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公开(公告)号：KR101074803B1
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020090114055
申请日：2009-11-24
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3262
Abstract: 제조공정을단순화하고전기적특성을용이하게향상할수 있도록, 본발명은화소영역과비화소영역이정의되는기판, 상기화소영역에배치되는박막트랜지스터, 상기비화소영역에배치되는배선부, 상기박막트랜지스터와전기적으로연결되고유기발광층을구비하는중간층및 상기중간층상에형성되는대향전극을포함하고, 상기박막트랜지스터는활성층, 상기활성층과절연되는게이트전극, 상기게이트전극과절연되고상기활성층과전기적으로연결되며제1 도전층, 제2 도전층, 제3 도전층이차례로적층되어형성된소스/드레인전극을구비하고, 상기배선부는상기제1 도전층과동일한재료로형성되고, 상기소스/드레인전극중 어는하나는화소전극의기능을하도록길게연장되고, 상기소스/드레인전극중 화소전극의기능을하는전극과상기중간층이전기적으로연결되는유기발광표시장치및 그제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020110067488A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020090124098
申请日：2009-12-14
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/3002 , H01J37/3171 , H01J2237/0822 , H01J2237/31706
Abstract: PURPOSE: An implanter is provided to reduce a tact time for implanting an ion remarkably by completing ion implanting process one process when a work piece is passed inside an ion implantation chamber. CONSTITUTION: In an implanter, an ion generating unit generates ion beam. An ion generation unit includes a first ion generator(12) and a second ion generator(14). First and second ion generator includes an ion generator generating ion supplied to an ion implantation chamber(20). The ion implantation chamber includes a work piece receiving an ion beam from the ion generator. A loading chamber(30) loads a substrate to transfer it to the ion implantation chamber.
Abstract translation: 目的：提供了一种注入机，通过在离子注入室内通过工件时，通过完成离子注入工艺一个过程，减少了显着注入离子的触控时间。 构成：在注入机中，离子发生单元产生离子束。 离子产生单元包括第一离子发生器（12）和第二离子发生器（14）。 第一和第二离子发生器包括产生离子注入室（20）的离子发生器。 离子注入室包括从离子发生器接收离子束的工件。 装载室（30）装载衬底以将其转移到离子注入室。
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公开(公告)号：KR1020110040243A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020090097434
申请日：2009-10-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L29/78618 , H01L29/458
Abstract: PURPOSE: A bottom gate thin film transistor and a method fabricating thereof are provided to improve electron mobility by forming a semiconductor comprised of a polycrystalline silicon layer in a bottom gate type thin film transistor. CONSTITUTION: In a bottom gate thin film transistor and a method fabricating thereof, a gate insulating layer(104) is formed on the gate electrode. A semiconductor layer including the polycrystalline silicon layer is formed on the gate insulating layer. An ohmic contact layer(114) is formed in the specific area of the semiconductor layer. An inter-layer insulating film(115) is formed over the substrate including the ohmic contact layer.
Abstract translation: 目的：提供底栅薄膜晶体管及其制造方法，以通过在底栅型薄膜晶体管中形成由多晶硅层构成的半导体来提高电子迁移率。 构成：在底栅薄膜晶体管及其制造方法中，在栅电极上形成栅极绝缘层（104）。 在栅极绝缘层上形成包括多晶硅层的半导体层。 在半导体层的特定区域中形成欧姆接触层（114）。 在包括欧姆接触层的基板上形成层间绝缘膜（115）。
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公开(公告)号：KR101084233B1
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020090097434
申请日：2009-10-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L29/78618
Abstract: 박막트랜지스터 및 그 제조 방법에서, 박막트랜지스터는 기판; 기판 상부에 형성된 게이트 전극; 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막; 게이트 절연막 상에 형성되고, 다결정 실리콘층으로 이루어지는 반도체층; 반도체층 상부의 일정 영역에 형성되는 오믹 접촉층; 오믹 접촉층을 포함하는 기판 전면에 형성되는 층간절연막; 및 층간절연막 내에 형성되는 콘택홀을 통하여 오믹 접촉층과 전기적으로 연결되는 소오소/드레인 전극을 포함하며, 반도체층과 오믹 접촉층 사이에 위치하는 베리어층을 포함한다. 따라서, 버텀 게이트형 박막트랜지스터에서 간단한 공정에 의하여 오프전류의 제어시 누설전류로 인한 특성 저하를 방지할 수 있다.
베리어층, 오프전류, 다결정-
公开(公告)号：KR1020110114089A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020100033524
申请日：2010-04-12
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/5281 , H01L27/1214 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/66765 , H01L29/78678 , H01L21/02667 , H01L21/2022 , H01L29/04 , H01L29/34 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 게이트 전극 또는 차광 부재와 같은 금속 패턴 상에 위치하는 반도체층이 불완전 결정 성장 영역을 포함하지 않는 다결정 실리콘으로 형성되도록 함으로써, 구동 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101065317B1
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020090109706
申请日：2009-11-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/5215 , H01L27/3248
Abstract: 제조 공정을 단순화하고 전기적 특성을 용이하게 향상할 수 있도록, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 활성층, 상기 활성층과 절연되고, ITO를 함유하는 제1 도전층, 상기 제1 도전층 상에 형성되는 제2 도전층, 상기 제2 도전층 상에 형성되고 ITO를 함유하는 제3 도전층 및 상기 제3 도전층 상에 형성되고 IZO 또는 AZO를 함유하는 제4 도전층을 구비하는 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 동일한 층에 형성되고 ITO를 함유하는 제1 전극층, 상기 제1 전극층 상에 형성되는 제2 전극층, 상기 제2 전극층 상에 형성되고 ITO를 함유하는 제3 전극층 및 상기 제3 전극층 상에 형성되고 IZO 또는 AZO를 함유하는 제4 전극층을 구비하는 화소 전극, 상기 게이트 전극과 절연되고 상기 활성층과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 화소 전극상에 형성되고 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 상기 중간층상에 형성되는 대향 전극을 포함하고, 상기 화소 전극은 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나의 전극과 연결되는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
Abstract translation: 为了简化制造过程并容易提高电特性，本发明是一种基板，形成在所述基板上的有源层，和与有源层绝缘，形成在第一导电层上，含有ITO的第一导电层 的第二导电层，形成在导电层和形成在所述第三导电层和含有ITO和具有含IZO或AZO的第四导电层的第三导电层上的栅电极上的第二，其特征在于， 在作为栅极电极的第三电极层上的第二电极层和含有ITO第三电极层上形成含有ITO，形成在第一电极层上的第二电极层的第一电极层相同的层形成 形成在像素电极上形成，栅电极和有源层被隔离电源电极和连接到具有包含IZO或AZO的第四电极层的像素电极的漏电极 包括中间层和形成对置电极，所述包含有机发光层，其中，所述像素电极被提供给所述有机发光显示装置和与所述源电极中的任一个电极和漏极电极相关的制造方法的中间层。
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公开(公告)号：KR1020110057592A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090114055
申请日：2009-11-24
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/3248 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/458
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a manufacturing method thereof are provided to facilitate a process control by using a source electrode or drain electrode as a pixel electrode. CONSTITUTION: A thin film transistor includes an active layer(103), a gate electrode(106) insulated with the active layer, and source and drain electrodes(110) which are insulated with the gate electrode and are electrically connected to the active layer. A first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer are successively laminated on the source and drain electrodes. A wiring unit is made of the same materials as the first conductive layer. One of the source and drain electrodes is extended to function as a pixel electrode and is electrically connected to an intermediate layer(116).
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，以便通过使用源极或漏电极作为像素电极来促进过程控制。 构成：薄膜晶体管包括有源层（103），与有源层绝缘的栅电极（106）以及与栅电极绝缘并与有源层电连接的源电极和漏电极（110）。 第一导电层，第二导电层和第三导电层依次层叠在源极和漏极上。 布线单元由与第一导电层相同的材料制成。 源极和漏极中的一个被延伸以用作像素电极并且电连接到中间层（116）。
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公开(公告)号：KR1020110052950A
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：KR1020090109706
申请日：2009-11-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/5215 , H01L27/3248 , H01L29/4958
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to simplify a process by forming a gate electrode and a pixel electrode on the same layer using the same materials. CONSTITUTION: An active layer(103) is formed on a substrate(101). A gate electrode(110) includes first to fourth conductive layers. A pixel electrode(115) includes first to fourth electrodes. A source and drain electrode(132) is electrically connected to the active layer. An intermediate layer(134), including an organic light emitting layer, is formed on the pixel electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光器件及其制造方法，以通过使用相同的材料在同一层上形成栅电极和像素电极来简化工艺。 构成：在基板（101）上形成有源层（103）。 栅电极（110）包括第一至第四导电层。 像素电极（115）包括第一至第四电极。 源极和漏极电极（132）电连接到有源层。 在像素电极上形成包括有机发光层的中间层（134）。
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公开(公告)号：KR1020110051858A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020090108659
申请日：2009-11-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/3258 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L2251/558
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and manufacturing method thereof are provided to manufacture an organic light emitting display device by a small number of masks, thereby saving costs. CONSTITUTION: An active layer(212) of a thin film transistor is formed on a substrate(10). A first conductive layer is formed on an edge of the active layer. A first insulating layer(14) is formed on the substrate and the first conductive layer. A second conductive layer(17) corresponds to the central area of the active layer. A fan out lower electrode(515) is separated from the second conductive layer on the same layer.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，以通过少量掩模制造有机发光显示装置，从而节省成本。 构成：在衬底（10）上形成薄膜晶体管的有源层（212）。 第一导电层形成在有源层的边缘上。 在基板和第一导电层上形成第一绝缘层（14）。 第二导电层（17）对应于有源层的中心区域。 扇形下部电极（515）与同一层上的第二导电层分离。
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公开(公告)号：KR101117725B1
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：KR1020090108659
申请日：2009-11-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/3258
Abstract: 본발명은기판상에형성된박막트랜지스터의활성층; 상기활성층상의가장자리에분리형성된제1 도전층; 상기기판및 상기제1 도전층상에형성된제1 절연층; 상기제1 절연층을사이에두고상기활성층중앙영역에대응하도록형성된제2 도전층, 상기제2 도전층과동일층에동일물질로소정간격이격되어형성된팬 아웃(fanout) 하부전극및 상기제2 도전층과동일층에동일물질로소정간격이격되어형성된화소전극; 상기제2 도전층상에형성된제3 도전층및 상기제3 도전층과동일층에동일물질로상기팬 아웃하부전극상에형성된팬 아웃상부전극; 상기제3 도전층, 상기팬 아웃상부전극및 상기화소전극상에형성된제2 절연층; 및상기화소전극과접촉하며상기제2 절연층상부에형성된소스및 드레인전극을포함하는유기발광표시장치를제공한다.
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