公开(公告)号：KR100963722B1

公开(公告)日：2010-06-14

申请号：KR1020080013475

申请日：2008-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히구마마사카즈 ,  사사키야스하루 ,  아오토다다시 ,  기쿠치에이이치로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/20 ,  H01L21/67366 ,  H01L21/6875

Abstract: 기판 탑재대는 기판의 흡착 불량을 방지하여 기판 처리 장치의 가동률을 향상시킨다. 기판 탑재대는 기판 처리 장치 내에 배치되고 기판을 탑재하는 기판 탑재면을 갖는다. 기판 탑재면의 산술 평균 거칠기(Ra)는 제 1 소정값 이상이고, 기판 탑재면의 초기 마모 높이(Rpk)는 제 2 소정값 이하이다.

公开(公告)号：KR1020080089256A

公开(公告)日：2008-10-06

申请号：KR1020080028971

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오토다다시 ,  기쿠치에이이치로 ,  히구마마사카즈 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6875

Abstract: A surface processing method for mounting a stage is provided to form a mounting surface corresponding to a substrate by planarizing the mounting surface. A wafer(W) is transferred into a chamber and is mounted on a mounting surface of the ESC(ElectroStatic Chuck)(S31). A high DC voltage is applied to the electrostatic electrode plate so that the wafer is electrostatically attracted to the mounting surface(S32). A processing gas is turned into plasma in a processing space(S33). The remaining processing gas is exhausted out of the chamber and the wafer is transferred out from the chamber(S34). The integrated time period of the radio frequency electrical power is compared with a predetermined time period(S35).

Abstract translation: 提供了一种用于安装台架的表面处理方法，以通过平坦化安装表面形成与基板相对应的安装表面。 将晶片（W）转移到室中并安装在ESC（静电卡盘）的安装表面上（S31）。 向静电极板施加高的直流电压，使得晶片被静电吸引到安装面（S32）。 在处理空间中处理气体变成等离子体（S33）。 剩余的处理气体从室中排出，并且将晶片从室转出（S34）。 将射频电力的积分时间与预定时间段进行比较（S35）。

公开(公告)号：KR100978167B1

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：KR1020080028971

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오토다다시 ,  기쿠치에이이치로 ,  히구마마사카즈 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6875

Abstract: 본 발명은, 시간과 노력을 절약하면서 기판과 합치하도록 탑재면을 형성할 수 있는 탑재대의 표면 처리 방법을 제공한다. 상기 기판은 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 수용실 내에 배치된 탑재대의 탑재면에 탑재된다. 탑재된 기판은 열팽창된다.

公开(公告)号：KR100995203B1

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：KR1020080025408

申请日：2008-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히구마마사카즈 ,  무토신지

IPC: H05H1/24

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/5096

Abstract: 본 발명은 고온으로 처리를 하는 경우이더라도, 용사피막에 손상이 발생하는 것을 억제할 수 있어, 절연불량에 의한 방전의 발생 등을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치용 구조체 및 플라즈마 처리 장치를 제공하는것을 목적으로 한다.
기재(100)에는, 원 구멍(101)이 형성되어 있고, 이 원 구멍(101)내에는, 절연성 세라믹 등으로부터 구성된 원통형상의 슬리브(120)가 마련되어 있다. 슬리브(120)는, 용사피막(110)과 접촉하지 않도록, 그 정상부(121)가, 원 구멍(101)의 상단부에서 소정거리 하측에 위치하도록 마련되어 있다. 또한, 정상부(121)보다 상측 부분의 원 구멍(101)의 측벽 부분에는, 절연체층(130)이 형성되어 있다. 그리고, 용사피막(110)과, 슬리브(120)와, 절연체층(130)에 의해, 기재(100)의 상면(제 1 면)과, 원 구멍(101) 내측면(제 2 면)을 덮는 절연면이 구성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020080085764A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：KR1020080025408

申请日：2008-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히구마마사카즈 ,  무토신지

IPC: H05H1/24

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/5096

Abstract: A plasma processing apparatus and a structure therein are provided to prevent a discharge from is generated by preventing a coating layer from being damaged. A plasma processing apparatus includes a member(100), an insulated coating layer(110), an insulated protective member(120), and an insulated layer(130). The member has at least first plane and a second plane. The insulated coating layer covers the first plane of the member. The insulated protective member covers the second plane and is composed of a material having a line expansion coefficient different from the member. The insulated layer is installed between the insulated coating layer and the protective member to separate the insulated coating layer from the insulated protective member. An insulated plane coats the first plane and the second plane by the insulated layer, the insulated protective member, and the insulated coating layer.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置及其结构，以防止通过防止涂层损坏而产生放电。 一种等离子体处理装置，包括构件（100），绝缘涂层（110），绝缘保护构件（120）和绝缘层（130）。 该构件至少具有第一平面和第二平面。 绝缘涂层覆盖构件的第一平面。 绝缘保护构件覆盖第二平面，并且由具有不同于构件的线膨胀系数的材料构成。 绝缘层安装在绝缘涂层和保护构件之间，以将绝缘涂层与绝缘保护构件分离。 绝缘平面通过绝缘层，绝缘保护构件和绝缘涂层涂覆第一平面和第二平面。

公开(公告)号：KR1020080076802A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020080013475

申请日：2008-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히구마마사카즈 ,  사사키야스하루 ,  아오토다다시 ,  기쿠치에이이치로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/20 ,  H01L21/67366 ,  H01L21/6875

Abstract: A substrate mounting stage and a method for treating a surface thereof are provided to prevent particles due to contact between a wafer and a surface of an electrostatic chuck. A substrate mounting stage(12) having a substrate mounting plane for mounting substrates is implemented in a substrate treatment unit for processing a treatment on the substrates. An arithmetic average roughness of the substrate mounting plane is more than a first predetermined value. An initial wear height of the substrate mounting plane is less than a second predetermined value. The first predetermined value is 0.45. The second predetermined value is 0.35. A roughness curve skewness of the substrate mounting plane is less than -1.5.

Abstract translation: 提供了基板安装台及其表面处理方法，以防止晶片与静电卡盘的表面之间的接触造成的颗粒。 在基板处理单元中实现具有用于安装基板的基板安装面的基板安装台（12），用于对基板进行处理。 基板安装面的算术平均粗糙度大于第一预定值。 基板安装面的初始磨损高度小于第二预定值。 第一预定值为0.45。 第二预定值为0.35。 基板安装面的粗糙度曲线偏度小于-1.5。