公开(公告)号：KR101084233B1

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：KR1020090097434

申请日：2009-10-13

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 강진희 ,  유춘기 ,  박선 ,  박종현 ,  이율규

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/78618

Abstract: 박막트랜지스터 및 그 제조 방법에서, 박막트랜지스터는 기판; 기판 상부에 형성된 게이트 전극; 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막; 게이트 절연막 상에 형성되고, 다결정 실리콘층으로 이루어지는 반도체층; 반도체층 상부의 일정 영역에 형성되는 오믹 접촉층; 오믹 접촉층을 포함하는 기판 전면에 형성되는 층간절연막; 및 층간절연막 내에 형성되는 콘택홀을 통하여 오믹 접촉층과 전기적으로 연결되는 소오소/드레인 전극을 포함하며, 반도체층과 오믹 접촉층 사이에 위치하는 베리어층을 포함한다. 따라서, 버텀 게이트형 박막트랜지스터에서 간단한 공정에 의하여 오프전류의 제어시 누설전류로 인한 특성 저하를 방지할 수 있다.
베리어층, 오프전류, 다결정

公开(公告)号：KR1020110114089A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：KR1020100033524

申请日：2010-04-12

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박종현 ,  유춘기 ,  박선 ,  강진희 ,  이율규

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/5281 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/04 ,  H01L29/34 ,  H01L29/78696

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 게이트 전극 또는 차광 부재와 같은 금속 패턴 상에 위치하는 반도체층이 불완전 결정 성장 영역을 포함하지 않는 다결정 실리콘으로 형성되도록 함으로써, 구동 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101065317B1

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：KR1020090109706

申请日：2009-11-13

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박선 ,  유춘기 ,  박종현 ,  강진희 ,  이율규

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/5215 ,  H01L27/3248

Abstract: 제조 공정을 단순화하고 전기적 특성을 용이하게 향상할 수 있도록, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 활성층, 상기 활성층과 절연되고, ITO를 함유하는 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 형성되는 제2 도전층, 상기 제2 도전층 상에 형성되고 ITO를 함유하는 제3 도전층 및 상기 제3 도전층 상에 형성되고 IZO 또는 AZO를 함유하는 제4 도전층을 구비하는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 동일한 층에 형성되고 ITO를 함유하는 제1 전극층, 상기 제1 전극층 상에 형성되는 제2 전극층, 상기 제2 전극층 상에 형성되고 ITO를 함유하는 제3 전극층 및 상기 제3 전극층 상에 형성되고 IZO 또는 AZO를 함유하는 제4 전극층을 구비하는 화소 전극, 상기 게이트 전극과 절연되고 상기 활성층과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 화소 전극상에 형성되고 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 상기 중간층상에 형성되는 대향 전극을 포함하고, 상기 화소 전극은 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나의 전극과 연결되는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.

Abstract translation: 为了简化制造过程并容易提高电特性，本发明是一种基板，形成在所述基板上的有源层，和与有源层绝缘，形成在第一导电层上，含有ITO的第一导电层 的第二导电层，形成在导电层和形成在所述第三导电层和含有ITO和具有含IZO或AZO的第四导电层的第三导电层上的栅电极上的第二，其特征在于， 在作为栅极电极的第三电极层上的第二电极层和含有ITO第三电极层上形成含有ITO，形成在第一电极层上的第二电极层的第一电极层相同的层形成 形成在像素电极上形成，栅电极和有源层被隔离电源电极和连接到具有包含IZO或AZO的第四电极层的像素电极的漏电极 包括中间层和形成对置电极，所述包含有机发光层，其中，所述像素电极被提供给所述有机发光显示装置和与所述源电极中的任一个电极和漏极电极相关的制造方法的中间层。

公开(公告)号：KR1020110057592A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：KR1020090114055

申请日：2009-11-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이율규 ,  유춘기 ,  박선 ,  박종현 ,  강진희

IPC: H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/458

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a manufacturing method thereof are provided to facilitate a process control by using a source electrode or drain electrode as a pixel electrode. CONSTITUTION: A thin film transistor includes an active layer(103), a gate electrode(106) insulated with the active layer, and source and drain electrodes(110) which are insulated with the gate electrode and are electrically connected to the active layer. A first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer are successively laminated on the source and drain electrodes. A wiring unit is made of the same materials as the first conductive layer. One of the source and drain electrodes is extended to function as a pixel electrode and is electrically connected to an intermediate layer(116).

Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，以便通过使用源极或漏电极作为像素电极来促进过程控制。 构成：薄膜晶体管包括有源层（103），与有源层绝缘的栅电极（106）以及与栅电极绝缘并与有源层电连接的源电极和漏电极（110）。 第一导电层，第二导电层和第三导电层依次层叠在源极和漏极上。 布线单元由与第一导电层相同的材料制成。 源极和漏极中的一个被延伸以用作像素电极并且电连接到中间层（116）。

公开(公告)号：KR1020110052950A

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：KR1020090109706

申请日：2009-11-13

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박선 ,  유춘기 ,  박종현 ,  강진희 ,  이율규

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/5215 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/4958

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to simplify a process by forming a gate electrode and a pixel electrode on the same layer using the same materials. CONSTITUTION: An active layer(103) is formed on a substrate(101). A gate electrode(110) includes first to fourth conductive layers. A pixel electrode(115) includes first to fourth electrodes. A source and drain electrode(132) is electrically connected to the active layer. An intermediate layer(134), including an organic light emitting layer, is formed on the pixel electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种有机发光器件及其制造方法，以通过使用相同的材​​料在同一层上形成栅电极和像素电极来简化工艺。 构成：在基板（101）上形成有源层（103）。 栅电极（110）包括第一至第四导电层。 像素电极（115）包括第一至第四电极。 源极和漏极电极（132）电连接到有源层。 在像素电极上形成包括有机发光层的中间层（134）。

公开(公告)号：KR1020110051858A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：KR1020090108659

申请日：2009-11-11

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이율규 ,  유춘기 ,  박선 ,  박종현 ,  강진희

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/558

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and manufacturing method thereof are provided to manufacture an organic light emitting display device by a small number of masks, thereby saving costs. CONSTITUTION: An active layer(212) of a thin film transistor is formed on a substrate(10). A first conductive layer is formed on an edge of the active layer. A first insulating layer(14) is formed on the substrate and the first conductive layer. A second conductive layer(17) corresponds to the central area of the active layer. A fan out lower electrode(515) is separated from the second conductive layer on the same layer.

Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，以通过少量掩模制造有机发光显示装置，从而节省成本。 构成：在衬底（10）上形成薄膜晶体管的有源层（212）。 第一导电层形成在有源层的边缘上。 在基板和第一导电层上形成第一绝缘层（14）。 第二导电层（17）对应于有源层的中心区域。 扇形下部电极（515）与同一层上的第二导电层分离。

公开(公告)号：KR101117637B1

公开(公告)日：2012-03-05

申请号：KR1020090124098

申请日：2009-12-14

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 강진희 ,  유춘기 ,  박선 ,  박종현 ,  이율규

IPC: H01L21/265

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0822 ,  H01J2237/31706

Abstract: 이온주입시스템이제공된다. 이온빔을발생시키는이온발생부; 및상기이온발생부로부터발생된이온빔이조사되는가공물이내부에위치되며, 상기이온발생부로부터발생된이온빔이내부로주입되는이온주입챔버를포함하고, 상기이온발생부는상기가공물의상부측으로이온을조사하는제 1 이온발생부및 상기가공물의하부측으로이온을조사하는제 2 이온발생부를포함하는이온주입시스템은, 이온발생부가주입가공물의이송방향에대하여엇갈리게배열되어있어큰 크기의가공물도한번에전체적으로이온주입가능하다.

公开(公告)号：KR101048987B1

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：KR1020090122492

申请日：2009-12-10

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 강진희 ,  유춘기 ,  박선 ,  박종현 ,  이율규

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/326 ,  H01L29/4908

Abstract: A flat panel display device including a substrate including first and second regions; an active layer on the first region of the substrate including a semiconductor material; a lower electrode on the second region of the substrate including the semiconductor material; a first insulating layer on the substrate including the active layer and the lower electrode thereon; a gate electrode on the first insulating layer overlying the active layer and including a first conductive layer pattern and a second conductive layer pattern; an upper electrode on the first insulating layer overlying the lower electrode and including the first conductive layer pattern and the second conductive layer pattern; a second insulating layer on the gate electrode and the upper electrode exposing portions of the active layer and portions of the upper electrode; and a source electrode and a drain electrode connected to the exposed portions of the active layer.

公开(公告)号：KR1020110061277A

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：KR1020090117878

申请日：2009-12-01

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박종현 ,  유춘기 ,  박선 ,  이율규 ,  강진희

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L51/5262 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/3258

Abstract: PURPOSE: A flat panel display device and manufacturing method thereof are provided to increase the electrical characteristic of an active layer and to improve the optical transmission ratio of a display panel. CONSTITUTION: An active layer(12) includes a source area, a drain area, and a channel area on a first substrate. A gate isolation layer(13) is formed in the first substrate including the active layer. A gate electrode(14) is formed on the gate isolation layer of the upper part of channel region. A first isolation layer(15a) is formed on the gate isolation layer including the gate electrode. A protective layer(17) is formed on the first insulating film including the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种平板显示装置及其制造方法，以增加有源层的电特性并提高显示面板的光传输比。 构成：活性层（12）在第一衬底上包括源极区域，漏极区域和沟道区域。 在包括有源层的第一衬底中形成栅极隔离层（13）。 栅电极（14）形成在沟道区上部的栅极隔离层上。 在包括栅电极的栅极隔离层上形成第一隔离层（15a）。 在包括源电极和漏电极的第一绝缘膜上形成保护层（17）。

公开(公告)号：KR101094285B1

公开(公告)日：2011-12-19

申请号：KR1020090119984

申请日：2009-12-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박종현 ,  유춘기 ,  박선 ,  강진희 ,  이율규

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78678

Abstract: 박막트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치에서, 박막트랜지스터는 기판, 기판 상부에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막 상에 형성되는 반도체층, 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소오소/드레인 전극을 포함한다. 게이트 전극의 두께는 약 500Å 내지 약 1500Å이고, 게이트 절연막의 두께는 약 1600Å 내지 약 2500Å이다. 따라서 불안정 결정 성장 영역을 포함하지 않는 다결정 실리콘층을 반도체층으로 채용하는 박막트랜지스터를 제조할 수 있다.
다결정, SLS, 게이트 전극