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    텅스텐 막의 성막 방법
    1.
    发明公开
    텅스텐 막의 성막 방법 审中-实审
    TUNGSTEN膜形成方法

    公开(公告)号：KR1020160094310A

    公开(公告)日：2016-08-09

    申请号：KR1020160010166

    申请日：2016-01-27

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  호타다카노부 ,  마루야마도모히사 ,  아이바야스시

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455

    Abstract: 원료가스로서 WCl가스를이용한 ALD 법에의해, 높은생산성으로매립성이양호한텅스텐막을성막할수 있는텅스텐막의성막방법을제공한다. 피처리기판이수용되며, 감압분위기하에보지된챔버내에, 텅스텐원료가스로서의염화텅스텐가스, 및염화텅스텐가스를환원하는환원가스를, 챔버내의퍼지를사이에두고교대로공급하는 ALD 법에의해피처리기판의표면에텅스텐막을성막할때, 염화텅스텐가스를공급할때에, ALD 반응이주체가될 정도로환원가스를첨가한다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够通过使用WCl 6气体作为源气体的原子层沉积（ALD）定律沉积生产率高的钨膜的钨膜沉积方法。 在减压环境下，在含有工艺靶向衬底的腔室中，通过提供还原气体的ALD将钨膜沉积在过程靶向衬底的表面上，将钨气体作为钨源气体还原， 氯化钨气体。 并且当提供氯化钨气体时，加入还原气体直到ALD反应成为受试者。

    금속막의 성막 방법 및 기억 매체
    2.
    发明授权
    금속막의 성막 방법 및 기억 매체 有权
    沉积金属薄膜和存储介质的方法

    公开(公告)号：KR101789864B1

    公开(公告)日：2017-10-25

    申请号：KR1020140157023

    申请日：2014-11-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마에카와고지 ,  야마우치스스무 ,  호타다카노부

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

    Abstract: CVD에의해고 스루풋으로불순물이적은금속막을성막할수 있는금속막의성막방법을제공한다. 처리용기내에피처리기판을배치하여, 피처리기판상에, 분자구조중에질소-탄소결합을가지는배위자를갖고, 배위자중의질소가금속에배위한구조를가지는금속함유화합물가스와, 환원가스로서의암모니아를공급하여, CVD에의해초기금속막을성막하고, 그후, 처리용기내에수소가스를공급하여피처리기판에대해서수소처리를행하고, 그후, 처리용기내를, 암모니아를포함하는분위기로하고, 그후, 피처리기판에형성된초기금속막상에, 초기금속막을성막할때의금속함유화합물가스와, 환원가스로서의수소가스를공급하여, CVD에의해주 금속막을성막한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种通过CVD处理能够沉积具有少量杂质的金属膜的金属膜的形成方法。 的板状通过将外延工艺基板的内部，所述处理器处理容器，在与具有配体具有碳键的含金属化合物气体的分子结构的氮，在具有用于船舶的结构与金属的配位体的氮，氨作为还原性气体， 然后，向处理容器内供给氢气，对被处理基板进行氢处理后，将处理容器设定为含有氨的气氛， 将形成初始金属膜和作为还原气体的氢气时的含金属化合物气体提供给形成在处理后的基板上的初始金属膜，以通过CVD形成金属膜。

    금속막의 성막 방법 및 기억 매체
    3.
    发明公开
    금속막의 성막 방법 및 기억 매체 有权
    形成金属膜的方法

    公开(公告)号：KR1020150060532A

    公开(公告)日：2015-06-03

    申请号：KR1020140157023

    申请日：2014-11-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마에카와고지 ,  야마우치스스무 ,  호타다카노부

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

    CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28556 ,  H01L2924/01001

    Abstract: CVD에의해고 스루풋으로불순물이적은금속막을성막할수 있는금속막의성막방법을제공한다. 처리용기내에피처리기판을배치하여, 피처리기판상에, 분자구조중에질소-탄소결합을가지는배위자를갖고, 배위자중의질소가금속에배위한구조를가지는금속함유화합물가스와, 환원가스로서의암모니아를공급하여, CVD에의해초기금속막을성막하고, 그후, 처리용기내에수소가스를공급하여피처리기판에대해서수소처리를행하고, 그후, 처리용기내를, 암모니아를포함하는분위기로하고, 그후, 피처리기판에형성된초기금속막상에, 초기금속막을성막할때의금속함유화합물가스와, 환원가스로서의수소가스를공급하여, CVD에의해주 금속막을성막한다.

    Abstract translation: 提供一种形成能够通过CVD形成具有低产生量的低杂质的金属膜的金属膜的方法。 对象基板布置在处理室中。 在对象基板上形成分子结构中具有氮 - 碳结合的配体。 供给具有配位体中的氮配位金属和氨作为还原气体的结构的含金属化合物气体。 通过CVD形成初始金属膜。 之后，通过向处理室供给氢气，在对象基板上进行氢化处理。 之后，在处理室中形成包含氨的气氛。 之后，通过CVD形成主金属膜，通过在形成有初始金属膜的情况下，将含金属化合物气体和氢气作为还原气体供给到形成在对象基板上的初始金属膜上。

    텅스텐 막의 성막 방법
    5.
    发明公开
    텅스텐 막의 성막 방법 审中-实审
    TUNGSTEN膜形成方法

    公开(公告)号：KR1020170017963A

    公开(公告)日：2017-02-15

    申请号：KR1020170014437

    申请日：2017-02-01

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 호타다카노부 ,  아이바야스시

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/205 ,  H01L21/0228 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00

    Abstract: 공정이번잡하게되는일이없고, 또한미세화에의해서도베이스에악영향을미치는일이없으며, 또한고 스루풋으로매립부분의보이드나시임을해소한텅스텐막을성막한다. 챔버내에홀을갖는웨이퍼를배치하고, WCl가스및 H가스를동시에또는교대로공급하며, 웨이퍼를가열하면서이들가스를반응시켜서, 홀내에텅스텐의매립부를형성하고(스텝 1), 이어서챔버내에 WCl가스를공급해서매립부의상부를에칭하여개구를형성하며(스텝 2), 이어서챔버내에 WCl가스및 환원가스를동시에또는교대로공급하고, 웨이퍼를가열하면서 WCl가스및 환원가스를반응시켜서, 개구가형성된매립부를갖는웨이퍼에대하여텅스텐막을성막한다(스텝 3).

    Abstract translation: 在钨膜形成方法中，在处理室中设置有具有凹部的基板，并且在基板上形成第一钨膜，以通过同时或交替地供给WCl 6气体作为钨源并且还原 在处理室的减压气氛下，通过使WCl 6气体与还原气体反应同时加热基板。 然后，通过向处理室中供给WCl 6气体并蚀刻钨的上部，在填充在凹部中的钨形成开口。 此后，通过同时或交替地将WCl 6气体和还原气体供给到处理室中，并且通过在加热基板的同时使WCl 6气体与还原气体反应，在具有开口的基板上形成第二钨膜。

    텅스텐막의 성막 방법
    9.
    发明公开
    텅스텐막의 성막 방법 审中-实审
    形成电泳膜的方法

    公开(公告)号：KR1020160115781A

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：KR1020160034726

    申请日：2016-03-23

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 스즈키겐지 ,  마에카와고지 ,  호타다카노부

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/045 ,  C23C16/08 ,  C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02573 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01074

    Abstract: 본발명의과제는디바이스가미세화나복잡화되어도원료가스로서염화텅스텐가스를이용한 ALD법에의해, 양호한밀착성을갖는텅스텐막을양호한매립성으로성막하는것이다. 해결수단으로서, 염화텅스텐가스및 환원가스를, 챔버내의퍼지를사이에두고순차적으로챔버내에공급하여주 텅스텐막을성막하는주 텅스텐막성막공정과, 주텅스텐막성막공정에앞서, 염화텅스텐가스의공급량을주 텅스텐막성막공정보다적게하여, 염화텅스텐가스및 환원가스를퍼지가스의공급을사이에두고순차적으로, 또는염화텅스텐가스및 환원가스를동시에챔버내에공급하여, 하지막위에초기텅스텐막을성막하는초기텅스텐막성막공정을갖는다.

    Abstract translation: 在形成钨膜的方法中，在基底的下膜上形成初始钨膜和主钨膜。 通过在氯化钨气体和还原气体的供给之间提供净化气体的同时，将氯化钨气体和还原气体依次供给到室内，或者同时供给氯化钨气体，在初始钨膜上形成初始钨膜 和还原气体。 通过在氯化钨气体和还原气体的供给之间清洗室内，依次将氯化钨气体和还原气体供给到室中，在初始钨膜上形成主钨膜。 形成初始膜的氯化钨气体的供给量小于形成主钨膜时的供给量。

    텅스텐 막의 성막 방법
    10.
    发明公开
    텅스텐 막의 성막 방법 审中-实审
    TUNGSTEN膜形成方法

    公开(公告)号：KR1020150112863A

    公开(公告)日：2015-10-07

    申请号：KR1020150042116

    申请日：2015-03-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 호타다카노부 ,  아이바야스시

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 공정이번잡하게되는일이없고, 또한미세화에의해서도베이스에악영향을미치는일이없으며, 또한고 스루풋으로매립부분의보이드나시임을해소한텅스텐막을성막한다. 챔버내에홀을갖는웨이퍼를배치하고, WCl가스및 H가스를동시에또는교대로공급하며, 웨이퍼를가열하면서이들가스를반응시켜서, 홀내에텅스텐의매립부를형성하고(스텝 1), 이어서챔버내에 WCl가스를공급해서매립부의상부를에칭하여개구를형성하며(스텝 2), 이어서챔버내에 WCl가스및 환원가스를동시에또는교대로공급하고, 웨이퍼를가열하면서 WCl가스및 환원가스를반응시켜서, 개구가형성된매립부를갖는웨이퍼에대하여텅스텐막을성막한다(스텝 3).

    Abstract translation: 本发明涉及一种形成不具有复杂工艺的钨膜的方法; 由于细化效应，不会对基料产生不良影响; 具有高通量，从而避免在填充部分中产生空隙或接缝。 形成钨的方法包括以下步骤：通过在室内设置具有孔的晶片来形成在孔内的钨填充单元，一次或交替地供给WCl 6气体和H 2气体，并使WCl 6气体和H 2气体 通过加热晶片（步骤1）; 通过在室内供给WCl 6气体并蚀刻填充单元的上侧（步骤2）形成开口部分; 并且通过在室内一次或交替地供给WCl 6气体和还原气体，并且通过加热晶片使WCl 6气体和还原气体反应，形成与具有填充单元的晶片相关的钨膜，其中形成开口部分（步骤 3）。

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