公开(公告)号：KR1020160094306A

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：KR1020160010019

申请日：2016-01-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키하라요시히데 ,  히사마츠토오루 ,  오이시토모유키 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 마스크의개구의애스펙트비가높아도, 피처리체상에형성되는실리콘산화막의막 두께의불균일을저감시킨다. 일실시형태의방법은, (a) 플라즈마처리장치의처리용기내에서, 할로겐화규소가스를포함하는제 1 가스의플라즈마를생성하여피처리체상에반응전구체를형성하는제 1 공정과, (b) 제 1 공정후에, 처리용기내에서희가스의플라즈마를생성하는제 2 공정과, (c) 제 2 공정후에, 처리용기내에서산소가스를포함하는제 2 가스의플라즈마를생성하여실리콘산화막을형성하는제 3 공정과, (d) 제 3 공정후에, 처리용기내에서희가스의플라즈마를생성하는제 4 공정을포함하는시퀀스를반복하여실리콘산화막을성막한다.

Abstract translation: 即使当掩模的开口的纵横比高时，形成在待处理物体上的氧化硅层的厚度的均匀性降低。 根据本发明实施例的处理被处理物体的方法通过重复以下顺序形成氧化硅层：a）通过产生等离子体在待处理物体上形成反应性前体的第一种方法 包括等离子体处理装置的处理容器内的卤化硅气体的第一气体; b）在第一处理之后在处理容器内产生惰性气体的等离子体的第二过程; c）通过在所述第二工艺之后通过在所述处理容器内产生包括氧气的第二气体的等离子体来形成氧化硅层的第三工艺; 以及d）在第三处理之后在处理容器内产生惰性气体的等离子体的第四过程。

公开(公告)号：KR1020160041778A

公开(公告)日：2016-04-18

申请号：KR1020150137873

申请日：2015-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키하라요시히데 ,  히사마츠토오루

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/321 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0338 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 멀티패터닝법에있어서마스크의치수의제어성을향상시킨다. 일실시형태의방법에서는, 제 1 마스크및 반사방지막상에실리콘산화막을형성하는공정이실행된다. 이공정에서는, 할로겐화규소가스를포함하는제 1 가스의플라즈마와산소가스를포함하는제 2 가스의플라즈마가교대로생성된다. 이어서, 제 1 마스크의측면상에형성된영역만이남도록실리콘산화막의다른영역이제거된다. 이어서, 제 1 마스크가제거된다. 이후, 반사방지막및 유기막이에칭된다.

Abstract translation: 就多图案化方法而言，增加了掩模尺寸可控性。 根据本发明的一个实施例，执行在第一掩模和防反射层上形成硅氧化层的制造工艺。 在该方法中，交替地形成包括卤代硅气体的第一气体和包括氧气的第二气体的等离子体的等离子体。 此外，去除硅氧化层的一个区域以仅保留形成在第一掩模的侧表面上的另一区域。 随后，消除第一掩模，并且蚀刻反射防止层和有机层。