-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110120948A
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：KR1020117021550
申请日：2010-01-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L21/76876 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 챔버(1)내에 웨이퍼 W를 수용하고, 챔버(1)내에 1가 Cuβ 디케톤 착체인 Cu(hfac)TMVS와 이것을 환원하는 환원제를 기체 상태에서 도입하여, 웨이퍼W 상에 CVD법에 의해 Cu막을 성막한다.
-
公开(公告)号：KR1020110131273A
公开(公告)日：2011-12-06
申请号：KR1020117023704
申请日：2010-02-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285 , C23C16/18 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/76876 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 상대적으로 높은 제 1 온도로 유지된, 성막 하지막으로서의 Ru막을 갖는 웨이퍼에, Cu 착체로 이루어지는 성막 원료를 공급하여 웨이퍼 상에 Cu의 초기 핵을 생성하고, 그 후, 상대적으로 낮은 제 2 온도로 유지된 웨이퍼에, Cu 착체로 이루어지는 성막 원료를 공급하여 Cu의 초기 핵이 생성된 웨이퍼 상에 Cu를 퇴적시킨다.
-
公开(公告)号：KR1020110131274A
公开(公告)日：2011-12-06
申请号：KR1020117023799
申请日：2010-02-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285 , C23C16/18
CPC classification number: C23C16/18 , C23C16/45525
Abstract: 처리 용기내에 기판을 수용하고, 처리 용기내에 1가의 아미디네이트구리를 포함하는 성막 원료와 카복실산을 포함하는 환원제를 기상 상태로 도입하고, 이들을 기판 상에서 반응시켜, 기판 상에 Cu막을 퇴적시킨다.
-
公开(公告)号：KR101349423B1
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：KR1020117023704
申请日：2010-02-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285 , C23C16/18 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/76876 , H01L23/53238 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 상대적으로 높은 제 1 온도로 유지된, 성막 하지막으로서의 Ru막을 갖는 웨이퍼에, Cu 착체로 이루어지는 성막 원료를 공급하여 웨이퍼 상에 Cu의 초기 핵을 생성하고, 그 후, 상대적으로 낮은 제 2 온도로 유지된 웨이퍼에, Cu 착체로 이루어지는 성막 원료를 공급하여 Cu의 초기 핵이 생성된 웨이퍼 상에 Cu를 퇴적시킨다.
-
公开(公告)号：KR1020110120947A
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：KR1020117021545
申请日：2010-01-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53238 , C23C16/0281 , C23C16/18 , C23C16/45557 , H01L21/28556 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L21/76876 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 챔버(1)내에 CVD-Ru막을 갖는 웨이퍼 W를 수용하고, 챔버(1)내에, 성막중에 발생하는 부생성물인 Cu(hfac)
2 의 증기압이 그의 증기압보다 낮은 Cu 착체인 Cu(hfac)TMVS로 이루어지는 성막 원료를 기체 상태에서 도입하여, 웨이퍼 W에 형성된 CVD-Ru막상에 CVD-Cu막을 성막함에 있어서, 챔버(1)내의 압력을 CVD-Ru막 표면에 흡착된 Cu(hfac)
2 의 탈리 및 확산이 진행하는 압력으로 제어한다.
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.016 seconds)
