申请日：1994-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 피처리체를 재치한 처리실 내에 고주파 전력을 인가함에 따라 상기 처리실 내에 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마의 분위기에서 피처리체에 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, 고주파 전력에 저주파 전력에 의한 변조를 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 전류방향이 시간이 경과함에 따라 변화하는 전력을 사용하여 처리실 내에 플라즈마를 발생시키고, 처리실 내에 재치된 피처리체에 대하여 플라즈마의 분위기하에서 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, 기본 주파수를 가지는 전력에, 기본 주파수의 n배(n=정수)의 주파수에 의하여 주파수 변조를 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 가스 도입수단을 가지는 전극에 형성한 제1가스 도입구멍을 통하여 처리실에 처리가스를 공급하면서 대향하는 전극에 유지한 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 가스 도입수단으로부터 가스 도입 구멍을 통하여 처리실에 유통하는 처리가스에 대하여, 처리실의 처리압력을 0.5Torr 이하로 설정한 때에, 가스 도입수단 내에 플라즈마 방전을 일으키지 않도록 저항을 부여하는 저항 부여수단이 설치되어 있는 플라즈마 처리장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR100324792B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019940006705
申请日：1994-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 피처리체를 재치한 처리실 내에 고주파 전력을 인가함에 따라 상기 처리실 내에 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마의 분위기하에서 피처리체에 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, 고주파 전력에 저주파 전력에 의한 변조를 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 전류방향이 시간이 경과함에 따라 변화하는 전력을 사용하여 처리실 내에 플라즈마를 발생시키고, 처리실 내에 재치된 피처리체에 대하여 플라즈마의 분위기하에서 처리를 실시하는 플라즈마 처리방법에 있어서, 기본 주파수를 가지는 전력에, 기본 주파수의 n배(n=정수)의 주파수에 의하여 주파수 변조를 가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 가스 도입수단을 가지는 전극에 형성한 제 1 가스 도입구멍을 통하여 처리실에 처리가스를 공급하면서 대향하는 전극에 유지한 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 가스 도입수단으로부터 가스 도입 구멍을 통하여 처리실에 유통하는 처리가스에 대하여, 처리실의 처리압력을 0.5Torr 이하로 설정한 때에, 가스 도입수단 내에 플라즈마 방전을 일으키지 않도록 저항을 부여하는 저항 부여수단이 설치되어 있는 플라즈마 처리장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1019950020967A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019940035936
申请日：1994-12-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 플라즈마 생성중에 열교환버스를 사용하여 서셉터에 의한 피처리기판의 냉각효율을 높이는 플라즈마 처리장치는, 서셉터의 상면의 둘레가장자리부에 개구하는 제1의 통로와, 이 제1의 통로를 통하여 서셉터와 피처리기판과의 사이에 형성되는 작은 틈에 열교환가스를 공급하는 제1의 가스공급원과, 제1의 통로를 개재하여 서셉터와 웨이퍼와의 사이에 형성되는 작은 틈 안을 배기하는 제1의 진공펌프와, 서셉터의 상면의 중앙부에 개구하는 제2의 통로와, 이 제2의 통로를 개재하여 서셉터와 웨이퍼와의 사이에 형성되는 작은 틈에 열교환가스를 공급하는 제2의 가스공급원과, 제2의 통로를 개재하여 서셉터와 웨이퍼의 사이에 형성되는 작은 틈 안을 배기하는 제2의 진공 펌프와, 제2의 가스공급수단 및 제2의 진공펌프에 의하여 제2의 통로내에 발생시키 는 배압이, 제1의 가스공급원 제1의 진공펌프에 의하여 제1의 통로내에 발생시키는 배압보다 낮아지도록, 제1 및 제2의 가스공급원 그리고 제1 및 제2의 진공펌프를 개별로 제어하는 제어수단을 가진다.
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公开(公告)号：KR1019950012608A
公开(公告)日：1995-05-16
申请号：KR1019940026833
申请日：1994-10-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/30
Abstract: 플라즈마 처리장치는, 가스도입포트 및 가스 배기포트를 가지는 처리실과, 피처리면을 가지는 웨이퍼를 지지하기 위하여 처리실내에 배치되는 얹어놓는대와, 처리실로 고주파 에너지를 공급하고 처리실내에 유도플라즈마를 발생하기 위한 고주파 안테나 및, 고주파 전압을 고주파 안테나로 인가하기 위한 고주파 전압원을 포함한다. 처리실내의 압력 및/또는 광변화는 측정시스템에 의하여 플라즈마의 발생시에 측정되며, 고주파 전압원은 측정시스템으로부터의 신호에 근거하여 제어되므로, 안테나에 인가되는 전압이 처리실내의 압력 및/또는 광에 따라 제어된다.
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公开(公告)号：KR100313028B1
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：KR1019940035936
申请日：1994-12-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 플라즈마 생성중에 열교환가스를 사용하여 서셉터에 의한 피처리기판의 냉각효율을 높이는 플라즈마 처리장치는, 서셉터의 상면의 둘레가장자리부에 개구하는 제 1 통로와, 이 제 1 통로를 통하여 서셉터와 피처리기판과의 사이에 형성되는 작은 틈에 열교환가스를 공급하는 제 1 가스공급원과, 제 1 통로를 통하여 서셉터와 웨이퍼와의 사이에 형성되는 작은 틈 안을 배기하는 제 1 진공펌프와, 서셉터의 상면의 중앙부에 개구하는 제 2 통로와, 이 제 2 통하여 서셉터와 웨이퍼와의 사이에 형성되는 작은 틈에 열교환가스를 공급하는 제 2 가스공급원과, 제 2 통로를 통하여 서셉터와 웨이퍼의 사이에 형성되는 작은 틈 안을 배기하는 제 2 진공펌프와, 제 2 가스공급수단 및 제 2 진공펌프에 의하여 제 2 통로내에 발생시키는 배압이, 제 1 가스공급원 제 1 진 공펌프에 의하여 제 1 통로내에 발생시키는 배압보다 낮아지도록, 제 1 및 제 2 가스공급원 그리고 제 1 및 제 2 진공펌프를 개별로 제어하는 제어수단을 가진다.
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