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公开(公告)号：KR1020110101907A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100021263
申请日：2010-03-10
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1214 , H01L27/1285 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78645 , H01L29/34
Abstract: 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 표시 장치를 개시한다. 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 반도체층, 반도체층을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트 절연층, 반도체층 상부의 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극 및 반도체층에 연결된 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 게이트 전극과 중첩되는 반도체층에 3.5개 내지 4.5개의 돌기가 구비된다. 누설전류 및 결함이 최소화되도록 돌기의 개수를 조절함으로써 박막 트랜지스터의 오동작 및 표시 장지의 화질 저하를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110069362A
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：KR1020090126070
申请日：2009-12-17
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L27/1255 , G02F1/136213 , H01L27/1214 , H01L27/13
Abstract: PURPOSE: An array substrate of a liquid crystal display device is provided to reduce a surface of a storage capacity in a pixel area. CONSTITUTION: A substrate(100) has a first area and a second area separated from a first area. A blocking layer(110) is located on a surface substrate. A first electrode(135) is located on surface a blocking layer of a second area. An insulating layer(120) is located on the blocking layer to cover a first electrode. A second electrode(155) is located on the insulating layer to be overlapped with the first electrode. A third electrode(114) overlaps the first electrode between the substrate and the blocking layer.
Abstract translation: 目的：提供一种液晶显示装置的阵列基板，以减少像素区域中的存储容量的表面。 构成：衬底（100）具有与第一区域分离的第一区域和第二区域。 阻挡层（110）位于表面基板上。 第一电极（135）位于第二区域的阻挡层的表面上。 绝缘层（120）位于阻挡层上以覆盖第一电极。 第二电极（155）位于绝缘层上以与第一电极重叠。 第三电极（114）与衬底和阻挡层之间的第一电极重叠。
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公开(公告)号：KR101101087B1
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020090121773
申请日：2009-12-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L27/32 , H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3265 , G02F1/136213 , G02F2201/40 , H01L27/1255 , H01L51/56
Abstract: 표시 장치 및 그의 제조 방법에서, 표시 장치는 제1 기판 상에 위치하는 제1 절연층, 제1 절연층 상에 위치하는 하부 전극, 하부 전극의 상면 및 측면을 둘러싸도록 형성된 유전체층 및 유전체층 상에 위치하는 상부 전극을 포함한다. 화소 영역의 절연층이 광 투과율이 높은 실리콘 산화물로 형성되기 때문에 광 투과율 저하가 최소화되며, 유전율이 높은 실리콘 질화물을 유전체로 사용하기 때문에 캐패시터의 크기 감소를 통해 개구율을 증가시킬 수 있다.
절연층, 광 투과율, 개구율, 캐패시터, 유전체, 실리콘 질화막-
公开(公告)号：KR1020110101775A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100021018
申请日：2010-03-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F1/133512
Abstract: 액정 표시 장치와 그 제조방법이 개시된다. 개시된 액정 표시 장치는 광투과율이 서로 다른 제1투광부와 제2투광부를 구비한 하프톤 마스크를 준비하여 화소 영역에 상대적으로 광투과율이 높은 제1투광부가, 블랙매트릭스로 가려진 비화소 영역에 상대적으로 광투과율이 낮은 상기 제2투광부가 각각 위치되도록 상기 하프톤 마스크를 설치하는 단계 및, 하프톤 마스크를 통해 화소 영역과 비화소 영역을 서로 다른 광량으로 노광시키며 액정층을 형성하는 단계를 통해 제조된다. 이렇게 하면 과도한 노광에 따른 아웃가싱 증가로 블랙매트릭스 주변에 얼룩이 발생하는 현상을 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101127588B1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020100021019
申请日：2010-03-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1339
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/1339 , G02F2001/133388 , G02F2001/134318
Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법을 개시한다.
본 발명은 액정 표시 장치의 비표시 영역에 형성된 블랙 매트릭스에 배치된 더미 화소에 서로 엇갈리게 상하 전극을 패터닝하고, 상기 엇갈리게 패터닝된 상하 전극을 통해 액정층에 전계를 인가하여 액정 분자를 방사형으로 재배열시킴으로써, 비표시 영역의 이온 불순물이 표시 영역으로 분산되는 것을 방지할 수 있어 액정 표시 장치의 테두리 얼룩을 개선할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101100959B1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：KR1020100021263
申请日：2010-03-10
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1214 , H01L27/1285 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/78645
Abstract: 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 표시 장치를 개시한다. 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 반도체층, 반도체층을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트 절연층, 반도체층 상부의 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극 및 반도체층에 연결된 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 게이트 전극과 중첩되는 반도체층에 3.5개 내지 4.5개의 돌기가 구비된다. 누설전류 및 결함이 최소화되도록 돌기의 개수를 조절함으로써 박막 트랜지스터의 오동작 및 표시 장지의 화질 저하를 방지할 수 있다.
Abstract translation: 公开了薄膜晶体管，其制造方法以及包括该薄膜晶体管的显示装置。 该薄膜晶体管包括半导体层，栅绝缘层，源极和连接到栅极电极和形成在包括在衬底上形成的半导体层的衬底上的上层侧栅绝缘层的半导体层上的半导体层漏电极和栅电极 并且在半导体层上提供3.5至4.5个凸起以与半导体层重叠。 通过控制突起的个数，以尽量减少漏电流，它可以从所显示的故障的图像劣化和薄膜晶体管的中指能够防止故障。
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公开(公告)号：KR101097345B1
公开(公告)日：2011-12-23
申请号：KR1020100021018
申请日：2010-03-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F1/133512
Abstract: 액정표시장치와그 제조방법이개시된다. 개시된액정표시장치는광투과율이서로다른제1투광부와제2투광부를구비한하프톤마스크를준비하여화소영역에상대적으로광투과율이높은제1투광부가, 블랙매트릭스로가려진비화소영역에상대적으로광투과율이낮은상기제2투광부가각각위치되도록상기하프톤마스크를설치하는단계및, 하프톤마스크를통해화소영역과비화소영역을서로다른광량으로노광시키며액정층을형성하는단계를통해제조된다. 이렇게하면과도한노광에따른아웃가싱증가로블랙매트릭스주변에얼룩이발생하는현상을억제할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110101776A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100021019
申请日：2010-03-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1339
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/1339 , G02F2001/133388 , G02F2001/134318
Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법을 개시한다.
본 발명은 액정 표시 장치의 비표시 영역에 형성된 블랙 매트릭스에 배치된 더미 화소에 서로 엇갈리게 상하 전극을 패터닝하고, 상기 엇갈리게 패터닝된 상하 전극을 통해 액정층에 전계를 인가하여 액정 분자를 방사형으로 재배열시킴으로써, 비표시 영역의 이온 불순물이 표시 영역으로 분산되는 것을 방지할 수 있어 액정 표시 장치의 테두리 얼룩을 개선할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101113394B1
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020090126070
申请日：2009-12-17
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L27/1255
Abstract: 액정표시장치의 어레이 기판에서, 어레이 기판은 제 1영역 및 제1 영역과 떨어진 제 2영역을 갖는 기판, 기판 상에 위치하는 블로킹층, 제 2영역의 블로킹층 상에 위치하는 제 1전극, 제 1전극을 덮도록 블로킹층 상에 위치하는 절연막 및 제 1전극과 중첩하도록 절연막 상에 위치하는 제 2전극, 기판과 블로킹층의 사이에 제 1전극과 중첩하는 제 3전극을 포함한다. 따라서 동일 면적 대비 스토리지 커패시턴스의 크기를 늘릴 수 있는 구조 및 제조 방법을 제공함으로써 화소영역 내의 스토리지 커패시터가 차지하는 면적을 줄이고, 화소영역의 개구율을 높여 고휘도를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110064970A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090121773
申请日：2009-12-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L27/32 , H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3265 , G02F1/136213 , G02F2201/40 , H01L27/1255 , H01L51/56 , H01L27/13
Abstract: PURPOSE: A display apparatus and a method for manufacturing the same are provided to reduce the size of a capacitor using a silicon nitride film with a superior dielectric constant as a dielectric. CONSTITUTION: A first insulating layer(116) is located on a first substrate(110). A lower electrode(118b) is located on the first insulating layer. A dielectric layer(120a) surrounds the upper side and the lateral side of the lower electrode. An upper electrode(122a) is located on the dielectric layer. A third insulating layer includes a source and drain electrode(126a). A fourth insulating layer(128) is formed on the third insulating layer(124).
Abstract translation: 目的：提供一种显示装置及其制造方法，以使用具有优良介电常数的氮化硅膜作为电介质来减小电容器的尺寸。 构成：第一绝缘层（116）位于第一衬底（110）上。 下电极（118b）位于第一绝缘层上。 电介质层（120a）围绕下电极的上侧和外侧。 上电极（122a）位于电介质层上。 第三绝缘层包括源极和漏极（126a）。 第四绝缘层（128）形成在第三绝缘层（124）上。
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