가상 계측 장치 및 계측 방법
    1.
    发明授权
    가상 계측 장치 및 계측 방법 失效
    虚拟测量装置和测量方法

    公开(公告)号:KR100982306B1

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:KR1020080053775

    申请日:2008-06-09

    CPC classification number: G01B11/0641 G01B11/0683 H01L22/12 H01L22/20

    Abstract: 본 발명은 증착 두께 가상 계측 장치 및 장치 방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 비결정질 실리콘의 증착 두께를 측정하는 계측 방법은, 예측 단계와 적응 단계를 포함한다. 예측 단계는 상기 기판에 비결정질 실리콘을 증착하는 공정 중 측정 가능한 복수의 인자들 중 상기 증착 두께와 증착 시간으로부터 얻어지는 증착 속도와 상관 관계가 있는 복수의 공정 인자와 증착 속도 예측 모델을 이용하여 예측된 증착 속도에 증착 시간을 곱해서 상기 증착 두께를 예측한다. 적응 단계는 증착 두께를 실제 측정하고, 상기 예측된 증착 두께와 상기 측정된 증착 두께를 비교하며, 비교 차이를 이용하여 상기 예측 모델에서 상기 복수의 공정 인자와 상기 증착 속도와의 관계를 보정한다.
    예측 모델, 적응, PECVD

    가상 계측 장치 및 계측 방법
    2.
    发明公开
    가상 계측 장치 및 계측 방법 失效
    虚拟测量装置和测量方法

    公开(公告)号:KR1020090127681A

    公开(公告)日:2009-12-14

    申请号:KR1020080053775

    申请日:2008-06-09

    CPC classification number: G01B11/0641 G01B11/0683 H01L22/12 H01L22/20

    Abstract: PURPOSE: A virtual measuring device and a measuring method are provided to reduce time for measuring real deposition thickness because thickness prediction dissemination is low, thereby reducing time for predicting deposition thickness. CONSTITUTION: A predicting unit(31) predicts deposition thickness of amorphous silicon using process factors and prediction models which have correlation with amorphous silicon deposited on a substrate. The prediction model shows relation with the deposition thickness of amorphous silicon. An adaptation unit(32) compares predicted deposition thickness with deposition thickness which is actually measured. The adaptation unit compensates relation between a process factor and deposition thickness in the prediction model.

    Abstract translation: 目的:提供虚拟测量装置和测量方法,以减少测量真实沉积厚度的时间,因为厚度预测传播较低,从而减少了预测沉积厚度的时间。 构成:预测单元(31)使用与沉积在衬底上的非晶硅相关的工艺因子和预测模型来预测非晶硅的沉积厚度。 该预测模型显示与非晶硅沉积厚度的关系。 适应单元(32)将预测的沉积厚度与实际测量的沉积厚度进行比较。 适应单元补偿预测模型中过程因子与沉积厚度之间的关系。

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