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公开(公告)号：KR101056427B1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020090074817
申请日：2009-08-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/66757
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터 및 유기전계발광표시장치의 제조방법에 관한 것으로써, 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층 패턴을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 소스/드레인 전극용 금속막을 형성하고, 상기 소스/드레인 전극용 금속막에 전계를 인가하여, 상기 비정질 실리콘층 패턴을 결정화하여 반도체층으로 형성하고, 상기 소스/드레인 전극용 금속막을 패터닝하여, 상기 반도체층과 연결되는 소스/드레인 전극을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층과 대응되는 게이트 전극을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 또한, 상기 박막트랜지스터를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
줄열 결정화, 다결정 실리콘층Abstract translation: 本发明涉及薄膜晶体管和用于制造有机发光显示装置的方法，其包括：提供衬底;在衬底上形成缓冲层;在缓冲层上形成非晶硅层图案; 形成用于源极/漏极电极的金属膜，向用于源极/漏极电极的金属膜施加电场，使非晶硅层图案结晶以形成半导体层，图案化用于源极/ 形成与半导体层连接的源极/漏极电极，在基板的整个表面上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成与半导体层对应的栅极电极， 以及制造薄膜晶体管的方法。 此外，本发明涉及包括该薄膜晶体管的有机发光显示装置。
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公开(公告)号：KR1020110094458A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020100013844
申请日：2010-02-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3274 , H01L51/0005 , H01L2251/50
Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to suppress the fault around a pixel region by forming a first pixel definition layer to be a multilayer structure. CONSTITUTION: In an organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof, a buffer layer(51) is formed on a substrate(50). An active layer(52) formed on the buffer layer of a semiconductor material. A gate insulating layer(53) is formed on the active layer. A gate electrode(54) is formed on the gate insulating layer. A source / drain electrodes(56,57) are formed on the gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法，通过将第一像素定义层形成为多层结构来抑制像素区周围的故障。 构成：在有机电致发光显示装置及其制造方法中，在基板（50）上形成缓冲层（51）。 形成在半导体材料的缓冲层上的有源层（52）。 在有源层上形成栅绝缘层（53）。 栅电极（54）形成在栅极绝缘层上。 源极/漏极（56,57）形成在栅电极上。
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公开(公告)号：KR1020110017248A
公开(公告)日：2011-02-21
申请号：KR1020090074817
申请日：2009-08-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L21/02304
Abstract: PURPOSE: A thin transistor manufacturing method and an organic light emitting display device manufacturing method are provided to implement the effective crystallization by forming a metal layer directly on the amorphous silicon layer pattern. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). A semiconductor layer(120) is formed on the buffer layer. The source/drain electrode is formed on the semiconductor layer. The source/drain electrode is patterned to be corresponding to the source/drain areas(120a, 120b) of the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供薄晶体管制造方法和有机发光显示装置制造方法，以通过在非晶硅层图案上直接形成金属层来实现有效结晶。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 半导体层（120）形成在缓冲层上。 源极/漏极形成在半导体层上。 源极/漏极被图案化以对应于半导体层的源极/漏极区域（120a，120b）。
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公开(公告)号：KR101084191B1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：KR1020100013844
申请日：2010-02-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3274 , H01L51/0005
Abstract: 본 발명은 픽셀 전극의 테두리 영역에서 불량이 개선된 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공하기 위하여, 기판; 상기 기판상에 배치되는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 픽셀마다 형성되는 제1 전극; 적어도 두 층을 포함하며 상기 제1 전극의 가장자리를 덮도록 형성되는 제1 화소 정의막; 상기 제1 화소 정의막 상에 상기 제1 화소 정의막의 적어도 일부를 덮도록 형성되는 제2 화소 정의막; 상기 제1 전극 상에 형성되고 발광층을 포함하는 유기층; 및 상기 제1 전극과 마주보도록 위치하는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치를 제공한다.
Abstract translation: 公开了一种在像素电极的边界区域中具有改善的缺陷的有机发光显示装置及其制造方法。 设置在基板上的薄膜晶体管; 在每个像素的薄膜晶体管上形成第一电极; 第一像素限定层，包括至少两个层并被形成为覆盖所述第一电极的边缘; 第二像素限定层，被形成为覆盖第一像素限定层上的第一像素限定层的至少一部分; 形成在第一电极上并包括发光层的有机层; 和定位成面对第一电极的第二电极。
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