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公开(公告)号:KR1020040060919A
公开(公告)日:2004-07-06
申请号:KR1020047002596
申请日:2002-08-23
Applicant: 리써치트라이앵글인스티튜트
IPC: H05K1/11 , H05K3/46 , H01L21/768
CPC classification number: H05K3/0055 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01S5/02 , H01S5/0207 , H01S5/02272 , H01S5/042 , H01S5/423 , H05K1/0306 , H05K2201/0179 , H05K2201/09581 , H01L2924/014
Abstract: 개선된 관통 바이어형 수직 상호접속부, 관통 바이어형 열 싱크 및 이와 관련된 제작 기술이 제공된다. 이러한 장치들은 저온 증착 처리를 가능하게 하는 유기 유전층으로부터 이점을 얻는다. 관통 바이어형 상호접속부 및 열 싱크를 형성하기 위해 사용되는 저온 처리는 능동 소자 및 이와 관련된 회로 소자의 형성 이후를 포함하여, 반도체 장치의 제작의 임의의 시점에서 상호접속부 및 열 싱크의 형성을 가능하게 한다. 본 발명의 관통 바이어형 수직 상호접속부는 상호접속부 구성을 형성하는 다양한 층의 균일한 두께를 보장하도록 제작된다. 이에 따라, 상호접속부는 기판 두께 대 상호접속부 직경이 약 4:1 내지 약 10:1의 높은 종횡비를 갖도록 형성된다.