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公开(公告)号：KR100545071B1
公开(公告)日：2006-01-24
申请号：KR1020030039877
申请日：2003-06-19
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 도금 인입선이 단축된 패키지 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로, a) 베이스 기판 상에 형성된 회로 패턴; b) 상기 회로 패턴으로 인출되며, 그 인출되는 길이가 최소가 되도록 하는 상기 베이스 기판 상의 지점으로부터 상기 베이스 기판의 외측으로 인출되는 도금 인입선; 및 c) 상기 도금 인입선에 도금용 전원을 인가하기 위한 도금용 단자를 포함하며, 상기 패키지 기판은, 동도금층 상부에 드라이필름을 적층하는 단계; 상기 드라이 필름을 현상하는 단계; 상기 드라이필름이 적층된 부분 이외의 부분의 동박을 식각에 의해 제거하여 도금 인입선이 동도금층을 포함하는 패키지 기판 내부로부터 기판 외부로 인출되도록 회로 패턴을 형성하는 단계; 상기 회로 패턴된 기판 상부에 솔더 레지스트를 도포하는 단계; 상기 도포된 솔더 레지스트를 노광, 현상 및 건조시키는 단계; 상기 솔더 레지스트가 도포된 부분 이외의 부분에 상기 도금 인입선을 통해 전해 금도금하는 단계; 및 상기 도금 인입선을 절단하는 단계를 포함한다.
패키지 기판, 금도금, 동도금, 드라이필름, 와이어 본딩, 솔더볼Abstract translation: 目的：提供封装基板及其制造方法，以通过缩短电镀引线的长度来提高产品设计的自由度。 构成：封装基板包括形成在基底基板上的电路图案，朝向电路图案拉出的电镀引线（21），以最小化拉伸长度;以及电镀端子（24），用于向电镀引线 线。 形成镀铜层以电连接电路。 在铜镀层的顶部的预定部分上形成引线接合焊盘（22）。 在镀铜层顶部的预定部分上形成焊球垫（23）。
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公开(公告)号：KR1019960037874A
公开(公告)日：1996-11-19
申请号：KR1019950008151
申请日：1995-04-07
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: C30B11/00
Abstract: 본 발명은 VTR 헤드 사용되는 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법에 관한 것으로, 단결정 초기원료의 성장시점에 백금도가니 내에 백금관을 용액과 접하지 않도록 위치시키므로서 단결정의 초반부위에서의 가용부분이 크고 수율 또한 우수한 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법을 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적달성을 위한 본 발명은 종결정과 초기원료를 백금도가니에 넣어 로의 저부에 위치시키고 로의온도를 단결정의 용융온도까지 높인 후, 백금도가니를 상승시켜 종결정과 초기원료를 용융시킨 다음, 다시 하강시켜 초기원료를 성장시키고, 추가원료를 투입하여 조성을 조절하면서 망간-아연 페라이트 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 상기 초기원료의 성장시작 시점에서 백금도가니의 내경보다 작은 직경의 백금관을 용액과 접촉되지 않도록 상면에 근접 위치시켜 초기원료의 성장종료까지 유지하는 것을 포함하여 이루어지는 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법을 제공함을 그 요지로 한다.-
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR200124386Y1
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR2019920004975
申请日：1992-03-28
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: C30B15/10
Abstract: 본 고안은 도가니의 넥크부위에 셀렉터가 구비된 소정길이의 보강편을 일체로 형성함으로서 미세결정 입계의 제거가 가능하며 동시에 고온의 열로 인해 물리적 충격에 의한 넥크부의 변형을 방지할 수 있어서 특성 및 수율이 향상된 페라이트 단결정을 제조할 수 있도록 한 단결정 성장용 도가니에 관한 것으로, 백금 또는 백금-로듐재질의 몸체부와 원추부 및 넥크부로 이루어진 페라이트 단결정을 성장시키는 도가니에 있어서, 상기 넥크부의 내주연 상측에 형성된 대향되는 셀렉터를 갖는 보강편에 의해 미세결정 입계를 제거하며 고온의 열로인한 물리적 충격으로부터 넥크부위의 변형이 방지되므로 결정의 미세구조가 결함이 적게 특성 및 수율이 향상되도록 한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019960039030A
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR1019950008272
申请日：1995-04-10
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01F41/14
Abstract: 본 발명은 망간-아연 페라이트 단결정의 크랙 발생을 유효하게 방지시킬 수 있는 단결정 성장 장치에 관한 것으로 그 기술적인 구성은, 외주면으로 발열부(11)가 마련된 노심관(12)의 내측으로 설치되는 도가니(13)의 상측 모터(14)와 연설되어 승·하강토록 되는 백금튜브(15)와, 상기 백금튜브(15)의 상측에 깔대기 형상으로 구성되어 추가원료(16)를 공급하는 추가 원료공급부(17)가 마련되어 상기 백금튜브(15)가 도가니(13)내의 잔류 액상부(18) 성장 완료 및 냉각시까지 도가니(13)내부에 공급상태로 유지하는 것이다.이에 따라서, 추가원료 공급부가 상측에 마련된 백금튜브의 탈착시 잔류된 단결정 액상부의 열적 변화로 형성되는 조성의 변화를 방지시키며, 단결정에 발생되는 크랙현상을 미연에 예방함은 물론, 페라이트 단결정 성장의 제조원가를 절감시키 면서도 보다 안정적으로 페라이트 단결정의 성장을 이룩할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR1019950032723A
公开(公告)日：1995-12-22
申请号：KR1019940012182
申请日：1994-05-31
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: C30B11/00
Abstract: 본 발명은 성장로 하부의 부발열부를 독립된 2개의 영역으로 분리 설치함으로써 수직방향의 온도구배에 의하여 발생되는 단결정의 균열을 제거하고, 잉곳 내의 조성 편석을 제어하여 대형 단결정을 얻을 수 있는 망간-아연 페라이트 단결정 성장장치에 관한 것이다.
종래의 페라이트 단결정 성장장치는 주도가니 하부에 페라이트 초기원료를 장입하여 주발열부 부위에 위치시켜 가열 용융시킨 후, 상기 용융된 페라이크를 고화시키기 위하여 주도가니를 2-3mm/hr 정도의 속도록 하강시키고, 페라이크 추가원료를 보조도가니 내에 일정속도로 투입하여 성장을 진행시키며, 이를 다시 최종 위치에서 40℃/hr의 냉각속도로 상온에 다다르도록 서냉처리하고 있으나, 주발열부와 부발열부의 온도차가 큰 관계로 열팽창 계수의 차이에 의하여 성장 단결정에 균열이 발생하게 되고, 부발열부의 열용량이 작아 성장 말기에 이르면 열의 이동속도가 빨라지는 관계로 단결정의 성장속도가 증가되어 단결정의 조성에 변화를 가져와 균열을 발생시키며, 또한 부발열부의 영역이 짧은 관계로 대형 단결정의 성장에도 한계가 있었다.
그러나 본 발명은 성장로 하부의 부발열부를 독립된 2개의 영역으로 분리 설치함으로써 수직방향의 온도구배에 의하여 발생되는 균열을 제거하고, 잉곳 내의 조성 편석을 제어하여 대형 단결정을 얻을 수 있는 효과를 갖는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100241541B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019930005386
申请日：1993-03-31
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 마재용
IPC: C30B15/02
Abstract: 본 발명은 망간-아연 페라이트 단결정 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 추가원료를 투입하여 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 보조도가니를 사용하지 않고 웨이퍼상태의 소결체를 추가원료로 주도가니의 액상부에 직접 투입시킴으로써 성장된 단결정 잉곳의 길이방향의 조성이 균일하고 백금 또는 로듐의 혼입을 제어하여 수율이 높고 제조원가를 낮출 수 있는 망간-아연 페라이트 단결정 제조방법에 관한 것이다.
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