公开(公告)号：KR1020120070625A

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：KR1020127015373

申请日：2008-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 오오미타다히로 ,  테라모토아키노부 ,  고토테츠야 ,  다나카코우지

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: "The invention provides a photoelectric conversion element manufacturing apparatus that forms a semiconductor stack film on a substrate by using microwave plasma CVD. The apparatus includes a chamber which is a enclosed space containing a base, on which the a subject substrate for thin-film formation is mounted, a first gas supply unit which supplies plasma excitation gas to a plasma excitation region in the chamber, a pressure regulation unit which regulates pressure in the chamber, a second gas supply unit which supplies raw gas to a plasma diffusion region in the chamber, a microwave application unit which applies microwaves into the chamber, and a bias voltage application unit which selects and applies a substrate bias voltage to the substrate according to the type of gas."

公开(公告)号：KR101225632B1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：KR1020127015373

申请日：2008-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 오오미타다히로 ,  테라모토아키노부 ,  고토테츠야 ,  다나카코우지

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: (과제) 마이크로파 플라즈마에서의 고효율·고속 성막과 동시에, 산소 혼입을 저지하고, 결함수를 저감시킬 수 있는 광전 변환 소자 제조 장치 및 방법, 그리고 광전 변환 소자를 제공하기 위한 것이다.
(해결 수단) 본 발명은, 기판(W)상에 반도체의 적층막을 마이크로파 플라즈마 CVD법에 의해 성막시키는 광전 변환 소자 제조 장치(100)에 있어서, 박막을 성막시키고자 하는 대상의 기판(W)이 올려놓여지는 기대(base)를 내장하는 밀폐 공간인 챔버(10)와, 상기 챔버(10) 내의 플라즈마 여기 영역에 플라즈마 여기 가스를 공급하는 제1 가스 공급부(40)와, 상기 챔버(10) 내의 압력을 조정하는 조압부(70)와, 상기 챔버(10) 내의 플라즈마 확산 영역에 원료 가스를 공급하는 제2 가스 공급부(50)와, 마이크로파를 상기 챔버(10) 내에 도입하는 마이크로파 인가부(20)와, 상기 기판(W)에 대하여 기판 바이어스 전압을 상기 가스종에 따라서 선택하여 인가하는 바이어스 전압 인가부(60)를 구비한다.

公开(公告)号：KR101203963B1

公开(公告)日：2012-11-23

申请号：KR1020107013162

申请日：2008-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 오오미타다히로 ,  테라모토아키노부 ,  고토테츠야 ,  다나카코우지

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: "The invention provides a photoelectric conversion element manufacturing apparatus that forms a semiconductor stack film on a substrate by using microwave plasma CVD. The apparatus includes a chamber which is a enclosed space containing a base, on which the a subject substrate for thin-film formation is mounted, a first gas supply unit which supplies plasma excitation gas to a plasma excitation region in the chamber, a pressure regulation unit which regulates pressure in the chamber, a second gas supply unit which supplies raw gas to a plasma diffusion region in the chamber, a microwave application unit which applies microwaves into the chamber, and a bias voltage application unit which selects and applies a substrate bias voltage to the substrate according to the type of gas."

公开(公告)号：KR1020100087746A

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：KR1020107013162

申请日：2008-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 오오미타다히로 ,  테라모토아키노부 ,  고토테츠야 ,  다나카코우지

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: "The invention provides a photoelectric conversion element manufacturing apparatus that forms a semiconductor stack film on a substrate by using microwave plasma CVD. The apparatus includes a chamber which is a enclosed space containing a base, on which the a subject substrate for thin-film formation is mounted, a first gas supply unit which supplies plasma excitation gas to a plasma excitation region in the chamber, a pressure regulation unit which regulates pressure in the chamber, a second gas supply unit which supplies raw gas to a plasma diffusion region in the chamber, a microwave application unit which applies microwaves into the chamber, and a bias voltage application unit which selects and applies a substrate bias voltage to the substrate according to the type of gas."

公开(公告)号：KR1020100109566A

公开(公告)日：2010-10-08

申请号：KR1020107019388

申请日：2009-03-02

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오미타다히로 ,  고토테츠야 ,  다나카코우지 ,  사노유이치

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/07 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/108 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

Abstract: 본 발명의 과제는, 콘택트 저항을 저감시킴으로써 광전(光電) 변환 소자 구조의 변환 효율을 개선하는 것이다. 본 발명의 pin 구조의 광전 변환 소자 구조는 p형 반도체의 하전자대(荷電子帶)의 상한의 에너지 준위(準位) 또는 n형 반도체층의 전자 친화력과, 당해 반도체와 접촉하는 금속층의 워크 함수를 선택함으로써, 전극으로서 Al, Ag 등을 이용한 경우에 비교하여 콘택트 저항을 저감시킨다. 선택된 금속층은 Al, Ag 등에 의해 형성된 전극과 반도체와의 사이에 형성되거나, n형 또는 p형 반도체로 치환될 수 있다.

公开(公告)号：KR101210502B1

公开(公告)日：2012-12-10

申请号：KR1020107019388

申请日：2009-03-02

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오미타다히로 ,  고토테츠야 ,  다나카코우지 ,  사노유이치

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/07 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/108 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

Abstract: 본발명의과제는, 콘택트저항을저감시킴으로써광전(光電) 변환소자구조의변환효율을개선하는것이다. 본발명의 pin 구조의광전변환소자구조는 p형반도체의하전자대(荷電子帶)의상한의에너지준위(準位) 또는 n형반도체층의전자친화력과, 상기반도체와접촉하는금속층의워크함수를선택함으로써, 전극으로서 Al, Ag 등을이용한경우에비교하여콘택트저항을저감시킨다. 선택된금속층은 Al, Ag 등에의해형성된전극과반도체와의사이에형성되거나, n형또는 p형반도체로치환될수 있다.

公开(公告)号：KR1020100002139A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020090055884

申请日：2009-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카코우지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32697

Abstract: PURPOSE: A microwave plasma processing apparatus is provided to suppress accumulation in a mesh dome by making a temperature of the mesh dome higher than the temperature of an inner wall of a process container and a support stand. CONSTITUTION: A decompression state is maintained inside a process container(11). A support stand(13) is formed inside the process container. The support stand supports a substrate. A gas supply unit(31) supplies the gas to the inside of the process container. A microwave generator(24) generates the microwave. A plasma introduction unit is arranged to face the support stand and introduces the microwave to the process container. A mesh plate(50) is arranged between the plasma introduction unit and the support stand.

Abstract translation: 目的：提供一种微波等离子体处理装置，其通过使网状圆顶的温度高于处理容器和支撑台的内壁的温度来抑制网孔的积聚。 构成：在处理容器（11）内维持减压状态。 在处理容器内形成支撑台（13）。 支撑架支撑基板。 气体供给单元（31）将气体供给到处理容器的内部。 微波发生器（24）产生微波。 等离子体引入单元布置成面对支撑架并将微波引入到处理容器。 在等离子体引入单元和支撑架之间布置有网板（50）。