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公开(公告)号：KR101608142B1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：KR1020140085962
申请日：2014-07-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 교우다히데하루
IPC: H01L21/208 , H01L21/08 , H01L21/683
Abstract: 본발명은웨이퍼(W)의외주부에적절한두께의막(RA)을형성하는것을과제로한다. 웨이퍼(W)의표면에레지스트액을공급하여레지스트액의막을형성하는기판처리방법은, 냉각제공급공정과, 약액공급공정과, 약액확산공정을포함하한다. 냉각제공급공정은레지스트액이웨이퍼(W)의외주부에도달하기전에행해지는것이며, 웨이퍼(W)를회전시키면서웨이퍼(W)의외주부의하면또는/및상면으로부터냉각액을공급하여외주부의온도를내린다. 약액공급공정은웨이퍼(W)의표면상에레지스트액을공급한다. 약액확산공정은레지스트액을웨이퍼(W) 상에서외주부까지확산시켜레지스트액의막을형성한다.
Abstract translation: 本发明消除了在晶片（W）的外围形成适当厚度的膜（RA）。 通过将抗蚀剂溶液供应到晶片W的表面上来形成抗蚀剂溶液膜的基板处理方法包括冷却剂供应步骤，化学溶液供应步骤和化学溶液扩散步骤。 在抗蚀剂溶液到达晶片W的外周部分之前执行冷却剂供应处理。在旋转晶片W的同时从晶片W的外周部分和/或上表面供应冷却剂以降低外周部分的温度。 药液供应步骤在晶片W的表面上供应抗蚀剂液体。 化学液体扩散步骤将抗蚀剂液体扩散到晶片W上至外围部分以形成抗蚀剂溶液膜。
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公开(公告)号：KR1020150011762A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：KR1020140085962
申请日：2014-07-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 교우다히데하루
IPC: H01L21/208 , H01L21/08 , H01L21/683
Abstract: 본 발명은 웨이퍼(W)의 외주부에 적절한 두께의 막(RA)을 형성하는 것을 과제로 한다.
웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 공급하여 레지스트액의 막을 형성하는 기판 처리 방법은, 냉각제 공급 공정과, 약액 공급 공정과, 약액 확산 공정을 포함하한다. 냉각제 공급 공정은 레지스트액이 웨이퍼(W)의 외주부에 도달하기 전에 행해지는 것이며, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 외주부의 하면 또는/및 상면으로부터 냉각액을 공급하여 외주부의 온도를 내린다. 약액 공급 공정은 웨이퍼(W)의 표면 상에 레지스트액을 공급한다. 약액 확산 공정은 레지스트액을 웨이퍼(W) 상에서 외주부까지 확산시켜 레지스트액의 막을 형성한다.Abstract translation: 本发明的目的是在晶片（W）的外周形成具有足够厚度的层（RA）。 一种处理衬底的方法，其中通过在晶片（W）的表面上提供抗蚀剂液体形成抗蚀剂液体层，包括提供冷却剂，供应化学品和扩散化学品的步骤。 在抗蚀剂液体到达晶片的外周边之前进行冷却剂的供给处理，在使晶片（W）旋转的同时，从晶片（W）的底面或/或上表面供给冷却液， 以降低外周的温度。 供给化学剂的过程将抗蚀剂液体供应到晶片（W）的表面上。 扩散化学品的过程将抗蚀剂液体扩散到晶片（W）的外周，形成抗蚀液层。
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公开(公告)号：KR101842720B1
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：KR1020120003374
申请日：2012-01-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 본발명은린스액을이용하지않고, 유기현상처리의시간차의영향을받지않고회로패턴의미세선폭의안정화및 작업처리량의향상을도모할수 있도록한 유기현상처리방법및 유기현상처리장치를제공하는것을목적으로한다. 표면에레지스트가도포되고, 노광된후의웨이퍼(W)의표면에현상액을공급하여현상하는현상처리에있어서, 웨이퍼(W)의표면전역에동시에유기용제를함유하는현상액을토출하는현상노즐(30)과, 웨이퍼(W)의표면전역에현상정지및 건조용 N가스를토출하는가스노즐(40)을구비한다. 현상노즐(30)로부터웨이퍼(W)의표면전역에현상액을토출하여웨이퍼(W)의표면전역에동시에유기용제를함유하는현상액의액막을형성한후, 가스노즐(40)로부터웨이퍼(W)의표면전역에 N가스를토출하여, 현상을정지하고, 현상액을제거하여웨이퍼(W)를건조한다.
Abstract translation: 本发明是，代替使用的漂洗溶液，提供一种处理有机症状，这样就可以实现在有机的改进和发展微细线宽之间的时间差的稳定性和吞吐量的一种方式，而不会受到的电路图案和有机显影系统 的目的。 被施加到表面，在显影过程中对晶片（W），一种现象，即在同一时间喷射含有有机溶剂中，在晶片（W）的喷嘴的整个表面上的显影液之后开发和提供的显影溶液对曝光的表面上的抗蚀剂（30 以及气体喷嘴40，用于排出N气体，以在晶片W的整个表面上停止和干燥显影。 喷出显影液从显影液喷嘴30在晶片（W）的整个表面上以形成在同一时间在显影溶液的液膜后含有从气体喷嘴40在晶片（W）的整个表面上的有机溶剂中，在晶片（W） 然后停止显影，去除显影剂，并干燥晶片W.
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公开(公告)号：KR101760552B1
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：KR1020140088256
申请日：2014-07-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/67046 , H01L21/68792
Abstract: 본발명은기판인웨이퍼(W)의이면을세정하는기판세정장치의소형화를도모하고, 기판세정처리의세정력을높이는것을과제로한다. 웨이퍼(W)를흡착패드(2)에유지하여수평방향으로이동하고있을때, 웨이퍼(W)의이면측의중앙영역을세정하고, 웨이퍼(W)가스핀척(3)에유지되어있을때, 웨이퍼(W)의이면의둘레가장자리영역을세정하는제1 및제2 세정부재(6A, 6B)를설치한다. 이와같이제1 및제2 세정부재(6A, 6B)를설치하고있기때문에, 세정부재가단독인경우에비해서세정력을높게할 수있다. 또한제1 및제2 세정부재(6A, 6B)는공통의선회축(52)에의해각각수평방향으로선회하도록구성되어있지만, 웨이퍼(W) 이면의중앙영역을세정할때에는선회축(52)은웨이퍼(W)에중첩되어위치하도록배치된다. 선회축(52)은웨이퍼(W)의이동영역을이용하여설치되기때문에, 장치의소형화가도모된다.
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公开(公告)号：KR1020080048917A
公开(公告)日：2008-06-03
申请号：KR1020070101991
申请日：2007-10-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/304 , G03F7/16
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/67276 , G03F7/16 , G03F7/7085 , H01L21/67046 , H01L21/67098
Abstract: A coating film forming apparatus and a coating film forming method are provided to prevent defocus due to particles on a rear surface of a substrate by inspecting a state of the particles on the rear surface and an edge of a substrate. A processing unit includes one or more coating units for applying a resist film or applying the resist film and an additional film on a substrate, and one or more thermally processing units for performing a thermal process necessary for forming the coating film on the substrate. A pre-coating cleaning unit cleans at least a rear surface and an edge of the substrate before transferring the substrate into the processing unit. A pre-coating check unit checks a state of a rear surface and an edge of the substrate before transferring the substrate into the processing unit. A control unit(20) inspects the substrate before the coating process, determines a state of particles in the rear surface and the edge of the substrate on the basis of the inspected results, and transfers the substrate according to the determined results.
Abstract translation: 提供一种涂膜形成装置和涂膜形成方法，用于通过检查基板的后表面和边缘上的颗粒的状态来防止由于颗粒在基板的后表面上的散焦。 处理单元包括用于施加抗蚀剂膜或将抗蚀剂膜和附加膜施加在基板上的一个或多个涂覆单元和用于进行在基板上形成涂膜所需的热处理的一个或多个热处理单元。 在将基板转移到处理单元之前，预涂层清洁单元至少清洁基板的后表面和边缘。 在将基板转移到处理单元之前，预涂层检查单元检查基板的后表面和边缘的状态。 控制单元（20）在涂布处理前检查基板，根据检查结果确定基板的后表面和边缘中的颗粒的状态，并根据确定的结果传送基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150011764A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：KR1020140088256
申请日：2014-07-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/67046 , H01L21/68792
Abstract: 본 발명은 기판인 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 기판 세정 장치의 소형화를 도모하고, 기판 세정 처리의 세정력을 높이는 것을 과제로 한다.
웨이퍼(W)를 흡착 패드(2)에 유지하여 수평 방향으로 이동하고 있을 때, 웨이퍼(W)의 이면측의 중앙 영역을 세정하고, 웨이퍼(W)가 스핀 척(3)에 유지되어 있을 때, 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리 영역을 세정하는 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)를 설치한다. 이와 같이 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)를 설치하고 있기 때문에, 세정 부재가 단독인 경우에 비해서 세정력을 높게 할 수 있다. 또한 제1 및 제2 세정 부재(6A, 6B)는 공통의 선회축(52)에 의해 각각 수평 방향으로 선회하도록 구성되어 있지만, 웨이퍼(W) 이면의 중앙 영역을 세정할 때에는 선회축(52)은 웨이퍼(W)에 중첩되어 위치하도록 배치된다. 선회축(52)은 웨이퍼(W)의 이동 영역을 이용하여 설치되기 때문에, 장치의 소형화가 도모된다.Abstract translation: 本发明的目的是使用于清洁晶片背面（W）的基板清洁装置最小化，并提高基板清洗工艺的去污力。 提供了当晶片（W）被吸收垫（2）保持并水平移动时，用于清洁晶片（W）的后表面中的中心区域的第一和第二清洁构件（6A，6B） 当晶片（W）被旋转卡盘（3）保持时，晶片（W）的后表面中的周边区域。 由于第一和第二清洁构件（6A，6B）如所述设置，因此与仅使用一个清洁构件相比，可以提高洗涤性。 此外，第一和第二清洁部件（6A，6B）被构造成由公共转动轴（52）水平转动。 然而，当清洁晶片（W）的后表面中的中心区域时，转动轴（52）被定位成与晶片（W）重叠。 由于通过使用晶片（W）的移动区域来定位转动轴（52），所以可以减小装置的尺寸。
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公开(公告)号：KR101070342B1
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020070101991
申请日：2007-10-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/304 , G03F7/16
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/67276
Abstract: 레지스트막노광전에기판에대하여레지스트막등으로이루어지는도포막을형성하는도포막형성장치는, 기판(W)에도포처리등을행하는처리부와, 기판을처리부에반입하기전에적어도기판의이면및 에지부를세정하는도포전 세정유닛과, 기판을처리부에반입하기전에기판(W)의이면및 에지부의상태를검사하는검사유닛과, 세정후, 검사유닛에서기판의검사를행하고, 그검사결과에기초하여기판의이면및 에지부에서의파티클상태가허용범위인지여부를판단하여, 허용범위였던경우에상기처리부에의기판의반입을허용하고, 허용범위로부터벗어난경우에상기도포전 세정유닛에서기판의세정을행하고나서처리부에의기판의반입을허용하는제어부를갖는다.
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公开(公告)号：KR1020090094802A
公开(公告)日：2009-09-08
申请号：KR1020097007305
申请日：2007-11-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70958 , G03F7/70341 , G03F7/70991 , H01L21/6715 , G03F7/16 , G03F7/70608
Abstract: An immersion exposure coat film forming apparatus is provided for forming a coat film composed of a resist film or a coat film composed of a resist film and other film on a substrate to be exposed by an immersion exposure apparatus through a liquid. The immersion exposure coat film forming apparatus is provided with one or a plurality of coating units for coating the substrate with the resist film or the resist film and other film; one or a plurality of thermal treatment units for performing thermal treatment required for coat film formation on the substrate; an inspection unit for inspecting the status of the coating film at the edge section of the substrate prior to immersion exposure; and a control section which judges whether the coat film status at the edge section of the substrate is within the allowable range or not, based on the inspection results obtained from the inspection unit, and permits the substrate to be carried into the exposure apparatus when it is within the allowable range.
Abstract translation: 提供一种浸渍曝光涂膜形成装置，用于在浸没曝光装置通过液体曝光的基板上形成由抗蚀剂膜或由抗蚀剂膜和其它膜构成的涂膜构成的涂膜。 浸渍曝光涂膜形成装置设置有一个或多个用于用抗蚀剂膜或抗蚀剂膜和其它膜涂覆基板的涂布单元; 一个或多个用于在基板上进行涂膜形成所需的热处理的热处理单元; 检查单元，用于在浸没曝光之前检查在所述基板的边缘部分处的所述涂膜的状态; 以及控制部，其基于从检查单元获得的检查结果，判断基板的边缘部的涂膜状态是否处于允许范围内，并且允许将基板搬运到曝光装置中 在允许的范围内。
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公开(公告)号：KR101184090B1
公开(公告)日：2012-09-18
申请号：KR1020097007305
申请日：2007-11-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70958 , G03F7/70341 , G03F7/70991 , H01L21/6715
Abstract: 액체를 통해 노광 처리를 시행하는 액침 노광 장치에 제공되는 기판에 대하여 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막으로 이루어지는 도포막을 형성하는 본 발명의 액침 노광용 도포막 형성 장치는, 기판에 레지스트막 또는 레지스트막과 다른 막을 도포하는 하나 또는 복수의 도포 유닛과, 기판에 대하여 도포막 형성에 필요한 열적 처리를 행하는 하나 또는 복수의 열적 처리 유닛과, 액침 노광 전에 기판의 엣지부에서의 도포막의 상태를 검사하는 검사 유닛과, 검사 유닛에서의 검사 결과에 기초하여 기판의 엣지부에서의 도포막의 상태가 허용 범위인지 여부를 판단하며, 허용 범위인 경우에 노광 장치에의 기판의 반입을 허용하는 제어부를 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020120096406A
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：KR1020120003374
申请日：2012-01-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/2041 , G03F7/70341
Abstract: PURPOSE: An organic developing treatment method and an organic development treating device are provided to improve work efficiency by stabilizing a critical dimension of a circuit pattern without the influence of a time lag of an organic developing treatment. CONSTITUTION: A returning sphere(12) of a wafer(W) is formed in a lateral wall of a housing(11). A substrate holding chuck(20) arranging a wafer in a horizontal state is installed in the housing. The substrate holding chuck is rotated in a horizontal direction by driving of a rotary driving motor(21). The rotary driving motor, an elevating device(25), and a vacuum pump(24) are electrically connected to a controlling unit(100). A nozzle body(50) having a developing solution supplying nozzle(30) and a gas supplying nozzle(40) is mounted in the bottom of a top plate(26a) of a cover body(26).
Abstract translation: 目的：提供有机显影处理方法和有机显影处理装置，通过在不受有机显影处理的时滞的影响的情况下稳定电路图案的临界尺寸来提高工作效率。 构成：晶片（W）的返回球（12）形成在壳体（11）的侧壁中。 在水平状态下安装晶片的基板保持卡盘（20）安装在壳体中。 基板保持卡盘通过驱动旋转驱动马达（21）沿水平方向旋转。 旋转驱动电机，升降装置（25）和真空泵（24）电连接到控制单元（100）。 具有显影液供给喷嘴（30）和气体供给喷嘴（40）的喷嘴体（50）安装在盖体（26）的顶板（26a）的底部。
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