公开(公告)号：KR100882910B1

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：KR1020070072200

申请日：2007-07-19

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 남명우 ,  김창수 ,  권정현

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/6708

Abstract: 본 발명은 식각챔버; 상기 식각챔버 내부 상측에 위치하며, 식각액을 분사하는 다수개의 노즐을 구비하는 배관부; 상기 배관부 하측에 위치하는 마스크기판; 및 상기 마스크기판 하측에 위치하며, 기판을 이송하는 이송수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각장치를 제공한다.
상기와 같이 다수개의 노즐을 구비하는 배관부와 기판 사이에 위치하는 마스크기판은 메쉬형태 및 다수개의 홀 또는 슬릿형태의 구조로 되어 있다.
따라서, 습식식각 시 발생할 수 있는 미세거품(Micro bubble)을 방지하여 균일한 식각률을 얻을 수 있다.
또한, 상기 마스크기판의 측면에는 고정부를 구비하는 리프트장치가 위치하여 상기 마스크기판을 상하로 이동시킴으로서 균일한 식각률을 제어할 수도 있다.
식각, 메쉬

Abstract translation: 蚀刻设备技术领域本发明涉及蚀刻设备，其包括：蚀刻室; 位于蚀刻室上方并具有用于喷射蚀刻剂的多个喷嘴的管道单元; 放置在管道部分下面的掩模基底; 以及用于转移衬底的转移装置，转移装置位于掩模衬底下方。

公开(公告)号：KR1020090008878A

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：KR1020070072200

申请日：2007-07-19

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 남명우 ,  김창수 ,  권정현

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/68742

Abstract: An etching apparatus is provided to obtain the uniform etching rate by preventing a micro bubble in a wet etching process. An etching apparatus includes an etch chamber(10), a piping unit(14), a mask substrate(13) and a transfer unit(11). The piping unit is positioned in an upper part inside the etch chamber. The piping unit includes a plurality of nozzle(15) for spraying the etchant. The mask substrate is positioned in the bottom of the piping unit. The transfer unit is positioned in the bottom of the mask substrate and transfers the substrate. The mask substrate is positioned between the piping unit and the substrate. The mask substrate has a mesh type and a plurality of holes or a slit type.

Abstract translation: 提供蚀刻装置以通过在湿法蚀刻工艺中防止微气泡来获得均匀的蚀刻速率。 蚀刻装置包括蚀刻室（10），管道单元（14），掩模基板（13）和转印单元（11）。 管道单元位于蚀刻室内部的上部。 管道单元包括用于喷涂蚀刻剂的多个喷嘴（15）。 掩模基板位于管道单元的底部。 传送单元位于掩模基板的底部并传送基板。 掩模基板位于管道单元和基板之间。 掩模基板具有网状和多个孔或狭缝型。

公开(公告)号：KR100924137B1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：KR1020080010244

申请日：2008-01-31

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 권정현

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/10 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L51/0011

Abstract: 본 발명은 증착마스크에 의하여 발광층을 포함하는 유기막층을 형성함에 있어서, 화소정의막의 상부에 위치하는 볼형 스페이서를 사용하여, 증착마스크의 요철에 의한 화소정의막 등의 손상을 방지하기 위한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 제1전극; 상기 제1전극 상에 위치하고, 상기 제1전극을 노출시키는 개구부 및 제1영역과 제2영역으로 구분되는 비개구부를 구비하는 화소정의막; 상기 화소정의막의 제2영역에 위치하는 다수개의 볼형 스페이서; 상기 제1전극의 상부에 위치하며, 발광층을 포함하는 유기막층; 및 상기 유기막층의 상부에 위치하는 제2전극을 포함하며, 상기 제1영역은 상기 개구부의 에지부를 따라 위치하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 기판을 제공하고, 상기 기판의 상부에 제1전극을 형성하고, 상기 제1전극의 상부에 화소정의막을 형성하고, 상기 화소정의막의 상부에 다수개의 볼형 스페이서를 도포하고, 상기 화소정의막 상에 제1전극의 일부를 노출시키는 개구부 및 제1영역과 제2영역으로 구분되는 비개구부를 형성하고, 상기 제1전극의 상부에 위치하며, 발광층을 포함하는 유기막층을 형성하고, 상기 유기막층의 상부에 제2전극을 형성하는 것을 포함하는 것을 포함하고, 상기 제1영역은 상기 개구부의 에지부를 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
유기전계발광표시장치, 하프톤 마스크, 볼형 스페이서

公开(公告)号：KR1020090084202A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：KR1020080010244

申请日：2008-01-31

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 권정현

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/10 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L51/0011

Abstract: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to prevent a shadow phenomenon by removing a ball-shaped spacer. A pixel defined film(281) is positioned on a first electrode, and includes an opening part(281a) and a non-opening part. A plurality of ball-shaped spacers(290a) is positioned on a second region of the pixel defined film. An organic layer(291) is positioned on a top part of the first electrode, and includes a light emitting layer. A second electrode(292) is positioned on a top part of the organic layer. A first region is positioned according to an edge part of the opening part. An interlayer insulation film(240) and a gate insulation film(230) are etched by a photolithography process. An insulation film is positioned on a top part of a source electrode(250a) and a drain electrode(250b).

Abstract translation: 提供有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过去除球形间隔物来防止阴影现象。 像素限定膜（281）位于第一电极上，并且包括开口部（281a）和非开口部。 多个球形间隔件（290a）位于像素限定膜的第二区域上。 有机层（291）位于第一电极的顶部，并且包括发光层。 第二电极（292）位于有机层的顶部。 第一区域根据开口部分的边缘部分定位。 通过光刻工艺蚀刻层间绝缘膜（240）和栅极绝缘膜（230）。 绝缘膜位于源电极（250a）的顶部和漏电极（250b）上。