公开(公告)号：KR102147822B1

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：KR1020157006406

申请日：2013-09-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키하라요시히데 ,  모치즈키히로미 ,  혼다마사노부 ,  가와마타마사야 ,  고바야시켄 ,  요시다료이치

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：KR101744625B1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020150021607

申请日：2015-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토무라마주 ,  와타나베히카루 ,  카토타카히코 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76897

Abstract: 산화실리콘으로구성된제 1 영역을질화실리콘으로구성된제 2 영역에대하여선택적으로에칭하는에칭방법이제공된다. 이에칭방법은공정(a)과공정(b)을포함한다. 공정(a)에서는, 플루오르카본가스의플라즈마에피처리체가노출되고, 제 2 영역상에제 1 영역상에형성되는보호막보다두꺼운보호막이형성된다. 공정(b)에서는, 플루오르카본가스의플라즈마에의해제 1 영역이에칭된다. 공정(a)에서는, 피처리체의온도가 60 ℃이상 250 ℃이하의온도로설정된다.

Abstract translation: 提供了一种蚀刻方法，用于相对于由氮化硅构成的第二区域选择性地蚀刻由氧化硅构成的第一区域。 该方法包括步骤（a）和（b）。 在步骤（a）中，碳氟化合物气体的等离子表面处理过的物质被暴露，并且形成比在第二区域上的第一区域上形成的保护膜更厚的保护膜。 在步骤（b）中，碳氟化合物气体释放到等离子体中的区域1被蚀刻。 在步骤（a）中，待处理物体的温度设定为60℃以上且250℃以下的温度。

公开(公告)号：KR101720670B1

公开(公告)日：2017-03-28

申请号：KR1020100111473

申请日：2010-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  무라카미타카히로 ,  미무라타카노리 ,  하나오카히데토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: B08B7/0035 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862

Abstract: 하부전극의셀프바이어스전압을상승시키지않고, 기판재치대의부착물의제거율을상승시킨다. 처리실(102) 내를소정의처리조건에기초하여클리닝할때 O가스와불활성가스로이루어진처리가스를하부전극(111)의셀프바이어스전압에따라그 절대값이작을수록 O가스의유량비가감소하고 Ar 가스의유량비가증대되도록설정한유량비로처리실내에공급하고, 하부전극(111)과상부전극(120)의전극간에고주파전력을인가하여플라즈마를발생시킨다.

Abstract translation: 在不提高下电极的自偏置电压的情况下，增加基板安装台上沉积物的去除速率。 处理室102时的在沿着所述O气体和包括工艺气体至该底电极111的自偏压的惰性气体的规定的处理条件的基础上进行清洁时，绝对值较小的减少O气体比率和Ar的流量 等离子体是通过在下电极111和上电极120的电极之间以设定的流量比率施加高频功率而产生的，以增加气体的流量。

公开(公告)号：KR1020160041764A

公开(公告)日：2016-04-18

申请号：KR1020150134479

申请日：2015-09-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기하라요시히데 ,  히사마츠도루 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/321 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0337

Abstract: 마스크의개구폭을조정하기위해, 전용성막장치를이용하지않고, 저온에서실리콘산화막을형성한다. 일실시형태의방법은, (a) 피처리체를수용한플라즈마처리장치의처리용기내에서, 할로겐화규소가스를포함하는제1 가스의플라즈마를생성하여반응전구체를형성하는제1 공정과, (b) 처리용기내의공간을퍼지하는제2 공정과, (c) 처리용기내에서산소가스를포함하는제2 가스의플라즈마를생성하여실리콘산화막을형성하는제3 공정과, (d) 처리용기내의공간을퍼지하는제4 공정을포함하는시퀀스를반복하여실리콘산화막을성막한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于处理待处理物体的方法，其能够通过在低温下形成氧化硅膜来调节掩模的开口宽度，而无需专门的成膜装置。 用于处理待处理物体的方法可以通过重复序列来形成二氧化硅膜，所述序列包括：通过在等离子体处理装置的处理容器中产生包括卤化硅的第一气态等离子体来形成响应前体的第一工艺（a） 容纳待处理的物体; 吹扫处理容器中的空间的第二工序（b）; 通过在处理容器中产生包括氧气的气态等离子体来形成二氧化硅膜的第三工序（c）; 以及清除处理容器中的空间的第四工序（d）。

公开(公告)号：KR1020160014543A

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：KR1020150106221

申请日：2015-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기하라요시히데 ,  혼다마사노부 ,  히사마츠도루

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/345 ,  C23C16/30 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3491

Abstract: 챔버내의전극에타겟으로서기능하는막을성막하고, 성막된막을스퍼터링하는것을목적으로한다. 기판을탑재하는제 1 전극과, 상기제 1 전극과대향해서배치되는제 2 전극을소정의갭으로대향해서배치한플라즈마처리장치로서, 상기제 2 전극에제 1 고주파전력을공급하는제 1 고주파전원과, 상기제 2 전극에직류전력을공급하는직류전원과, 챔버내에가스를공급하는가스공급원을갖되, 상기제 2 전극은, 제 1 가스와상기제 1 고주파전력을공급함으로써생성된플라즈마에의해서성막되는반응생성물의막을갖고, 상기제 2 전극은, 제 2 가스와상기제 1 고주파전력과상기직류전력을공급함으로써생성된플라즈마에의해서상기반응생성물의막을스퍼터링하는타겟으로되는플라즈마처리장치가제공된다.

Abstract translation: 本发明是在室内的电极上形成作为靶的薄膜，并溅射成膜。 其中用于安装基板的第一电极和与第一电极相对设置的第二电极的等离子体处理装置通过在其之间放置预定的间隙而彼此相对设置，包括：第一高频电源， 向第二电极提供第一高频电力; 向第二电极提供直流电力的直流电源; 以及向气室供给气体的气体供给源。 第二电极具有通过供给第一气体和第一高频电力而产生的等离子体形成的反应产物的膜，反应产物的膜是通过供给第二气体而产生的等离子体的溅射靶，第一高频 电源和直流电源。

公开(公告)号：KR101549264B1

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：KR1020090062557

申请日：2009-07-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  이치카와히로노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3127

Abstract: 본발명의과제는, 처리대상의기판에대해, 반도체디바이스의소형화요구를만족시키는치수의개구부로서, 에칭대상막에전사하기위한개구부를마스크막또는중간막에형성하는기판처리방법을제공하는것이다. 해결수단으로서, 실리콘기재(50) 상에아모퍼스카본막(51), SiON막(52), 반사방지막(53) 및포토레지스트층(54)이차례로적층되고, 포토레지스트층(54)은, 반사방지막(53)의일부를노출시키는개구부(55)를갖는웨이퍼(Q)에있어서, 가스부착계수(S)가, S= 0.1 내지 1.0의증착성가스인 CHF으로부터생성된플라즈마에의해포토레지스트막(54)의개구부(55)의측벽면에증착물(66)을퇴적시켜서개구부(55)의개구폭을소정폭으로축소시키는개구폭축소단계를갖는다.

公开(公告)号：KR1020140125370A

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：KR1020147021411

申请日：2013-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와마타마사야 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 기판 상에 형성된 비유전률이 상이한 제 1 막 및 제 2 막이 교호로 적층된 다층막을, 다층막 상의 포토레지스트층(PR)을 마스크로 하여 플라즈마에 의해 에칭하고, 다층막을 계단 형상으로 형성하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 포토레지스트층을 마스크로 하여 제 1 막을 에칭하는 제 1 공정과, 처리실 내의 압력을 6 ~ 30 Torr로 설정하고, 플라즈마 생성용의 고주파 전력과 바이어스용의 고주파 전력을 하부 전극에 인가함으로써 생성된 플라즈마에 의해, 포토레지스트층을 에칭하는 제 2 공정과, 포토레지스트층과 제 1 막을 상기 마스크로 하여 제 2 막을 에칭하는 제 3 공정을 반복 실행하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140068091A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147007812

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타가즈히로 ,  혼다마사노부 ,  가츠누마다카유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/26 ,  H01L2221/1015 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 에칭 처리 대상의 기판에 공급되는 에칭 가스의 공급 조건을 조절하는 공급 조건 조정부와, 탑재대 상에 탑재되는 상기 기판의 온도를 상기 반경 방향을 따라서 조정하는 온도 조정부와, 상기 공급 조건 조정부 및 상기 탑재대 사이의 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부를 가지는 에칭 장치에서 상기 기판을 에칭하는 에칭 방법으로서, 상기 기판의 온도가 상기 기판면내에서 균일하게 되도록 상기 온도 조정부에 의해 제어하는 공정과, 상기 플라즈마 발생부에 의해 발생되는 플라즈마 중의 활성종의 상기 기판 위쪽에서의 농도 분포를 상기 공급 조건 조정부에 의해 조정하는 공정을 포함하는 플라즈마 에칭 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR101061673B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020090013008

申请日：2009-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타마나부 ,  나카야마히로유키 ,  마스자와겐지 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리의 균일성 제어 범위가 넓고 또한 데포(deposit)에 의한 CD(critical dimension) 불균일과 같은 부작용이 잘 생기지 않는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 챔버(10)에 서로 대향하도록 배치되고, 외측 전극(34a) 및 내측 전극(34b)으로 이루어지는 상부 전극(34) 및 웨이퍼 지지용의 하부 전극(16)을 갖고, 하부 전극(16)에 40㎒의 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전원(89) 및 3.2㎒의 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전원(90)을 접속하고, 외측 전극(34a) 및 내측 전극(34b)에 각각 직류 전압을 인가하는 제 1 직류 전압 인가 회로(47a) 및 제 2 직류 전압 인가 회로(47b)를 접속하고, 플라즈마 생성 공간측에서 상부 전극(34)을 보았을 때의 외측 전극(34a)에 있어서의 주파수-임피던스 특성이, 외측 전극(34a)에 인가되는 직류 전압이 증가함에 따라, 40㎒에 있어서 임피던스가 감소하고, 3.2㎒에 있어서 임피던스가 증가하는 특성으로 된다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是，以控制等离子体的均匀性，加工范围广还提供了一种等离子体处理装置不引起副作用，如细微的凹凸（临界尺寸）CD由车厂（存款）。 用于支撑晶片的上电极34和下电极16布置成在腔室10中彼此面对并且包括外电极34a和内电极34b。 的第一连接到第二高频电源90用于施加第二射频发生器（89）和3.2㎒的第一射频功率施加高频电力，在各外部电极（34A）和内部电极（34b）的 连接所施加的第一直流电压的直流电压的等离子体生成空间侧观察在上部电极34时被施加到电路（47A）和第二直流电压施加电路（47B），在所述外电极（34A） 当施加到外部电极34a的DC电压增加时，频率阻抗特性在40MHz处的阻抗减小并且在3.2MHz处的阻抗增加。

公开(公告)号：KR101061621B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020090011185

申请日：2009-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마소이치로 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 높은 바이어스 전압을 인가한 이방성이 높은 플라즈마 에칭을 실행할 때에 있어서도, ArF 포토 레지스트의 표면 및 측벽의 거칠음을 억제할 수 있고, 스트라이에이션, LER, LWR의 발생을 억제해서 원하는 형상의 패턴을 정밀도 높게 형성할 수 있는 플라즈마 에칭 방법 및 컴퓨터 기억 매체를 제공한다. 피처리 기판상에 형성된 SiN층(104) 또는 산화 실리콘층을, ArF 포토 레지스트층(102)을 마스크로 해서 처리 가스의 플라즈마에 의해 에칭하는 플라즈마 에칭 방법으로서, 처리 가스는 적어도 CF
3 I 가스를 포함하고, 피처리 기판을 탑재하는 하부 전극에 13.56 ㎒ 이하의 주파수를 갖는 고주파 전력을 인가한다.

Abstract translation: 即使在施加高偏置电压的情况下执行高度各向异性等离子体蚀刻并抑制条纹的产生，LER和LWR，也可以抑制ArF光致抗蚀剂的表面和侧壁上的粗糙度， 提供等离子体蚀刻方法和计算机存储介质。 一种等离子体蚀刻方法，使用ArF光致抗蚀剂层（102）作为掩模，通过处理气体的等离子体蚀刻在被处理基板上形成的SiN层（104）或氧化硅层，