公开(公告)号：KR101842720B1

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：KR1020120003374

申请日：2012-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼타케고우이치 ,  교우다히데하루 ,  니와다카후미

IPC: H01L21/027

Abstract: 본발명은린스액을이용하지않고, 유기현상처리의시간차의영향을받지않고회로패턴의미세선폭의안정화및 작업처리량의향상을도모할수 있도록한 유기현상처리방법및 유기현상처리장치를제공하는것을목적으로한다. 표면에레지스트가도포되고, 노광된후의웨이퍼(W)의표면에현상액을공급하여현상하는현상처리에있어서, 웨이퍼(W)의표면전역에동시에유기용제를함유하는현상액을토출하는현상노즐(30)과, 웨이퍼(W)의표면전역에현상정지및 건조용 N가스를토출하는가스노즐(40)을구비한다. 현상노즐(30)로부터웨이퍼(W)의표면전역에현상액을토출하여웨이퍼(W)의표면전역에동시에유기용제를함유하는현상액의액막을형성한후, 가스노즐(40)로부터웨이퍼(W)의표면전역에 N가스를토출하여, 현상을정지하고, 현상액을제거하여웨이퍼(W)를건조한다.

Abstract translation: 本发明是，代替使用的漂洗溶液，提供一种处理有机症状，这样就可以实现在有机的改进和发展微细线宽之间的时间差的稳定性和吞吐量的一种方式，而不会受到的电路图案和有​​机显影系统 的目的。 被施加到表面，在显影过程中对晶片（W），一种现象，即在同一时间喷射含有有机溶剂中，在晶片（W）的喷嘴的整个表面上的显影液之后开发和提供的显影溶液对曝光的表面上的抗蚀剂（30 以及气体喷嘴40，用于排出N气体，以在晶片W的整个表面上停止和干燥显影。 喷出显影液从显影液喷嘴30在晶片（W）的整个表面上以形成在同一时间在显影溶液的液膜后含有从气体喷嘴40在晶片（W）的整个表面上的有机溶剂中，在晶片（W） 然后停止显影，去除显影剂，并干燥晶片W.

公开(公告)号：KR1020120096406A

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：KR1020120003374

申请日：2012-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼타케고우이치 ,  교우다히데하루 ,  니와다카후미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341

Abstract: PURPOSE: An organic developing treatment method and an organic development treating device are provided to improve work efficiency by stabilizing a critical dimension of a circuit pattern without the influence of a time lag of an organic developing treatment. CONSTITUTION: A returning sphere(12) of a wafer(W) is formed in a lateral wall of a housing(11). A substrate holding chuck(20) arranging a wafer in a horizontal state is installed in the housing. The substrate holding chuck is rotated in a horizontal direction by driving of a rotary driving motor(21). The rotary driving motor, an elevating device(25), and a vacuum pump(24) are electrically connected to a controlling unit(100). A nozzle body(50) having a developing solution supplying nozzle(30) and a gas supplying nozzle(40) is mounted in the bottom of a top plate(26a) of a cover body(26).

Abstract translation: 目的：提供有机显影处理方法和有机显影处理装置，通过在不受有机显影处理的时滞的影响的情况下稳定电路图案的临界尺寸来提高工作效率。 构成：晶片（W）的返回球（12）形成在壳体（11）的侧壁中。 在水平状态下安装晶片的基板保持卡盘（20）安装在壳体中。 基板保持卡盘通过驱动旋转驱动马达（21）沿水平方向旋转。 旋转驱动电机，升降装置（25）和真空泵（24）电连接到控制单元（100）。 具有显影液供给喷嘴（30）和气体供给喷嘴（40）的喷嘴体（50）安装在盖体（26）的顶板（26a）的底部。

公开(公告)号：KR1020110047117A

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：KR1020100082019

申请日：2010-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니와다카후미 ,  교우다히데하루 ,  혼타케고우이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F1/60 ,  H01L21/0273

Abstract: PURPOSE: A method for processing a substrate and a computer-readable storage medium are provided to reduce an amount of supplied resist solutions for forming a second resist film by modifying the surface of a first resist pattern. CONSTITUTION: A first resist film is formed by spreading resist solutions on a wafer of a film(F). A first resist pattern is formed by selectively exposing and developing the first resist film. The surface(P1a) of the first resist pattern is modified by spreading an ether based surface modifier on a wafer. A second resist film(R2) is formed by spreading the resist solutions on the wafer with the first resist pattern. A second resist pattern is formed on the same layer as the first resist pattern by selectively exposing and developing the second resist layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理基板和计算机可读存储介质的方法，以通过修改第一抗蚀剂图案的表面来减少用于形成第二抗蚀剂膜的所提供的抗蚀剂溶液的量。 构成：通过将抗蚀剂溶液涂布在膜（F）的晶片上来形成第一抗蚀剂膜。 通过选择性地曝光和显影第一抗蚀剂膜形成第一抗蚀剂图案。 第一抗蚀剂图案的表面（P1a）通过在晶片上铺展醚基表面改性剂而被改性。 通过用第一抗蚀剂图案将抗蚀剂溶液铺展在晶片上来形成第二抗蚀剂膜（R2）。 通过选择性地曝光和显影第二抗蚀剂层，在与第一抗蚀剂图案相同的层上形成第二抗蚀剂图案。