公开(公告)号：KR1020110101907A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：KR1020100021263

申请日：2010-03-10

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 노성인 ,  박지용 ,  박경민 ,  박진석 ,  강성연

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/34

Abstract: 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 표시 장치를 개시한다. 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 반도체층, 반도체층을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트 절연층, 반도체층 상부의 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극 및 반도체층에 연결된 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 게이트 전극과 중첩되는 반도체층에 3.5개 내지 4.5개의 돌기가 구비된다. 누설전류 및 결함이 최소화되도록 돌기의 개수를 조절함으로써 박막 트랜지스터의 오동작 및 표시 장지의 화질 저하를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110069362A

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：KR1020090126070

申请日：2009-12-17

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김기훈 ,  박진석 ,  박지용 ,  박경민 ,  최경현 ,  박경순 ,  이대원

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78633 ,  H01L27/1255 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13

Abstract: PURPOSE: An array substrate of a liquid crystal display device is provided to reduce a surface of a storage capacity in a pixel area. CONSTITUTION: A substrate(100) has a first area and a second area separated from a first area. A blocking layer(110) is located on a surface substrate. A first electrode(135) is located on surface a blocking layer of a second area. An insulating layer(120) is located on the blocking layer to cover a first electrode. A second electrode(155) is located on the insulating layer to be overlapped with the first electrode. A third electrode(114) overlaps the first electrode between the substrate and the blocking layer.

Abstract translation: 目的：提供一种液晶显示装置的阵列基板，以减少像素区域中的存储容量的表面。 构成：衬底（100）具有与第一区域分离的第一区域和第二区域。 阻挡层（110）位于表面基板上。 第一电极（135）位于第二区域的阻挡层的表面上。 绝缘层（120）位于阻挡层上以覆盖第一电极。 第二电极（155）位于绝缘层上以与第一电极重叠。 第三电极（114）与衬底和阻挡层之间的第一电极重叠。

公开(公告)号：KR101100959B1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：KR1020100021263

申请日：2010-03-10

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 노성인 ,  박지용 ,  박경민 ,  박진석 ,  강성연

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645

Abstract: 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 표시 장치를 개시한다. 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 반도체층, 반도체층을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트 절연층, 반도체층 상부의 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극 및 반도체층에 연결된 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 게이트 전극과 중첩되는 반도체층에 3.5개 내지 4.5개의 돌기가 구비된다. 누설전류 및 결함이 최소화되도록 돌기의 개수를 조절함으로써 박막 트랜지스터의 오동작 및 표시 장지의 화질 저하를 방지할 수 있다.

Abstract translation: 公开了薄膜晶体管，其制造方法以及包括该薄膜晶体管的显示装置。 该薄膜晶体管包括半导体层，栅绝缘层，源极和连接到栅极电极和形成在包括在衬底上形成的半导体层的衬底上的上层侧栅绝缘层的半导体层上的半导体层漏电极和栅电极 并且在半导体层上提供3.5至4.5个凸起以与半导体层重叠。 通过控制突起的个数，以尽量减少漏电流，它可以从所显示的故障的图像劣化和薄膜晶体管的中指能够防止故障。

公开(公告)号：KR101101087B1

公开(公告)日：2011-12-30

申请号：KR1020090121773

申请日：2009-12-09

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박경민 ,  박지용 ,  박진석 ,  노성인

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3265 ,  G02F1/136213 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1255 ,  H01L51/56

Abstract: 표시 장치 및 그의 제조 방법에서, 표시 장치는 제1 기판 상에 위치하는 제1 절연층, 제1 절연층 상에 위치하는 하부 전극, 하부 전극의 상면 및 측면을 둘러싸도록 형성된 유전체층 및 유전체층 상에 위치하는 상부 전극을 포함한다. 화소 영역의 절연층이 광 투과율이 높은 실리콘 산화물로 형성되기 때문에 광 투과율 저하가 최소화되며, 유전율이 높은 실리콘 질화물을 유전체로 사용하기 때문에 캐패시터의 크기 감소를 통해 개구율을 증가시킬 수 있다.
절연층, 광 투과율, 개구율, 캐패시터, 유전체, 실리콘 질화막

公开(公告)号：KR101113394B1

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：KR1020090126070

申请日：2009-12-17

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김기훈 ,  박진석 ,  박지용 ,  박경민 ,  최경현 ,  박경순 ,  이대원

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78633 ,  H01L27/1255

Abstract: 액정표시장치의 어레이 기판에서, 어레이 기판은 제 1영역 및 제1 영역과 떨어진 제 2영역을 갖는 기판, 기판 상에 위치하는 블로킹층, 제 2영역의 블로킹층 상에 위치하는 제 1전극, 제 1전극을 덮도록 블로킹층 상에 위치하는 절연막 및 제 1전극과 중첩하도록 절연막 상에 위치하는 제 2전극, 기판과 블로킹층의 사이에 제 1전극과 중첩하는 제 3전극을 포함한다. 따라서 동일 면적 대비 스토리지 커패시턴스의 크기를 늘릴 수 있는 구조 및 제조 방법을 제공함으로써 화소영역 내의 스토리지 커패시터가 차지하는 면적을 줄이고, 화소영역의 개구율을 높여 고휘도를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110064970A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：KR1020090121773

申请日：2009-12-09

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박경민 ,  박지용 ,  박진석 ,  노성인

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3265 ,  G02F1/136213 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1255 ,  H01L51/56 ,  H01L27/13

Abstract: PURPOSE: A display apparatus and a method for manufacturing the same are provided to reduce the size of a capacitor using a silicon nitride film with a superior dielectric constant as a dielectric. CONSTITUTION: A first insulating layer(116) is located on a first substrate(110). A lower electrode(118b) is located on the first insulating layer. A dielectric layer(120a) surrounds the upper side and the lateral side of the lower electrode. An upper electrode(122a) is located on the dielectric layer. A third insulating layer includes a source and drain electrode(126a). A fourth insulating layer(128) is formed on the third insulating layer(124).

Abstract translation: 目的：提供一种显示装置及其制造方法，以使用具有优良介电常数的氮化硅膜作为电介质来减小电容器的尺寸。 构成：第一绝缘层（116）位于第一衬底（110）上。 下电极（118b）位于第一绝缘层上。 电介质层（120a）围绕下电极的上侧和外侧。 上电极（122a）位于电介质层上。 第三绝缘层包括源极和漏极（126a）。 第四绝缘层（128）形成在第三绝缘层（124）上。